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    • 1. 发明专利
    • CMOS電晶體 CMOS TRANSISTOR
    • CMOS晶体管 CMOS TRANSISTOR
    • TWI331399B
    • 2010-10-01
    • TW093116779
    • 2004-06-11
    • 豐田自動織機股份有限公司新潟精密股份有限公司大見忠弘
    • 西牟田武史宮城弘大見忠弘須川成利寺本章伸
    • H01L
    • H01L29/7851H01L21/823807H01L21/823821H01L21/82385H01L29/045
    • 本發明是以一種形成於半導體基板的MIS電晶體(金屬絕緣半導體)為前提,該MIS電晶體具有:半導體基板(702,910),對於其主面構成有表面至少有二個相異結晶面的凸部(704,910B);閘極絕緣膜(708,920B),於構成前述凸部之表面的至少有二個相異結晶面的各面,至少將其一部份予以覆蓋形成者;閘極電極(706,930B),其隔著前述閘極絕緣膜,於構成前述凸部之表面的至少二個相異結晶面的各面處形成者;及汲極和源極區域(710a,710b,910c,910d),係被形成於前述至少有二個相異結晶面的前述凸部中,且於前述閘極電極之兩側處者。依據這樣的構成,可以抑制元件面積的擴大,增大通道寬度。
    • 本发明是以一种形成于半导体基板的MIS晶体管(金属绝缘半导体)为前提,该MIS晶体管具有:半导体基板(702,910),对于其主面构成有表面至少有二个相异结晶面的凸部(704,910B);闸极绝缘膜(708,920B),于构成前述凸部之表面的至少有二个相异结晶面的各面,至少将其一部份予以覆盖形成者;闸极电极(706,930B),其隔着前述闸极绝缘膜,于构成前述凸部之表面的至少二个相异结晶面的各面处形成者;及汲极和源极区域(710a,710b,910c,910d),系被形成于前述至少有二个相异结晶面的前述凸部中,且于前述闸极电极之两侧处者。依据这样的构成,可以抑制组件面积的扩大,增大信道宽度。
    • 3. 发明专利
    • 自動增益控制裝置
    • 自动增益控制设备
    • TW200518450A
    • 2005-06-01
    • TW093120358
    • 2004-07-07
    • 新潟精密股份有限公司 NIIGATA SEIMITSU CO., LTD.
    • 池田毅宮城弘
    • H03G
    • H03G3/3052
    • 分別依寬頻、中頻、窄頻各自檢測收訊訊號的位準並轉換為數位訊號,DSP18便根據各波段的訊號位準,決定能否進行LNA3與衰減器4的增益調整、以及決定增益調整量,藉此例如即便寬頻、中頻的訊號位準大於既定值的情況下,富含期待收訊頻率的窄便訊號位準並未大於既定值之時,便將形成不致執行增益調整的狀態。此外,當窄頻的訊號位準大於既定值,且超過可利用衰減器4進行增益調整的極限位準之時,便可將依衰減器4所產生的增益調整量維持於極限位準附近,且調整LNA3增益將整體增益大幅降低。
    • 分别依宽带、中频、窄频各自检测收讯信号的位准并转换为数码信号,DSP18便根据各波段的信号位准,决定能否进行LNA3与衰减器4的增益调整、以及决定增益调整量,借此例如即便宽带、中频的信号位准大于既定值的情况下,富含期待收讯频率的窄便信号位准并未大于既定值之时,便将形成不致运行增益调整的状态。此外,当窄频的信号位准大于既定值,且超过可利用衰减器4进行增益调整的极限位准之时,便可将依衰减器4所产生的增益调整量维持于极限位准附近,且调整LNA3增益将整体增益大幅降低。
    • 4. 发明专利
    • 電源電路
    • 电源电路
    • TW567667B
    • 2003-12-21
    • TW091116890
    • 2002-07-29
    • 新潟精密股份有限公司
    • 宮城弘
    • H03KG05F
    • G05F3/262
    • 本發明之目的在於提供一種可減少產生定電壓與定電流時之耗損功率同時縮小電路規模之電源電路。電源電路(10)包含有FET(20~23、30、40、42)、電阻(50)、及輸出緩衝器(60)而構成。其中,FET(20、30、40、42)、電阻(50)、及輸出緩衝器(60)構成定電壓源。又,FET(20~23、30、40、42)及電阻(50)構成定電流源。且為產生1種定電壓與3種定電流,而使必要之結構共通化。
