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1. 发明专利

TWI241786B 直接轉換接收的頻率變換電路,其半導體積體電路及直接轉換接收機 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER 失效
简体标题：直接转换接收的频率变换电路,其半导体集成电路及直接转换接收机 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER
公开(公告)号：TWI241786B
公开(公告)日：2005-10-11
申请号：TW093116770
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：在矽基板上形成高度HB、寬度WB的長方體之凸起部24，而在凸起部24的頂面及側壁面的一部分上閘極氧化膜。在閘極電極26的兩側形成源極和汲極，以形成MOS(金氧半導體)電晶體。以此MOS電晶體構成頻率變換電路及直接轉換的接收電路，依此，可減低在直接轉換接收的頻率變換電路中的I信號和Q的信號之誤差。
简体摘要：在硅基板上形成高度HB、宽度WB的长方体之凸起部24，而在凸起部24的顶面及侧壁面的一部分上闸极氧化膜。在闸极电极26的两侧形成源极和汲极，以形成MOS(金属氧化物半导体)晶体管。以此MOS晶体管构成频率变换电路及直接转换的接收电路，依此，可减低在直接转换接收的频率变换电路中的I信号和Q的信号之误差。

2. 发明专利

TW200511581A MIS電晶體及CMOS電晶體 MIS TRANSISTOR AND CMOS TRANSISTOR 审中-公开
简体标题： MIS晶体管及CMOS晶体管 MIS TRANSISTOR AND CMOS TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200511581A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093116779
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/82385 , H01L29/045
摘要：本發明是以一種半導體基板形成的MIS電晶體(金屬子半導體)為前提，該MIS電晶體具有：半導體基板(702，910)，對於其主面構成有表面至少有二個相異結晶面的凸部(704，910B)；閘極絕緣膜(708，920B)，於構成前述凸部之表面的至少有二個相異結晶面的各面，至少將其一部份予以覆蓋形成者；閘極電極(706，930B)，其經由前述閘極絕緣膜，於構成前述凸部之表面的至少二個相異結晶面的各面處形成者；及同一導電型擴散領域(710a，710b，910c，910d)，係被形成於前述至少有二個相異結晶面的前述凸部中，且於前述閘極電極之兩側處者。依據這樣的構成，可以抑制元件面積的擴大，增大通道寬度。
简体摘要：本发明是以一种半导体基板形成的MIS晶体管(金属子半导体)为前提，该MIS晶体管具有：半导体基板(702，910)，对于其主面构成有表面至少有二个相异结晶面的凸部(704，910B)；闸极绝缘膜(708，920B)，于构成前述凸部之表面的至少有二个相异结晶面的各面，至少将其一部份予以覆盖形成者；闸极电极(706，930B)，其经由前述闸极绝缘膜，于构成前述凸部之表面的至少二个相异结晶面的各面处形成者；及同一导电型扩散领域(710a，710b，910c，910d)，系被形成于前述至少有二个相异结晶面的前述凸部中，且于前述闸极电极之两侧处者。依据这样的构成，可以抑制组件面积的扩大，增大信道宽度。

3. 发明专利

TW200509560A 直接轉換接收的頻率變換電路,其半導體積體電路及直接轉換接收機 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER 失效
简体标题：直接转换接收的频率变换电路,其半导体集成电路及直接转换接收机 FREQUENCY CONVERSION CIRCUIT FOR DIRECT CONVERSION RECEPTION, SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF AND DIRECT CONVERSION RECEIVER
公开(公告)号：TW200509560A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093116770
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0025 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：在矽基板上形成高度HB、寬度WB的長方體之凸起部24，而在凸起部24的頂面及側壁面的一部分上閘極氧化膜。在閘極電極26的兩側形成源極和汲極，以形成MOS(金氧半導體)電晶體。以此MOS電晶體構成頻率變換電路及直接轉換的接收電路，依此，可減低在直接轉換接收的頻率變換電路中的I信號和Q的信號之誤差。
简体摘要：在硅基板上形成高度HB、宽度WB的长方体之凸起部24，而在凸起部24的顶面及侧壁面的一部分上闸极氧化膜。在闸极电极26的两侧形成源极和汲极，以形成MOS(金属氧化物半导体)晶体管。以此MOS晶体管构成频率变换电路及直接转换的接收电路，依此，可减低在直接转换接收的频率变换电路中的I信号和Q的信号之误差。

