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1. 发明专利

TWI693707B 單曝光高動態範圍感測器有权
简体标题：单曝光高动态范围传感器
公开(公告)号：TWI693707B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107121015
申请日：2018-06-19
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：楊大江 , YANG, DAJIANG , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 毛杜立 , MAO, DULI , 成先富 , CHENG, XIANFU , 王昕 , WANG, XIN , 潘比爾 , PHAN, BILL , 戴戴森 H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/378

2. 发明专利

TWI646841B 用於偵測沒有閃爍之發光二極體之系統及方法有权
简体标题：用于侦测没有闪烁之发光二极管之系统及方法
公开(公告)号：TWI646841B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106117088
申请日：2017-05-24
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬四光 , MA, SIGUANG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 佛勒保德艾伯特 , FOWLER, BOYD ALBERT
IPC分类号： H04N5/345 , H04N1/40

3. 发明专利

TW201810635A 一種多層結構之製造方法审中-公开
简体标题：一种多层结构之制造方法
公开(公告)号：TW201810635A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106131465
申请日：2015-06-25
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：席列克歐瑞奧坤 , CELLEK, ORAY ORKUN
IPC分类号： H01L27/146 , G02B1/10 , B32B3/02
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14687
摘要：一種碎形邊緣薄膜，其包含一材料層且該材料層之周緣的碎形維度超過一，與一碎形維度等於一之薄膜材料層相比，該材料薄膜具有較大之抗剝離性。一種製造一碎形邊緣薄膜之方法，包括決定可被該碎形邊緣薄膜覆蓋之一區域形狀。該方法亦包括依據區域形狀產生一薄膜周緣，該薄膜周緣之碎形維度超過一。該方法亦包括決定一光罩周緣，當使用於一光刻程序時，使得具有該光罩周緣之一光罩產生具有薄膜周緣之一碎形邊緣薄膜。該方法亦可包括光蝕刻一薄膜，該薄膜上設有一光阻層，該光阻層已先經過光罩曝光，於該蝕刻中產生該碎形邊緣薄膜。
简体摘要：一种碎形边缘薄膜，其包含一材料层且该材料层之周缘的碎形维度超过一，与一碎形维度等于一之薄膜材料层相比，该材料薄膜具有较大之抗剥离性。一种制造一碎形边缘薄膜之方法，包括决定可被该碎形边缘薄膜覆盖之一区域形状。该方法亦包括依据区域形状产生一薄膜周缘，该薄膜周缘之碎形维度超过一。该方法亦包括决定一光罩周缘，当使用于一光刻进程时，使得具有该光罩周缘之一光罩产生具有薄膜周缘之一碎形边缘薄膜。该方法亦可包括光蚀刻一薄膜，该薄膜上设有一光阻层，该光阻层已先经过光罩曝光，于该蚀刻中产生该碎形边缘薄膜。

4. 发明专利

TW201605630A 碎形邊緣薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：碎形边缘薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201605630A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104120591
申请日：2015-06-25
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：席列克歐瑞奧坤 , CELLEK, ORAY ORKUN
IPC分类号： B32B3/02 , G02B1/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14687
摘要：一種碎形邊緣薄膜，其包含一材料層且該材料層之周緣的碎形維度超過一，與一碎形維度等於一之薄膜材料層相比，該材料薄膜具有較大之抗剝離性。一種製造一碎形邊緣薄膜之方法，包括決定可被該碎形邊緣薄膜覆蓋之一區域形狀。該方法亦包括依據區域形狀產生一薄膜周緣，該薄膜周緣之碎形維度超過一。該方法亦包括決定一光罩周緣，當使用於一光刻程序時，使得具有該光罩周緣之一光罩產生具有薄膜周緣之一碎形邊緣薄膜。該方法亦可包括光蝕刻一薄膜，該薄膜上設有一光阻層，該光阻層已先經過光罩曝光，於該蝕刻中產生該碎形邊緣薄膜。
简体摘要：一种碎形边缘薄膜，其包含一材料层且该材料层之周缘的碎形维度超过一，与一碎形维度等于一之薄膜材料层相比，该材料薄膜具有较大之抗剥离性。一种制造一碎形边缘薄膜之方法，包括决定可被该碎形边缘薄膜覆盖之一区域形状。该方法亦包括依据区域形状产生一薄膜周缘，该薄膜周缘之碎形维度超过一。该方法亦包括决定一光罩周缘，当使用于一光刻进程时，使得具有该光罩周缘之一光罩产生具有薄膜周缘之一碎形边缘薄膜。该方法亦可包括光蚀刻一薄膜，该薄膜上设有一光阻层，该光阻层已先经过光罩曝光，于该蚀刻中产生该碎形边缘薄膜。

