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1. 发明专利

TWI594259B 記憶體儲存裝置及其電源管理方法有权
简体标题：内存存储设备及其电源管理方法
公开(公告)号：TWI594259B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105114852
申请日：2016-05-13
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：周志楊 , CHEW, ZEH-YANG , 李首志 , LEE, SHOU-CHIH , 謝博鈞 , HSIEH, PO-CHUN , 陳耘頡 , CHEN, YUN-CHIEH , 蔡翼鍾 , TSAI, I-CHUNG
IPC分类号： G11C5/14 , G06F3/06
CPC分类号： G06F1/30 , G06F1/263 , G06F1/3203 , G06F1/3275 , G11C5/14 , G11C29/021

2. 发明专利

TWI587145B 通道切換裝置、記憶體儲存裝置及通道切換方法有权
简体标题：信道切换设备、内存存储设备及信道切换方法
公开(公告)号：TWI587145B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105140555
申请日：2016-12-08
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：魏暐庭 , WEI, WEI-TING , 陳維詠 , CHEN, WEI-YUNG , 陳耘頡 , CHEN, YUN-CHIEH , 魏大泉 , WEI, TA-CHUAN
IPC分类号： G06F13/16
CPC分类号： G06F13/4022 , G06F13/4282

3. 发明专利

TWI487453B 多層印刷電路板結構、連接器模組及記憶體儲存裝置有权
简体标题：多层印刷电路板结构、连接器模块及内存存储设备
公开(公告)号：TWI487453B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103114229
申请日：2014-04-18
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH , 林士恭 , LIN, SHIH KUNG , 魏大泉 , WEI, TA CHUAN , 游祥雄 , YU, HSIANG HSIUNG
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/10
CPC分类号： H05K1/0219 , H01L23/14 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01R13/6594 , H01R13/6658 , H01R24/62 , H05K1/0224 , H05K1/0225 , H05K1/0227 , H05K3/46 , H05K2201/0723 , H01L2924/00

4. 发明专利

TWI406370B 微型快閃記憶體儲存裝置有权
简体标题：微型闪存存储设备
公开(公告)号：TWI406370B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW098111461
申请日：2009-04-06
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林祐鋒 , LIN, YU FONG , 鍾弘毅 , CHUNG, HUNG YI , 林諭棟 , LIN, YU TONG , 陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH
IPC分类号： H01L23/48 , G11C5/06 , G06F13/40
CPC分类号： G06K19/07743 , G06K19/07732 , G06K19/07735 , G11C16/06

5. 发明专利

TWI385925B 振盪電路及其驅動電路與驅動方法有权
简体标题：振荡电路及其驱动电路与驱动方法
公开(公告)号：TWI385925B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW098112684
申请日：2009-04-16
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：林諭棟 , LIN, YU TONG , 陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH
IPC分类号： H03K3/027
CPC分类号： H03L3/00 , H03K3/0307

6. 发明专利

TW201740373A 記憶體儲存裝置及其電源管理方法审中-公开
简体标题：内存存储设备及其电源管理方法
公开(公告)号：TW201740373A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105114852
申请日：2016-05-13
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：周志楊 , CHEW, ZEH-YANG , 李首志 , LEE, SHOU-CHIH , 謝博鈞 , HSIEH, PO-CHUN , 陳耘頡 , CHEN, YUN-CHIEH , 蔡翼鍾 , TSAI, I-CHUNG
IPC分类号： G11C5/14 , G06F3/06
CPC分类号： G06F1/30 , G06F1/263 , G06F1/3203 , G06F1/3275 , G11C5/14 , G11C29/021
摘要：一種記憶體儲存裝置，其包括可複寫式非揮發性記憶體模組、第一與第二連接介面單元、電源管理電路與記憶體控制電路單元。當外部電源供應裝置電性連接至第二連接介面單元時，電源管理電路經由第二連接介面單元從外部電源供應裝置接收第二電源供應電壓並供應運作電壓給記憶體控制電路單元與可複寫式非揮發性記憶體模組，同時提供第二電源供應電壓給主機裝置。當第二連接介面與外部電源供應裝置電性斷接時，電源管理電路經由第一連接介面單元從主機裝置接收第一電源供應電壓並供應運作電壓給記憶體控制電路單元與可複寫式非揮發性記憶體模組。
简体摘要：一种内存存储设备，其包括可复写式非挥发性内存模块、第一与第二连接界面单元、电源管理电路与内存控制电路单元。当外部电源供应设备电性连接至第二连接界面单元时，电源管理电路经由第二连接界面单元从外部电源供应设备接收第二电源供应电压并供应运作电压给内存控制电路单元与可复写式非挥发性内存模块，同时提供第二电源供应电压给主机设备。当第二连接界面与外部电源供应设备电性断接时，电源管理电路经由第一连接界面单元从主机设备接收第一电源供应电压并供应运作电压给内存控制电路单元与可复写式非挥发性内存模块。

