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1. 发明专利

TWI577443B 用於移除廢水中有害物質之無機材料及其製造方法以及廢水處理方法有权
简体标题：用于移除废水中有害物质之无机材料及其制造方法以及废水处理方法
公开(公告)号：TWI577443B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105117338
申请日：2016-06-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡正國 , TSAI, CHENG KUO , 洪煥毅 , HUNG, HUAN YI , 劉邦弘 , LIU, PANG HUNG , 戴賢輝 , TAI, HSIEN HUI , 黃國豪 , HUANG, GAW HAO , 徐淑芳 , HSU, SHU FANG , 洪仁陽 , HORNG, REN YANG
IPC分类号： B01J20/18 , B01J8/24 , B01D15/02 , C02F1/28
CPC分类号： B01J20/103 , B01J20/0248 , B01J20/041 , B01J20/16 , B01J20/28007 , B01J20/28011 , B01J20/28059 , B01J20/28061 , B01J20/28083 , C02F1/281 , C02F1/288 , C02F2101/103 , C02F2101/20 , C02F2101/22

2. 发明专利

TWI398291B 配向溶液之純化方法及純化裝置有权
简体标题：配向溶液之纯化方法及纯化设备
公开(公告)号：TWI398291B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW099143452
申请日：2010-12-13
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡正國 , TSAI, CHENG KUO , 洪煥毅 , HUNG, HUAN YI , 陳哲陽 , CHEN, JER YOUNG , 許宗洲 , HSU, TSUNG CHOU , 蔡佳霖 , TSAI, CHIA LIN
IPC分类号： B01D3/34 , B01D15/00 , G02F1/1337
CPC分类号： Y02P20/143 , Y02W30/70 , Y02W30/701

3. 发明专利

TW201700164A 用於移除廢水中有害物質之無機材料及其製造方法以及廢水處理方法审中-公开
简体标题：用于移除废水中有害物质之无机材料及其制造方法以及废水处理方法
公开(公告)号：TW201700164A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105117338
申请日：2016-06-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蔡正國 , TSAI, CHENG KUO , 洪煥毅 , HUNG, HUAN YI , 劉邦弘 , LIU, PANG HUNG , 戴賢輝 , TAI, HSIEN HUI , 黃國豪 , HUANG, GAW HAO , 徐淑芳 , HSU, SHU FANG , 洪仁陽 , HORNG, REN YANG
IPC分类号： B01J20/18 , B01J8/24 , B01D15/02 , C02F1/28
CPC分类号： B01J20/103 , B01J20/0248 , B01J20/041 , B01J20/16 , B01J20/28007 , B01J20/28011 , B01J20/28059 , B01J20/28061 , B01J20/28083 , C02F1/281 , C02F1/288 , C02F2101/103 , C02F2101/20 , C02F2101/22
摘要：一種用於移除廢水中有害物質之無機材料，其包含具有玻璃相結構之複數多孔性矽酸鹽粒子。該多孔性矽酸鹽粒子之成分包含氧化矽、氧化鋁、氧化鋇、氧化鍶以及氧化硼，其中，該多孔性矽酸鹽粒子之平均孔徑係介於3至50奈米，以及於pH值介於1至5之環境下，該多孔性矽酸鹽粒子之界達電位為負值。此外，復提供一種用於移除廢水中有害物質之無機材料之製造方法以及廢水處理方法。
简体摘要：一种用于移除废水中有害物质之无机材料，其包含具有玻璃相结构之复数多孔性硅酸盐粒子。该多孔性硅酸盐粒子之成分包含氧化硅、氧化铝、氧化钡、氧化锶以及氧化硼，其中，该多孔性硅酸盐粒子之平均孔径系介于3至50奈米，以及于pH值介于1至5之环境下，该多孔性硅酸盐粒子之界达电位为负值。此外，复提供一种用于移除废水中有害物质之无机材料之制造方法以及废水处理方法。