4. 发明专利

TW200509557A 混頻電路 MIXER CIRCUIT 审中-公开
简体标题：混频电路 MIXER CIRCUIT
公开(公告)号：TW200509557A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093116772
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：使用一種由p通道MOS(金氧半導體)電晶體(840A)及n通道MOS電晶體(804B)所組成之CMOS(互補金氧半導體)電晶體(800)以構成混頻電路，而上述p通道MOS電晶體或n通道MOS電晶體係包含：至少具兩個晶面的半導體基板(810A、810)；和，形成在該半導體基板上的上述晶面之至少兩面上之閘極絕緣膜(820A)；且，在上述半導體基板中沿著上述閘極絕緣膜所形成的通道之通道寬度，係由分別形成在上述至少兩個結晶面上的通道之各通道寬度的總合所表示者。依此種構成時，可減低在電晶體元件所產生的1／f雜訊、和由於電晶體元件的電特性之不致所產生的輸出信號中之直流偏移量，以及由於通道長度調變效應所引起的信號失真。
简体摘要：使用一种由p信道MOS(金属氧化物半导体)晶体管(840A)及n信道MOS晶体管(804B)所组成之CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管(800)以构成混频电路，而上述p信道MOS晶体管或n信道MOS晶体管系包含：至少具两个晶面的半导体基板(810A、810)；和，形成在该半导体基板上的上述晶面之至少两面上之闸极绝缘膜(820A)；且，在上述半导体基板中沿着上述闸极绝缘膜所形成的信道之信道宽度，系由分别形成在上述至少两个结晶面上的信道之各信道宽度的总合所表示者。依此种构成时，可减低在晶体管组件所产生的1／f噪声、和由于晶体管组件的电特性之不致所产生的输出信号中之直流偏移量，以及由于信道长度调制效应所引起的信号失真。

5. 发明专利

TWI239714B DC放大器及其半導體積體電路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题： DC放大器及其半导体集成电路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI239714B
公开(公告)日：2005-09-11
申请号：TW093116781
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部份處形成閘極氧化膜。閘極電極26之兩側處形成源極及汲極而形成MOS電晶體。由該MOS電晶體構成DC放大器。DC放大器其具有由MOS電晶體61和62所組成的差動放大電路。經由此，可實現高增益的DC放大器。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而形成MOS晶体管。由该MOS晶体管构成DC放大器。DC放大器其具有由MOS晶体管61和62所组成的差动放大电路。经由此，可实现高增益的DC放大器。