    • 本发明之目的在于提供一种可减少产生定电压与定电流时之耗损功率同时缩小电路规模之电源电路。电源电路(10)包含有FET(20~23、30、40、42)、电阻(50)、及输出缓冲器(60)而构成。其中,FET(20、30、40、42)、电阻(50)、及输出缓冲器(60)构成定电压源。又,FET(20~23、30、40、42)及电阻(50)构成定电流源。且为产生1种定电压与3种定电流,而使必要之结构共通化。
    • 5. 发明专利
    • 使用耳機之天線的切換裝置
    • 使用耳机之天线的切换设备
    • TW561728B
    • 2003-11-11
    • TW091107491
    • 2002-04-12
    • 新潟精密股份有限公司
    • 池田毅宮城弘
    • H04B
    • H04B7/0814
    • 本發明是在於提供一種使用耳機之天線的切換裝置。
      其解決手段為設備:
      一收訊不良檢出部9;該收訊不良檢出部9是供以檢測出收訊不良的發生;及
      一天線開關8;該天線開關8是供以在每次檢測出收訊不良發生時,電氣性切換連接至立體聲輸出用所設置的兩條耳機線11a,11b的其中之一。
      當利用一方的耳機線來作為天線時,若發生收訊不良,則會藉由進行切換至另一方的耳機線來使發生收訊不良時的天線收訊狀況變化,而使能夠迴避收訊不良的發生。
    • 本发明是在于提供一种使用耳机之天线的切换设备。 其解决手段为设备: 一收讯不良检出部9;该收讯不良检出部9是供以检测出收讯不良的发生;及 一天线开关8;该天线开关8是供以在每次检测出收讯不良发生时,电气性切换连接至三維声输出用所设置的两条耳机线11a,11b的其中之一。 当利用一方的耳机线来作为天线时,若发生收讯不良,则会借由进行切换至另一方的耳机线来使发生收讯不良时的天线收讯状况变化,而使能够回避收讯不良的发生。
    • 6. 发明专利
    • 接收機(一)
    • 接收机(一)
    • TW561702B
    • 2003-11-11
    • TW091114088
    • 2002-06-26
    • 新潟精密股份有限公司
    • 宮城弘
    • H04B
    • H04B1/28
    • 本發明之目的在於提供一種接收機,其係可減少來自水晶振子之雜音潛洩者。使用以構成接收機之類比電路(20)、振盪器(30)、邏輯電路(32)及電源電路(34)形成為單一晶片零件(10)。電源電路(34)係產生2種工作電壓,且對類比電路(20)供給第1工作電壓,而對振盪器(30)與邏輯電路(32)則供給低於該第1工作電壓之第2工作電壓。
    • 本发明之目的在于提供一种接收机,其系可减少来自水晶振子之杂音潜泄者。使用以构成接收机之模拟电路(20)、振荡器(30)、逻辑电路(32)及电源电路(34)形成为单一芯片零件(10)。电源电路(34)系产生2种工作电压,且对模拟电路(20)供给第1工作电压,而对振荡器(30)与逻辑电路(32)则供给低于该第1工作电压之第2工作电压。
    • 8. 发明专利
    • 信號處理裝置及使用此信號處理裝置之電子機器
    • 信号处理设备及使用此信号处理设备之电子机器
    • TW566038B
    • 2003-12-11
    • TW090119915
    • 2001-08-14
    • 新潟精密股份有限公司
    • 池田毅宮城弘
    • H04BH04N
    • H04B1/28H04B1/18H04N5/64H05K1/18
    • 本發明係關於一種信號處理裝置及使用此信號處理裝置之電子機器,係對從上述連接器2所輸入之高頻信號實行預定之處理之結果,輸出對應於所希望接收頻率之中頻信號之調諧器部3,及對從上述調諧器部3所輸出之中頻信號實行預定之處理用之其他電路4,5安裝在同一個印刷電路基板1上時,將調諧器部3配置在上述連接器2之附近,其他之電路4,5離開連接器2而配置,藉以抑制因從連接器2輸入之高頻信號而放出之不必要的電磁場影響到調諧器部3以外之電路4,5所引起之雜音障礙及振盪之缺點,以便不必設置電磁的屏蔽的結果,可將複數個電路3~5以高密度地安裝在同一個印刷電路基板1上者。(P-1)
    • 本发明系关于一种信号处理设备及使用此信号处理设备之电子机器,系对从上述连接器2所输入之高频信号实行预定之处理之结果,输出对应于所希望接收频率之中频信号之调谐器部3,及对从上述调谐器部3所输出之中频信号实行预定之处理用之其他电路4,5安装在同一个印刷电路基板1上时,将调谐器部3配置在上述连接器2之附近,其他之电路4,5离开连接器2而配置,借以抑制因从连接器2输入之高频信号而放出之不必要的电磁场影响到调谐器部3以外之电路4,5所引起之杂音障碍及振荡之缺点,以便不必设置电磁的屏蔽的结果,可将复数个电路3~5以高密度地安装在同一个印刷电路基板1上者。(P-1)