专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201904065A 歐姆接觸結構及具有此歐姆接觸結構之半導體元件审中-公开
简体标题：欧姆接触结构及具有此欧姆接触结构之半导体组件
公开(公告)号：TW201904065A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106117919
申请日：2017-05-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：劉學興 , LIU, HSUEH-HSING , 何漢傑 , HO, HAN-CHIEH , 傅毅耕 , FU, YI-KENG
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/45 , H01L29/778
摘要：一種歐姆接觸結構，包括半導體層、遮罩層、磊晶層及電極層。半導體層具有設置面。遮罩層具有第一側、第二側及多個通孔，其中第一側結合於設置面，第二側背向設置面，通孔由第二側延伸至第一側。磊晶層位於設置面上，具有多個微結構，磊晶層覆蓋這些通孔且透過各通孔連接半導體層之設置面。電極層位於磊晶層上，且與磊晶層的這些微結構的表面相連接。
简体摘要：一种欧姆接触结构，包括半导体层、遮罩层、磊晶层及电极层。半导体层具有设置面。遮罩层具有第一侧、第二侧及多个通孔，其中第一侧结合于设置面，第二侧背向设置面，通孔由第二侧延伸至第一侧。磊晶层位于设置面上，具有多个微结构，磊晶层覆盖这些通孔且透过各通孔连接半导体层之设置面。电极层位于磊晶层上，且与磊晶层的这些微结构的表面相连接。

2. 发明专利

TW201807374A 一種薄膜曲率量測裝置及其方法审中-公开
简体标题：一种薄膜曲率量测设备及其方法
公开(公告)号：TW201807374A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105126574
申请日：2016-08-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳宗德 , CHEN, TZUNG TE , 劉學興 , LIU, HSUEH HSING , 朱峻汶 , CHU, CHUN WEN , 傅毅耕 , FU, YI KENG
IPC分类号： G01B11/24
CPC分类号： G01N21/8422 , G01B11/24 , G01N2021/8427 , H01L22/12
摘要：一種薄膜曲率量測裝置，適用於量測薄膜的曲率，包含發光模組、第一光學模組、第二光學模組、第三光學模組與影像分析模組。發光模組發射單一雷射作為入射光。入射光傳播於第一光學模組形成的第一光學路徑，並經第二光學模組引導經第二光學路徑入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先傳播於第二光學路徑，再經第三光學模組引導沿第三光學路徑傳播，並被影像分析模組根據反射光的特徵，判斷出薄膜的曲率。
简体摘要：一种薄膜曲率量测设备，适用于量测薄膜的曲率，包含发光模块、第一光学模块、第二光学模块、第三光学模块与影像分析模块。发光模块发射单一激光作为入射光。入射光传播于第一光学模块形成的第一光学路径，并经第二光学模块引导经第二光学路径入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先传播于第二光学路径，再经第三光学模块引导沿第三光学路径传播，并被影像分析模块根据反射光的特征，判断出薄膜的曲率。

3. 发明专利

TWI549317B 發光二極體有权
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TWI549317B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW102103818
申请日：2013-01-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：傅毅耕 , FU, YI KENG
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/06

4. 发明专利

TW201621267A 薄膜曲率量測裝置及其方法审中-公开
简体标题：薄膜曲率量测设备及其方法
公开(公告)号：TW201621267A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143575
申请日：2014-12-12
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳宗德 , CHEN, TZUNG TE , 王建評 , WANG, CHIEN PING , 殷尙彬 , YING, SHANG PING , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH , 周佩廷 , CHOU,PEI-TING
IPC分类号： G01B11/25
CPC分类号： G01B11/2513 , G01B11/255
摘要：一種薄膜曲率量測裝置，適用於量測薄膜的曲率，包含發光模組、第一光學模組、第二光學模組、第三光學模組、影像擷取模組與影像分析模組。發光模組發射至少一線雷射作為入射光，入射光的截面係由直線形成的幾何圖形。入射光傳播於第一光學模組形成的第一光學路徑，並經第二光學模組引導經第二光學路徑入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先傳播於第二光學路徑，再經第三光學模組引導沿第三光學路徑傳播，並被影像擷取模組擷取。影像分析模組根據反射光的特徵，判斷出薄膜的曲率。
简体摘要：一种薄膜曲率量测设备，适用于量测薄膜的曲率，包含发光模块、第一光学模块、第二光学模块、第三光学模块、影像截取模块与影像分析模块。发光模块发射至少一线激光作为入射光，入射光的截面系由直线形成的几何图形。入射光传播于第一光学模块形成的第一光学路径，并经第二光学模块引导经第二光学路径入射薄膜。薄膜反射所形成的反射光先传播于第二光学路径，再经第三光学模块引导沿第三光学路径传播，并被影像截取模块截取。影像分析模块根据反射光的特征，判断出薄膜的曲率。