7. 发明专利

TWI521538B 非揮發性記憶體儲存裝置、記憶體控制器與資料儲存方法有权
简体标题：非挥发性内存存储设备、内存控制器与数据存储方法
公开(公告)号：TWI521538B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW103114529
申请日：2010-10-08
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：游祥雄 , YU, HSIANG HSIUNG , 魏大泉 , WEI, TA CHUAN , 陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH , 沈育仲 , SHEN, YU CHUNG
IPC分类号： G11C7/10

8. 发明专利

TW201542060A 多層印刷電路板結構、連接器模組及記憶體儲存裝置审中-公开
简体标题：多层印刷电路板结构、连接器模块及内存存储设备
公开(公告)号：TW201542060A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103114229
申请日：2014-04-18
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH , 林士恭 , LIN, SHIH KUNG , 魏大泉 , WEI, TA CHUAN , 游祥雄 , YU, HSIANG HSIUNG
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/10
CPC分类号： H05K1/0219 , H01L23/14 , H01L23/5225 , H01L2924/0002 , H01R13/6594 , H01R13/6658 , H01R24/62 , H05K1/0224 , H05K1/0225 , H05K1/0227 , H05K3/46 , H05K2201/0723 , H01L2924/00
摘要：一種多層印刷電路板結構、連接器模組及記憶體儲存裝置。多層印刷電路板結構包括第一佈線層與第二佈線層。第一佈線層包括遮蔽件與至少一接墊。遮蔽件用以提供一接地電位。第二佈線層相對第一佈線層設置，並且包括至少一導線，其中每一所述導線的一端耦接至所述接墊的其中之一。其中遮蔽件投影到第二佈線層的投影面至少覆蓋一預設比例的所述導線。
简体摘要：一种多层印刷电路板结构、连接器模块及内存存储设备。多层印刷电路板结构包括第一布线层与第二布线层。第一布线层包括屏蔽件与至少一接垫。屏蔽件用以提供一接地电位。第二布线层相对第一布线层设置，并且包括至少一导线，其中每一所述导线的一端耦接至所述接垫的其中之一。其中屏蔽件投影到第二布线层的投影面至少覆盖一默认比例的所述导线。

9. 发明专利

TWI413898B 資料保護方法與系統、儲存裝置及儲存裝置控制器有权
简体标题：数据保护方法与系统、存储设备及存储设备控制器
公开(公告)号：TWI413898B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW098131096
申请日：2009-09-15
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：游祥雄 , YU, HSIANG HSIUNG , 沈育仲 , SHEN, YU CHUNG , 陳耘頡 , CHEN, YUN CHIEH
IPC分类号： G06F12/14
CPC分类号： G11B20/00833 , G06F21/78 , G11B20/00086 , G11B20/00695 , G11B2020/10694 , G11B2020/10759 , G11B2020/10833 , G11B2020/10935 , G11B2020/10944 , G11B2220/17

10. 发明专利

TW201822006A 通道切換裝置、記憶體儲存裝置及通道切換方法审中-公开
简体标题：信道切换设备、内存存储设备及信道切换方法
公开(公告)号：TW201822006A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105140555
申请日：2016-12-08
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：魏暐庭 , WEI, WEI-TING , 陳維詠 , CHEN, WEI-YUNG , 陳耘頡 , CHEN, YUN-CHIEH , 魏大泉 , WEI, TA-CHUAN
IPC分类号： G06F13/16
摘要：一種通道切換裝置、記憶體儲存裝置及通道切換方法。所述通道切換裝置包括訊號分析模組與開關模組。所述訊號分析模組用以分析來自於記憶體儲存裝置的多個連接介面單元中至少一者的非電源訊號。所述開關模組用以根據所述非電源訊號的分析結果導通所述記憶體儲存裝置中耦接至所述多個連接介面單元中的第一連接介面單元的第一通道，其中所導通的第一通道用於從所述第一連接介面單元接收第一輸入訊號或將第一輸出訊號傳送至所述第一連接介面單元。藉此，可降低錯誤地致能或禁能記憶體儲存裝置上特定連接介面的機率。
简体摘要：一种信道切换设备、内存存储设备及信道切换方法。所述信道切换设备包括信号分析模块与开关模块。所述信号分析模块用以分析来自于内存存储设备的多个连接界面单元中至少一者的非电源信号。所述开关模块用以根据所述非电源信号的分析结果导通所述内存存储设备中耦接至所述多个连接界面单元中的第一连接界面单元的第一信道，其中所导通的第一信道用于从所述第一连接界面单元接收第一输入信号或将第一输出信号发送至所述第一连接界面单元。借此，可降低错误地致能或禁能内存存储设备上特定连接界面的概率。

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