5. 发明专利

TWI643321B 堆疊式影像感測器有权
简体标题：堆栈式影像传感器
公开(公告)号：TWI643321B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106134111
申请日：2017-10-03
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 楊大江 , YANG, DAJIANG
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146

6. 发明专利

TW201826513A 對於每像素具有雙浮動擴散之ＣＭＯＳ影像感測器以用於發光二極體之無閃爍偵測审中-公开
简体标题：对于每像素具有双浮动扩散之ＣＭＯＳ影像传感器以用于发光二极管之无闪烁侦测
公开(公告)号：TW201826513A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106134117
申请日：2017-10-03
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/374 , H04N5/378
摘要：本發明揭示具有減少或消除由高強度照明誘發之閃爍之像素之影像感測器之設備及方法。一例示性影像感測器可包含一光電二極體、一轉移閘極、一抗溢出閘極及第一及第二源極隨耦器電晶體。該光電二極體可擷取光且作為回應產生電荷，且該光電二極體可具有一電荷容量。該轉移閘極可將電荷選擇性地轉移至一第一浮動擴散，且當該產生之電荷大於該光電二極體電荷容量時，該抗溢出閘極可將過量電荷選擇性地轉移至一第二浮動擴散。該第一源極隨耦器電晶體可藉由一閘極直接耦合至該第一浮動擴散，該第一源極隨耦器回應於一第一列選擇電晶體之啟用選擇性地輸出一第一信號至一第一位元線，且該第二源極隨耦器電晶體可電容耦合至該第二浮動擴散，該第二源極隨耦器回應於一第二列選擇電晶體之啟用選擇性地輸出一第二信號至一第二位元線。
简体摘要：本发明揭示具有减少或消除由高强度照明诱发之闪烁之像素之影像传感器之设备及方法。一例示性影像传感器可包含一光电二极管、一转移闸极、一抗溢出闸极及第一及第二源极随耦器晶体管。该光电二极管可截取光且作为回应产生电荷，且该光电二极管可具有一电荷容量。该转移闸极可将电荷选择性地转移至一第一浮动扩散，且当该产生之电荷大于该光电二极管电荷容量时，该抗溢出闸极可将过量电荷选择性地转移至一第二浮动扩散。该第一源极随耦器晶体管可借由一闸极直接耦合至该第一浮动扩散，该第一源极随耦器回应于一第一列选择晶体管之激活选择性地输出一第一信号至一第一比特线，且该第二源极随耦器晶体管可电容耦合至该第二浮动扩散，该第二源极随耦器回应于一第二列选择晶体管之激活选择性地输出一第二信号至一第二比特线。