5. 发明专利

TW201419571A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201419571A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102141671
申请日：2013-11-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：傅毅耕 , FU, YI KENG , 宣融 , XUAN, RONG , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/12
CPC分类号： H01L33/642 , H01L33/002 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/22 , Y10T428/24562
摘要：一種發光二極體裝置，其包括載體、p型半導體層及n型半導體層、主動層、第一電極與第二電極。載體具有生長表面及在生長表面上的至少一奈米圖案化結構，其中載體包括基板及配置於基板與n型半導體層之間的半導體披覆層。n型半導體層及p型半導體層位於載體的生長表面之上。主動層位於n型半導體層與p型半導體層之間，其中述主動層發射的光波長λ滿足222 nm≦λ≦405 nm之關係式，且主動層的缺陷密度小於或等於5x1010/cm2。第一電極與第二電極分別連接至n型半導體層及p型半導體層。一種用於承載半導體層的載體亦被提出。
简体摘要：一种发光二极管设备，其包括载体、p型半导体层及n型半导体层、主动层、第一电极与第二电极。载体具有生长表面及在生长表面上的至少一奈米图案化结构，其中载体包括基板及配置于基板与n型半导体层之间的半导体披覆层。n型半导体层及p型半导体层位于载体的生长表面之上。主动层位于n型半导体层与p型半导体层之间，其中述主动层发射的光波长λ满足222 nm≦λ≦405 nm之关系式，且主动层的缺陷密度小于或等于5x1010/cm2。第一电极与第二电极分别连接至n型半导体层及p型半导体层。一种用于承载半导体层的载体亦被提出。

6. 发明专利

TW201415663A 氮化物半導體裝置审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备
公开(公告)号：TW201415663A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101150371
申请日：2012-12-27
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：方彥翔 , FANG, YEN HSIANG , 廖宸梓 , LIAO, CHEN ZI , 宣融 , XUAN, RONG , 呂健賓 , LU, CHIEN PIN , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 胡智威 , HU, CHIH WEI , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/12 , H01L33/025 , H01L33/32
摘要：一種氮化物半導體裝置包括矽基板、成核層、第一緩衝層、第一型的氮化物半導體層、發光層及第二型的氮化物半導體層。成核層配置在矽基板上。第一緩衝層配置在成核層上。第一緩衝層包括摻質與鎵，且摻質的原子半徑大於鎵的原子半徑。第一型的氮化物半導體層配置在第一緩衝層上方。發光層配置在第一型的氮化物半導體層上。第二型的氮化物半導體層配置在發光層上。
简体摘要：一种氮化物半导体设备包括硅基板、成核层、第一缓冲层、第一型的氮化物半导体层、发光层及第二型的氮化物半导体层。成核层配置在硅基板上。第一缓冲层配置在成核层上。第一缓冲层包括掺质与镓，且掺质的原子半径大于镓的原子半径。第一型的氮化物半导体层配置在第一缓冲层上方。发光层配置在第一型的氮化物半导体层上。第二型的氮化物半导体层配置在发光层上。

7. 发明专利

TW201415661A 氮化物半導體裝置审中-公开
简体标题：氮化物半导体设备
公开(公告)号：TW201415661A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101149888
申请日：2012-12-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：方彥翔 , FANG, YEN HSIANG , 廖宸梓 , LIAO, CHEN ZI , 宣融 , XUAN, RONG , 呂健賓 , LU, CHIEN PIN , 傅毅耕 , FU, YI KENG , 胡智威 , HU, CHIH WEI , 劉訓志 , LIU, HSUN CHIH
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/025 , H01L33/32
摘要：一種氮化物半導體裝置包括矽基板、成核層、緩衝層、第一型的氮化物半導體層、發光層及第二型的氮化物半導體層。成核層配置在矽基板上。緩衝層配置在成核層上。第一型的氮化物半導體層配置在緩衝層上。第一型的摻質摻雜於第一型的氮化物半導體層，緩衝層與第一型的氮化物半導體層中至少一者包括共摻質分佈於其中，且共摻質的原子半徑大於第一型的摻質的原子半徑。發光層配置在第一型的氮化物半導體層上。第二型的氮化物半導體層配置在發光層上，第二型的氮化物半導體層包括第二型的摻質。
简体摘要：一种氮化物半导体设备包括硅基板、成核层、缓冲层、第一型的氮化物半导体层、发光层及第二型的氮化物半导体层。成核层配置在硅基板上。缓冲层配置在成核层上。第一型的氮化物半导体层配置在缓冲层上。第一型的掺质掺杂于第一型的氮化物半导体层，缓冲层与第一型的氮化物半导体层中至少一者包括共掺质分布于其中，且共掺质的原子半径大于第一型的掺质的原子半径。发光层配置在第一型的氮化物半导体层上。第二型的氮化物半导体层配置在发光层上，第二型的氮化物半导体层包括第二型的掺质。