6. 发明专利

TW200509522A 低雜訊放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER 失效
简体标题：低噪声放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TW200509522A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093116780
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
摘要：在具MIS電晶體，而要將雜訊抑制在低位準之前提下對所輸入信號加以放大之低雜訊放大器中，上述MIS電晶體係包含：具作為其主面的第1晶面之半導體基板，形成在該半導體基板上並構成為其一部分，具由與上述第1晶面不同的第二晶面所修飾之一對側壁面，和由與上述第2晶面不同的第3晶面所修飾的頂面所構成之半導體構造；以一樣的厚度覆蓋於上述主面和上述側壁面及上述頂面上之閘極絕緣膜；使該閘極絕緣膜介於中間，以連續的覆蓋於上述主面和上述側壁面及上述頂面之閘極電極；及，形成在上述半導體基板中及上述半導體構造中，隔著上述閘極電極的一側及另一側，且，都沿著上述主面及上述側壁面以及上述頂面，以連續的延伸之同一導電型擴散領域者。由此構成時，由低雜訊放大器所加上於輸出信號的1／f雜訊和信號失真可大幅的減低，已不必再設置為了要減低或補償這些所用之電路，而可使設備小型化。
简体摘要：在具MIS晶体管，而要将噪声抑制在低位准之前提下对所输入信号加以放大之低噪声放大器中，上述MIS晶体管系包含：具作为其主面的第1晶面之半导体基板，形成在该半导体基板上并构成为其一部分，具由与上述第1晶面不同的第二晶面所修饰之一对侧壁面，和由与上述第2晶面不同的第3晶面所修饰的顶面所构成之半导体构造；以一样的厚度覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面上之闸极绝缘膜；使该闸极绝缘膜介于中间，以连续的覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面之闸极电极；及，形成在上述半导体基板中及上述半导体构造中，隔着上述闸极电极的一侧及另一侧，且，都沿着上述主面及上述侧壁面以及上述顶面，以连续的延伸之同一导电型扩散领域者。由此构成时，由低噪声放大器所加上于输出信号的1／f噪声和信号失真可大幅的减低，已不必再设置为了要减低或补偿这些所用之电路，而可使设备小型化。

7. 发明专利

TWI242332B 混頻電路 MIXER CIRCUIT 有权
简体标题：混频电路 MIXER CIRCUIT
公开(公告)号：TWI242332B
公开(公告)日：2005-10-21
申请号：TW093116772
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H04B
CPC分类号： H01L29/1033 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L29/045 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D2200/0033 , H03D2200/0047
摘要：使用一種由p通道MOS(金氧半導體)電晶體(840A)及n通道MOS電晶體(804B)所組成之CMOS(互補金氧半導體)電晶體(800)以構成混頻電路，而上述p通道MOS電晶體或n通道MOS電晶體係包含：至少具兩個晶面的半導體基板(810A、810)；和，形成在該半導體基板上的上述晶面之至少兩面上之閘極絕綠膜(820A)；且，在上述半導體基板中沿著上述閘極絕緣膜所形成的通道之通道寬度，係由分別形成在上述至少兩個結晶面上的通道之各通道寬度的總合所表示者。依此種構成時，可減低在電晶體元件所產生的1/f雜訊、和由於電晶體元件的電特性之不致所產生的輸出信號中之直流偏移量，以及由於通道長度調變效應所引起的信號失真。
简体摘要：使用一种由p信道MOS(金属氧化物半导体)晶体管(840A)及n信道MOS晶体管(804B)所组成之CMOS(互补金属氧化物半导体)晶体管(800)以构成混频电路，而上述p信道MOS晶体管或n信道MOS晶体管系包含：至少具两个晶面的半导体基板(810A、810)；和，形成在该半导体基板上的上述晶面之至少两面上之闸极绝绿膜(820A)；且，在上述半导体基板中沿着上述闸极绝缘膜所形成的信道之信道宽度，系由分别形成在上述至少两个结晶面上的信道之各信道宽度的总合所表示者。依此种构成时，可减低在晶体管组件所产生的1/f噪声、和由于晶体管组件的电特性之不致所产生的输出信号中之直流偏移量，以及由于信道长度调制效应所引起的信号失真。

8. 发明专利

TW200503405A DC放大器及其半導體積體電路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题： DC放大器及其半导体集成电路 DC AMPLIFIER AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200503405A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093116781
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092 , H01L29/66795 , H03F3/343 , H03F3/45183 , H03F2200/372
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部份處形成閘極氧化膜。閘極電極26之兩側處形成源極及汲極而形成MOS電晶體。由該MOS電晶體構成DC放大器。DC放大器其具有由MOS電晶體61和62所組成的差動放大電路。經由此，可實現高增益的DC放大器。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部份处形成闸极氧化膜。闸极电极26之两侧处形成源极及汲极而形成MOS晶体管。由该MOS晶体管构成DC放大器。DC放大器其具有由MOS晶体管61和62所组成的差动放大电路。经由此，可实现高增益的DC放大器。

