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1. 发明专利

TW201842552A 用於ＦＤＳＯＩ之電源軌及ＭＯＬ構造审中-公开
简体标题：用于ＦＤＳＯＩ之电源轨及ＭＯＬ构造
公开(公告)号：TW201842552A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106122520
申请日：2017-07-05
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/84 , H01L29/94 , H01L21/768
摘要：提供在平面電晶體的源極/汲極與局部互連或第一金屬化層電源軌之間的一種電性連接，其包括電性耦合至該源極/汲極的第一接觸區，電性耦合至該第一接觸區及該電晶體之閘極的第二接觸區，以及電性耦合至該局部互連或第一金屬化層電源軌的V0。溝槽矽化物不存在於該電晶體中。也提供一種基於接觸區的電源軌脊柱，其包括第一接觸區，第二接觸區，以及在該第一接觸區上面且電性耦合至該第一接觸區的鄰近V0雙向卡釘，以及在該第二接觸區及該V0雙向卡釘上面且電性耦合至該第二接觸區及該V0雙向卡釘的V0。該電源軌脊柱可被包含於包括數個平面電晶體的半導體結構中，其中該第一接觸區及第二接觸區電性耦合至電晶體的源極/汲極，通孔型閘極接觸也電性耦合至在V0下面的第二接觸區。該第一金屬化層及/或該等接觸區可由具有小於銅之最小面積的非銅重金屬製成。
简体摘要：提供在平面晶体管的源极/汲极与局部互连或第一金属化层电源轨之间的一种电性连接，其包括电性耦合至该源极/汲极的第一接触区，电性耦合至该第一接触区及该晶体管之闸极的第二接触区，以及电性耦合至该局部互连或第一金属化层电源轨的V0。沟槽硅化物不存在于该晶体管中。也提供一种基于接触区的电源轨嵴柱，其包括第一接触区，第二接触区，以及在该第一接触区上面且电性耦合至该第一接触区的邻近V0双向卡钉，以及在该第二接触区及该V0双向卡钉上面且电性耦合至该第二接触区及该V0双向卡钉的V0。该电源轨嵴柱可被包含于包括数个平面晶体管的半导体结构中，其中该第一接触区及第二接触区电性耦合至晶体管的源极/汲极，通孔型闸极接触也电性耦合至在V0下面的第二接触区。该第一金属化层及/或该等接触区可由具有小于铜之最小面积的非铜重金属制成。

2. 发明专利

TWI645536B 用於製造半導體裝置之天線二極體電路有权
简体标题：用于制造半导体设备之天线二极管电路
公开(公告)号：TWI645536B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW105133534
申请日：2016-10-18
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：金友漢 , KIM, JUHAN , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB , 珍納特 , JAIN, NAVNEET , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 金上文 , KIM, SANGMOON
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/861 , H01Q1/00

3. 发明专利

TWI687982B 用於ＦＤＳＯＩ之電源軌及ＭＯＬ構造有权
简体标题：用于ＦＤＳＯＩ之电源轨及ＭＯＬ构造
公开(公告)号：TWI687982B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106122520
申请日：2017-07-05
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/84 , H01L29/94 , H01L21/768

4. 发明专利

TW201725524A 使用絕緣體上覆矽技術之混合叢庫追跡設計的方法、設備及系統审中-公开
简体标题：使用绝缘体上覆硅技术之混合丛库追迹设计的方法、设备及系统
公开(公告)号：TW201725524A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105110006
申请日：2016-03-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB
IPC分类号： G06F17/50 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC分类号： G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/78 , G06F2217/84 , H01L21/84 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1203
摘要：本發明之至少一種方法、設備及系統涉及提供用於製造半導體裝置之設計。在電路布局上置放具有第一寬度之第一功能胞元。判定第一功能胞元之至少一個電晶體是否為順偏或逆偏。在電路布局上相鄰於第一功能胞元置放具有第二寬度之第二功能胞元，用於回應於判定至少一個電晶體是順偏或逆偏，在第一與第二功能胞元之總寬度內提供第一偏壓井。
简体摘要：本发明之至少一种方法、设备及系统涉及提供用于制造半导体设备之设计。在电路布局上置放具有第一宽度之第一功能胞元。判定第一功能胞元之至少一个晶体管是否为顺偏或逆偏。在电路布局上相邻于第一功能胞元置放具有第二宽度之第二功能胞元，用于回应于判定至少一个晶体管是顺偏或逆偏，在第一与第二功能胞元之总宽度内提供第一偏压井。

5. 发明专利

TWI620081B 使用絕緣體上覆矽技術之混合叢庫追跡設計的方法、設備及系統有权
简体标题：使用绝缘体上覆硅技术之混合丛库追迹设计的方法、设备及系统
公开(公告)号：TWI620081B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105110006
申请日：2016-03-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB
IPC分类号： G06F17/50 , H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/12
CPC分类号： G06F17/5072 , G06F17/5077 , G06F17/5081 , G06F2217/78 , G06F2217/84 , H01L21/84 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/1203