8. 发明专利

TW201338196A 發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管
公开(公告)号：TW201338196A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102103818
申请日：2013-01-31
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：傅毅耕 , FU, YI KENG
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/06
摘要：一種發光二極體，包括藍寶石基板、N型半導體層、主動層、P型半導體層、第一電極與第二電極。N型半導體層位於藍寶石基板上。主動層具有缺陷密度為DD的活性區，其中DD≧2x107/cm3，主動層位於N型半導體層與P型半導體層之間。主動層發出之光波長λ為222 nm≦λ≦405 nm，主動層包括i層的量子阻障層及(i-1)層量子井。各量子井於任兩層量子阻障層之間，i為大於等於2的自然數。摻雜N型摻質於量子阻障層中的至少k層，k為大於等於1的自然數，當i為偶數時，k≧i/2，當i為奇數時，k≧(i-1)/2。第一電極與第二電極分別位於N型半導體層與P半導體層上。另提出多種發光二極體。
简体摘要：一种发光二极管，包括蓝宝石基板、N型半导体层、主动层、P型半导体层、第一电极与第二电极。N型半导体层位于蓝宝石基板上。主动层具有缺陷密度为DD的活性区，其中DD≧2x107/cm3，主动层位于N型半导体层与P型半导体层之间。主动层发出之光波长λ为222 nm≦λ≦405 nm，主动层包括i层的量子阻障层及(i-1)层量子井。各量子井于任两层量子阻障层之间，i为大于等于2的自然数。掺杂N型掺质于量子阻障层中的至少k层，k为大于等于1的自然数，当i为偶数时，k≧i/2，当i为奇数时，k≧(i-1)/2。第一电极与第二电极分别位于N型半导体层与P半导体层上。另提出多种发光二极管。

9. 发明专利

TW201825403A 可攜式淨化裝置审中-公开
简体标题：可携式净化设备
公开(公告)号：TW201825403A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106136256
申请日：2017-10-20
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 彰化基督教醫療財團法人彰化基督教醫院 , CHANGHUA CHRISTIAN HOSPITAL
发明人：許鎮鵬 , HSU, CHEN-PENG , 蕭正達 , SHAW, CHENG-DA , 盧建均 , LU, CHIEN-CHUN , 傅毅耕 , FU, YI-KENG , 吳鴻明 , WU, HUNG-MING
IPC分类号： C02F1/32
摘要：一種可攜式淨化裝置，包括一容器、至少一蓋體、一感測組件及一紫外光源。容器具有一容納空間，其中容納空間適於容納一液體。蓋體適於連接於容器以覆蓋容納空間。感測組件配置於蓋體，其中感測組件適於感測蓋體的使用狀態。紫外光源配置於蓋體內且適於發出一紫外光照射至蓋體外，其中紫外光源依據蓋體的使用狀態而開啟或關閉。
简体摘要：一种可携式净化设备，包括一容器、至少一盖体、一传感组件及一紫外光源。容器具有一容纳空间，其中容纳空间适于容纳一液体。盖体适于连接于容器以覆盖容纳空间。传感组件配置于盖体，其中传感组件适于传感盖体的使用状态。紫外光源配置于盖体内且适于发出一紫外光照射至盖体外，其中紫外光源依据盖体的使用状态而打开或关闭。

10. 实用新型

TWM546231U 光源模組及光療裝置有权
简体标题：光源模块及光疗设备
公开(公告)号：TWM546231U
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106205774
申请日：2017-04-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE , 千才科技股份有限公司 , LIVERAGE TECHNOLOGY INC.
发明人：盧建均 , LU, CHIEN-CHUN , 許鎮鵬 , HSU, CHEN-PENG , 傅毅耕 , FU, YI-KENG , 胡鴻烈 , HU, HUNG-LIEH
IPC分类号： A61N5/06

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式