7. 发明专利

TW201814893A 堆疊式影像感測器审中-公开
简体标题：堆栈式影像传感器
公开(公告)号：TW201814893A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106134111
申请日：2017-10-03
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 楊大江 , YANG, DAJIANG
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H04N5/2355 , H04N5/35563 , H04N5/37457 , H04N5/378
摘要：本發明係關於一種堆疊式影像感測器，其包含第一複數個光二極體(photodiode)，該第一複數個光二極體包含安置於一第一半導體材料中之一第一光二極體及一第二光二極體。該第一半導體材料靠近該第一光二極體處之一厚度小於該第一半導體材料靠近該第二光二極體處之厚度。第二複數個光二極體經安置於一第二半導體材料中。該第二複數個光二極體與該第一複數個光二極體光學對準。一互連層經安置於該第一半導體材料與該第二半導體材料之間。該互連層包含安置於該第二光二極體與包含於該第二複數個光二極體中之一第三光二極體之間的一光學屏蔽件。該光學屏蔽件防止影像光之一第一部分到達該第三光二極體。
简体摘要：本发明系关于一种堆栈式影像传感器，其包含第一复数个光二极管(photodiode)，该第一复数个光二极管包含安置于一第一半导体材料中之一第一光二极管及一第二光二极管。该第一半导体材料靠近该第一光二极管处之一厚度小于该第一半导体材料靠近该第二光二极管处之厚度。第二复数个光二极管经安置于一第二半导体材料中。该第二复数个光二极管与该第一复数个光二极管光学对准。一互连层经安置于该第一半导体材料与该第二半导体材料之间。该互连层包含安置于该第二光二极管与包含于该第二复数个光二极管中之一第三光二极管之间的一光学屏蔽件。该光学屏蔽件防止影像光之一第一部分到达该第三光二极管。

8. 发明专利

TW201801517A 用於偵測沒有閃爍之發光二極體之系統及方法审中-公开
简体标题：用于侦测没有闪烁之发光二极管之系统及方法
公开(公告)号：TW201801517A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106117088
申请日：2017-05-24
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 維拉森崔弗 , WILLASSEN, TRYGVE , 蘇哈斯維喬恩斯 , SOLHUSVIK, JOHANNES , 馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 陳剛 , CHEN, GANG , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 潘比爾 , PHAN, BILL , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 林志強 , LIN, ZHIQIANG , 馬四光 , MA, SIGUANG , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 佛勒保德艾伯特 , FOWLER, BOYD ALBERT
IPC分类号： H04N5/345 , H04N1/40
CPC分类号： H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457
摘要：一種用於偵測沒有閃爍之發光二極體(LED)之影像感測器包含具有像素之一像素陣列。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、雙浮動擴散(DFD)電晶體、及耦合至該DFD電晶體之一電容器。第一子像素包含用於擷取一第一影像電荷之一第一光敏元件、及用於選擇性地將該第一影像電荷自該第一光敏元件轉移至一第一浮動擴散(FD)節點之一第一轉移閘極電晶體。第二子像素包含用於擷取一第二影像電荷之一第二光敏元件、及用於選擇性地將該第二影像電荷自該第二光敏元件轉移至一第二FD節點之一第二轉移閘極電晶體。DFD電晶體耦合至該第一及該第二FD節點。亦描述其他實施例。
简体摘要：一种用于侦测没有闪烁之发光二极管(LED)之影像传感器包含具有像素之一像素数组。各像素包含：包含一第一及一第二子像素之子像素、双浮动扩散(DFD)晶体管、及耦合至该DFD晶体管之一电容器。第一子像素包含用于截取一第一影像电荷之一第一光敏组件、及用于选择性地将该第一影像电荷自该第一光敏组件转移至一第一浮动扩散(FD)节点之一第一转移闸极晶体管。第二子像素包含用于截取一第二影像电荷之一第二光敏组件、及用于选择性地将该第二影像电荷自该第二光敏组件转移至一第二FD节点之一第二转移闸极晶体管。DFD晶体管耦合至该第一及该第二FD节点。亦描述其他实施例。

9. 发明专利

TWI581415B 虛擬高動態範圍大小像素影像感測器有权
简体标题：虚拟高动态范围大小像素影像传感器
公开(公告)号：TWI581415B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105116506
申请日：2016-05-26
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：楊大江 , YANG, DAJIANG , 陳剛 , CHEN, GANG , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 傅振宏 , FU, ZHENHONG , 陸震偉 , LU, CHEN WEI , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴戴森H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14621 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H04N5/35563 , H04N5/374

10. 发明专利

TWI687100B 線性對數影像感測器有权
简体标题：线性对数影像传感器
公开(公告)号：TWI687100B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106125989
申请日：2017-08-02
申请人：美商豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：馬渆圭司 , MABUCHI, KEIJI , 戴戴森 H , TAI, DYSON H. , 席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 毛杜立 , MAO, DULI , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/228 , H01L31/12

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