4. 发明专利

TW201620990A 改質聚合物及包含其之組合物审中-公开
简体标题：改质聚合物及包含其之组合物
公开(公告)号：TW201620990A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103142961
申请日：2014-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 碁達科技股份有限公司 , GTA ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：鄭建賢 , CHENG, CHIEN HSIEN , 金志龍 , CHIN, CHIH LUNG , 蔡正國 , TSAI, CHENG KUO , 陳威宏 , CHEN, WEI HONG , 劉仕賢 , LIU, SHIH HSIEN , 鄭功龍 , CHENG, KUNG LUNG , 蔡永基 , TSAI, YUNG CHI
IPC分类号： C08L79/08 , C08G73/10 , C08F8/00 , G03F7/004
摘要：本發明提供一種改質聚合物及包含其之組合物。該改質聚合物包含以下步驟所得之產物：將一第一單體、一第二單體、及一第三單體進行聚合，得到一聚合物；以及，將該聚合物依序與一第一化合物及一第二化合物反應，得到該改質聚合物，其中該第一單體具有式(I)所示結構、該第二單體具有式(II)所示結構、該第三單體具有式(III)所示結構、該第一化合物具有式(IV)所示結構、以及該第二化合物具有式(V)所示結構其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、氟、或C1-6烷基；R4係C1-6烷基；X及Y係各自獨立為氯、溴、或碘；以及，n係1-15。
简体摘要：本发明提供一种改质聚合物及包含其之组合物。该改质聚合物包含以下步骤所得之产物：将一第一单体、一第二单体、及一第三单体进行聚合，得到一聚合物；以及，将该聚合物依序与一第一化合物及一第二化合物反应，得到该改质聚合物，其中该第一单体具有式(I)所示结构、该第二单体具有式(II)所示结构、该第三单体具有式(III)所示结构、该第一化合物具有式(IV)所示结构、以及该第二化合物具有式(V)所示结构其中，R1、R2、及R3系各自独立为氢、氟、或C1-6烷基；R4系C1-6烷基；X及Y系各自独立为氯、溴、或碘；以及，n系1-15。

5. 发明专利

TWI534204B 改質聚合物及包含其之組合物有权
简体标题：改质聚合物及包含其之组合物
公开(公告)号：TWI534204B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103142961
申请日：2014-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 碁達科技股份有限公司 , GTA ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：鄭建賢 , CHENG, CHIEN HSIEN , 金志龍 , CHIN, CHIH LUNG , 蔡正國 , TSAI, CHENG KUO , 陳威宏 , CHEN, WEI HONG , 劉仕賢 , LIU, SHIH HSIEN , 鄭功龍 , CHENG, KUNG LUNG , 蔡永基 , TSAI, YUNG CHI
IPC分类号： C08L79/08 , C08G73/10 , C08F8/00 , G03F7/004

6. 发明专利

TWI375587B 回收廢棄面板中液晶之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING LIQUID CRYSTAL OF WASTE PANELS 有权
简体标题：回收废弃皮肤中液晶之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING LIQUID CRYSTAL OF WASTE PANELS
公开(公告)号：TWI375587B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW098125319
申请日：2009-07-28
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：洪煥毅 , 呂健瑋 , 廖婉君 , 蔡正國 , 戴賢輝 , 盧正權 , 鄭功龍 , 陳哲陽
IPC分类号： B01D , B09B , G02F
摘要：本發明提供一種回收廢棄面板中液晶之方法，包括(i)碎裂廢棄面板後，以溶劑浸泡碎裂之廢棄面板，使溶劑溶解碎裂之廢棄面板中的液晶及封裝材料以形成萃取液；(ii)冷卻該萃取液以降低封裝材料溶解度，使該封裝材料容易經由過濾吸附加以去除；(iii)加熱萃取液使溶劑形成蒸氣並冷凝形成回收溶劑；(iv)以回收溶劑浸泡碎裂之廢棄面板，形成萃取液；以及(v)重複步驟(ii)至(iv)直到面板中之液晶皆溶解於萃取液，再將溶劑去除以得到一回收液晶。本發明亦提供一種回收裝置以進行上述步驟，回收液晶所含之溶劑極少，雜質所含比例極低，且回收效率高達95%以上。
简体摘要：本发明提供一种回收废弃皮肤中液晶之方法，包括(i)碎裂废弃皮肤后，以溶剂浸泡碎裂之废弃皮肤，使溶剂溶解碎裂之废弃皮肤中的液晶及封装材料以形成萃取液；(ii)冷却该萃取液以降低封装材料溶解度，使该封装材料容易经由过滤吸附加以去除；(iii)加热萃取液使溶剂形成蒸气并冷凝形成回收溶剂；(iv)以回收溶剂浸泡碎裂之废弃皮肤，形成萃取液；以及(v)重复步骤(ii)至(iv)直到皮肤中之液晶皆溶解于萃取液，再将溶剂去除以得到一回收液晶。本发明亦提供一种回收设备以进行上述步骤，回收液晶所含之溶剂极少，杂质所含比例极低，且回收效率高达95%以上。

