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    • 1. 发明专利
    • ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
    • 干蚀设备和干蚀刻方法
    • JP2015130427A
    • 2015-07-16
    • JP2014001705
    • 2014-01-08
    • 豊田合成株式会社
    • 卜部 友二山野 直樹
    • H05H1/46H01L21/3065
    • 【課題】ドライエッチングにおいて、温暖化係数の低いエッチングガスの使用、ならびに設備および工程の簡略化を図る。 【解決手段】基板S上の絶縁膜20に対してドライエッチングを行う。(a)CH 4 とCOF 2 を含む第1種の混合ガスを用いて、絶縁膜20のうちレジストマスク10に覆われていない部分をエッチングする第1の工程S100を実行する。第1種の混合ガスにおいて、COF 2 に対するCH 4 の混合比が0.60より低い。(b)CH 4 とCOF 2 を含む第2種の混合ガスを用いて、エッチングされた絶縁膜20の側壁23に保護膜44を形成する第2の工程S200を実行する。第2種の混合ガスにおいて、COF 2 に対するCH 4 の混合比が0.60より高い。(c)第1の工程S100と第2の工程S200を繰り返す(S300)。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:在干蚀刻中使用具有低全球变暖系数的蚀刻气体,并简化设备和工艺。解决方案:将衬底S上的绝缘膜20进行干蚀刻。 进行以下步骤:(a)通过使用包含CH和COF的第一混合气体来蚀刻未被抗蚀剂掩模10覆盖的绝缘膜20的一部分的第一步骤S100,其中CH至COF的混合比在第一 混合气体小于0.60; (b)第二步骤S200,通过使用包含CH和COF的第二混合气体,在第二混合气体中的CH至COF的混合比高于0.60,在蚀刻绝缘膜20的侧壁23上形成保护膜44 ; 和(c)(S300)重复第一步骤S100和第二步骤S200。