6. 发明专利

TWI587451B 半導體熔絲及其製法有权
简体标题：半导体熔丝及其制法
公开(公告)号：TWI587451B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104126811
申请日：2015-08-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：辛格杰高爾 , SINGH, JAGAR , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/525 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , H01L21/823431 , H01L27/0617 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

7. 发明专利

TW201719465A 於ＦＤＳＯＩ技術之使用可調時序電路之方法、設備及系統审中-公开
简体标题：于ＦＤＳＯＩ技术之使用可调时序电路之方法、设备及系统
公开(公告)号：TW201719465A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105120482
申请日：2016-06-29
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB
IPC分类号： G06F17/50 , H03K19/0185 , H03K5/14
CPC分类号： H03K5/14 , G06F17/5036 , G06F17/5045 , G06F17/5068 , G06F17/5081 , G06F2217/84 , H03K5/133 , H03K19/01855 , H03K2005/00019
摘要：本發明所揭露的至少一個方法、設備及系統包含提供用於製造半導體裝置的設計。執行半導體裝置電路設計的操作模型化。界定至少一個電晶體用於提供順向偏壓該電晶體的第一電壓或用於反向偏壓該電晶體的第二電壓其中至少一個。依據界定該至少一個電晶體用於提供該電晶體的順向偏壓的第一電壓或反向偏壓的第二電壓其中至少一個，選擇性提供用於調整關聯該電晶體的時序的延遲。
简体摘要：本发明所揭露的至少一个方法、设备及系统包含提供用于制造半导体设备的设计。运行半导体设备电路设计的操作模型化。界定至少一个晶体管用于提供顺向偏压该晶体管的第一电压或用于反向偏压该晶体管的第二电压其中至少一个。依据界定该至少一个晶体管用于提供该晶体管的顺向偏压的第一电压或反向偏压的第二电压其中至少一个，选择性提供用于调整关联该晶体管的时序的延迟。

8. 发明专利

TW201724463A 用於製造半導體裝置之天線二極體電路审中-公开
简体标题：用于制造半导体设备之天线二极管电路
公开(公告)号：TW201724463A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105133534
申请日：2016-10-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：金友漢 , KIM, JUHAN , 拉漢德馬布 , RASHED, MAHBUB , 珍納特 , JAIN, NAVNEET , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG , 金上文 , KIM, SANGMOON
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/861 , H01Q1/00
CPC分类号： H01L27/0629 , G06F17/5072 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L27/1203 , H01L28/00 , H01L29/6609 , H01L29/786 , H01L29/8611
摘要：本發明揭示至少一種方法、設備及系統，皆關於用於半導體裝置的天線二極體設計。提供操作性耦合至接地節點並耦合至充當隔離的p型阱的p型阱層的第一共用二極體，該隔離的p型阱是在深n型阱區上方形成，該深n型阱區相鄰於半導體裝置中的n型阱。提供在該隔離的p型阱上形成並操作性耦合至該p型阱層且操作性耦合至該半導體裝置的第一信號線的第一天線二極體，用於釋放該第一信號線上的累積電荷。提供在該隔離的p型阱上形成並操作性耦合至該p型阱層且操作性耦合至半導體裝置的第二信號線的第二天線二極體，用於釋放該第二信號線上的累積電荷。
简体摘要：本发明揭示至少一种方法、设备及系统，皆关于用于半导体设备的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共享二极管，该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成，该深n型阱区相邻于半导体设备中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体设备的第一信号线的第一天线二极管，用于释放该第一信号在线的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体设备的第二信号线的第二天线二极管，用于释放该第二信号在线的累积电荷。

9. 发明专利

TW201626505A 半導體熔絲及其製法审中-公开
简体标题：半导体熔丝及其制法
公开(公告)号：TW201626505A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104126811
申请日：2015-08-18
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：辛格杰高爾 , SINGH, JAGAR , 密特爾恩拉 , MITTAL, ANURAG
IPC分类号： H01L21/822 , H01L23/525 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/5256 , G11C17/16 , H01L21/823431 , H01L27/0617 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提出具有磊晶熔絲連接區之半導體熔絲及其製法。該方法包括：製造包含以熔絲連接區電性連接的陽極區和陰極區的半導體熔絲，該製造包括：在該陽極區和該陰極區之間以磊晶方式形成該熔絲連接區，其中該熔絲連接區有助於在該陽極區和該陰極區之間施加編程電流時令該半導體熔絲形成斷路。該半導體熔絲包括：以熔絲連接區電性連接的陽極區和陰極區，其中該熔絲連接區包括磊晶結構且有助於在該陽極區和該陰極區之間施加編程電流時令該半導體熔絲的形成斷路，其中，該磊晶結構係與該半導體熔絲的該陽極區和該陰極區至少部分結晶對準。
简体摘要：本发明提出具有磊晶熔丝连接区之半导体熔丝及其制法。该方法包括：制造包含以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区的半导体熔丝，该制造包括：在该阳极区和该阴极区之间以磊晶方式形成该熔丝连接区，其中该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路。该半导体熔丝包括：以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，其中该熔丝连接区包括磊晶结构且有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝的形成断路，其中，该磊晶结构系与该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区至少部分结晶对准。

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