7. 发明专利

TW201006541A 回收廢棄面板中液晶之方法及裝置 METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING LIQUID CRYSTAL OF WASTE PANELS 审中-公开
简体标题：回收废弃皮肤中液晶之方法及设备 METHOD AND DEVICE FOR RECOVERING LIQUID CRYSTAL OF WASTE PANELS
公开(公告)号：TW201006541A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098125319
申请日：2009-07-28
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：洪煥毅 , 呂健瑋 , 廖婉君 , 蔡正國 , 戴賢輝 , 盧正權 , 鄭功龍 , 陳哲陽
IPC分类号： B01D , B09B , G02F
摘要：本發明提供一種回收廢棄面板中液晶之方法，包括(i)碎裂廢棄面板後，以溶劑浸泡碎裂之廢棄面板，使溶劑溶解碎裂之廢棄面板中的液晶及封裝材料以形成萃取液；(ii)冷卻該萃取液以降低封裝材料溶解度，使該封裝材料容易經由過濾吸附加以去除；(iii)加熱萃取液使溶劑形成蒸氣並冷凝形成回收溶劑；(iv)以回收溶劑浸泡碎裂之廢棄面板，形成萃取液；以及(v)重複步驟(ii)至(iv)直到面板中之液晶皆溶解於萃取液，再將溶劑去除以得到一回收液晶。本發明亦提供一種回收裝置以進行上述步驟，回收液晶所含之溶劑極少，雜質所含比例極低，且回收效率高達95％以上。
简体摘要：本发明提供一种回收废弃皮肤中液晶之方法，包括(i)碎裂废弃皮肤后，以溶剂浸泡碎裂之废弃皮肤，使溶剂溶解碎裂之废弃皮肤中的液晶及封装材料以形成萃取液；(ii)冷却该萃取液以降低封装材料溶解度，使该封装材料容易经由过滤吸附加以去除；(iii)加热萃取液使溶剂形成蒸气并冷凝形成回收溶剂；(iv)以回收溶剂浸泡碎裂之废弃皮肤，形成萃取液；以及(v)重复步骤(ii)至(iv)直到皮肤中之液晶皆溶解于萃取液，再将溶剂去除以得到一回收液晶。本发明亦提供一种回收设备以进行上述步骤，回收液晶所含之溶剂极少，杂质所含比例极低，且回收效率高达95％以上。

8. 发明专利

TW201223615A 配向溶液之純化方法及純化裝置 METHOD AND DEVICE FOR RECYCLING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT SOLUTION 审中-公开
简体标题：配向溶液之纯化方法及纯化设备 METHOD AND DEVICE FOR RECYCLING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT SOLUTION
公开(公告)号：TW201223615A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099143452
申请日：2010-12-13
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡正國 , 洪煥毅 , 陳哲陽 , 許宗洲 , 蔡佳霖
IPC分类号： B01D , G02F
CPC分类号： Y02P20/143 , Y02W30/70 , Y02W30/701
摘要：本發明係提供一種高效率之配向溶液之純化方法，包含提供一液晶顯示器之配向溶液，其中此配向溶液至少包含(a)聚亞醯胺或其前驅物、(b)配向溶劑、(c)添加劑及(d)水及金屬離子至少其一；加入一共沸溶劑至此配向溶液中，並以共沸（co-evaporation）同時去除此配向溶液中的水及此共沸溶劑；以及以一過濾材過濾此配向溶液，得到一經純化之配向溶液，其中此過濾材包含一吸附劑及一濾膜，且此吸附劑至少包含高純度氧化鋁或矽酸鋁化合物或其之組合。此外，本發明亦提供一種配向溶液之純化裝置。
简体摘要：本发明系提供一种高效率之配向溶液之纯化方法，包含提供一液晶显示器之配向溶液，其中此配向溶液至少包含(a)聚亚酰胺或其前驱物、(b)配向溶剂、(c)添加剂及(d)水及金属离子至少其一；加入一共沸溶剂至此配向溶液中，并以共沸（co-evaporation）同时去除此配向溶液中的水及此共沸溶剂；以及以一过滤材过滤此配向溶液，得到一经纯化之配向溶液，其中此过滤材包含一吸附剂及一滤膜，且此吸附剂至少包含高纯度氧化铝或硅酸铝化合物或其之组合。此外，本发明亦提供一种配向溶液之纯化设备。

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