9. 发明专利

TW200501569A 切換式電容器電路及其半導體積體電路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题：切换式电容器电路及其半导体集成电路 SWITCHED CAPACITOR CIRCUIT AND SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200501569A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093116782
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03H
CPC分类号： H01L29/66787 , H01L21/823807 , H01L21/82385 , H01L27/092
摘要：在矽基材上形成高HB、寬WB的直方體狀突出部21，於突出部21的頂面及側壁面的一部分處形成閘極氧化膜，再形成MOS電晶體。如上述所製造之p通道MOS電晶體與n通道MOS電晶體予以並列連接，即構成了切換式電容器電路的開關。經由此，切換式電容器電路的泄放電流、直流偏移皆可減低。
简体摘要：在硅基材上形成高HB、宽WB的直方体状突出部21，于突出部21的顶面及侧壁面的一部分处形成闸极氧化膜，再形成MOS晶体管。如上述所制造之p信道MOS晶体管与n信道MOS晶体管予以并列连接，即构成了切换式电容器电路的开关。经由此，切换式电容器电路的泄放电流、直流偏移皆可减低。

10. 发明专利

TWI279076B 低雜訊放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER 失效
简体标题：低噪声放大器 LOW-NOISE AMPLIFIER
公开(公告)号：TWI279076B
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW093116780
申请日：2004-06-11
申请人：豐田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI , 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD. , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
发明人：西牟田武史 NISHIMUTA, TAKEFUMI , 宮城弘 MIYAGI, HIROSHI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H01L21/82385 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/785 , H03F1/26 , H03F2200/372 , H03G1/0029 , H03G1/007
摘要：在具MIS電晶體，而要將雜訊抑制在低位準之前提下對所輸入信號加以放大之低雜訊放大器中，上述MIS電晶體係包含：具作為其主面的第1晶面之半導體基板，形成在該半導體基板上並構成為其一部分，具由與上述第1晶面不同的第二晶面所修飾之一對側壁面，和由與上述第2晶面不同的第3晶面所修飾的頂面所構成之半導體構造；以一樣的厚度覆蓋於上述主面和上述側壁面及上述頂面上之閘極絕緣膜；使該閘極絕緣膜介於中間，以連續的覆蓋於上述主面和上述側壁面及上述頂面之閘極電極；及，形成在上述半導體基板中及上述半導體構造中，隔著上述閘極電極的一側及另一側，且，都沿著上述主面及上述側壁面以及上述頂面，以連續的延伸之同一導電型擴散領域者。由此構成時，由低雜訊放大器所加上於輸出信號的1/f雜訊和信號失真可大幅的減低，已不必再設置為了要減低或補償這些所用之電路，而可使設備小型化。
简体摘要：在具MIS晶体管，而要将噪声抑制在低位准之前提下对所输入信号加以放大之低噪声放大器中，上述MIS晶体管系包含：具作为其主面的第1晶面之半导体基板，形成在该半导体基板上并构成为其一部分，具由与上述第1晶面不同的第二晶面所修饰之一对侧壁面，和由与上述第2晶面不同的第3晶面所修饰的顶面所构成之半导体构造；以一样的厚度覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面上之闸极绝缘膜；使该闸极绝缘膜介于中间，以连续的覆盖于上述主面和上述侧壁面及上述顶面之闸极电极；及，形成在上述半导体基板中及上述半导体构造中，隔着上述闸极电极的一侧及另一侧，且，都沿着上述主面及上述侧壁面以及上述顶面，以连续的延伸之同一导电型扩散领域者。由此构成时，由低噪声放大器所加上于输出信号的1/f噪声和信号失真可大幅的减低，已不必再设置为了要减低或补偿这些所用之电路，而可使设备小型化。

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