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1. 发明专利

TWI700388B 用於可流動式CVD的雙遠端電漿源的集成有权
简体标题：用于可流动式CVD的双远程等离子源的集成
公开(公告)号：TWI700388B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106141333
申请日：2017-11-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458

2. 发明专利

TWI669780B 利用佈植的可流動膜性質調諧有权
简体标题：利用布植的可流动膜性质调谐
公开(公告)号：TWI669780B
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：TW104130151
申请日：2015-09-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 薛君 , XUE, JUN , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 陳艾莉卡 , CHEN, ERICA
IPC分类号： H01L21/762

3. 发明专利

TW201836441A 遠端電漿流動性CVD腔室的方法及設備审中-公开
简体标题：远程等离子流动性CVD腔室的方法及设备
公开(公告)号：TW201836441A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105519
申请日：2018-02-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 西蒙斯馬丁傑 , SEAMONS, MARTIN JAY , 波克瑞爾安凱特 , POKHREL, ANKIT , 奇科卡諾夫葛瑞格 , CHICHKANOFF, GREG , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：本案揭露的實施例一般係關於電漿處理系統。電漿處理系統包括處理腔室、腔室陳化系統和遠端電漿清洗系統。處理腔室具有界定處理區域和電漿場的腔室主體。腔室陳化系統耦接到處理腔室。腔室陳化系統經配置而陳化處理區域和電漿場。遠端電漿清洗系統與處理腔室通信。遠端電漿清洗系統經配置清洗處理區域和電漿場。
简体摘要：本案揭露的实施例一般系关于等离子处理系统。等离子处理系统包括处理腔室、腔室陈化系统和远程等离子清洗系统。处理腔室具有界定处理区域和等离子场的腔室主体。腔室陈化系统耦接到处理腔室。腔室陈化系统经配置而陈化处理区域和等离子场。远程等离子清洗系统与处理腔室通信。远程等离子清洗系统经配置清洗处理区域和等离子场。

4. 发明专利

TW201833378A 用於可流動式CVD的雙遠端電漿源的集成审中-公开
简体标题：用于可流动式CVD的双远程等离子源的集成
公开(公告)号：TW201833378A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141333
申请日：2017-11-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬瑩 , MA, YING , 瑞吉戴米恩 , RAJ, DAEMIAN , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 張軼珍 , ZHANG, YIZHEN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458
摘要：本文中描述的實現方式總體涉及一種用於形成可流動膜的設備。在一個實現方式中，設備是包括第一RPS和第二RPS的處理腔室，第一RPS被耦接到處理腔室的蓋，第二RPS被耦接到處理腔室的側壁。第一RPS用於將沉積自由基傳遞到處理腔室中的處理區域中，並且第二RPS用於將清潔自由基傳遞到處理區域中。處理腔室還包括自由基傳遞環，所述自由基傳遞環設置在噴頭與基板支撐件之間，用於將清潔自由基從第二RPS傳遞到處理區域中。具有用於沉積和清潔的單獨RPS以及使用單獨傳遞通道將自由基從所述RPS引入到處理區域中使RPS上的交叉污染和迴圈變化最小化，從而導致改進的沉積速率漂移和顆粒效能。
简体摘要：本文中描述的实现方式总体涉及一种用于形成可流动膜的设备。在一个实现方式中，设备是包括第一RPS和第二RPS的处理腔室，第一RPS被耦接到处理腔室的盖，第二RPS被耦接到处理腔室的侧壁。第一RPS用于将沉积自由基传递到处理腔室中的处理区域中，并且第二RPS用于将清洁自由基传递到处理区域中。处理腔室还包括自由基传递环，所述自由基传递环设置在喷头与基板支撑件之间，用于将清洁自由基从第二RPS传递到处理区域中。具有用于沉积和清洁的单独RPS以及使用单独传递信道将自由基从所述RPS引入到处理区域中使RPS上的交叉污染和循环变化最小化，从而导致改进的沉积速率漂移和颗粒性能。

5. 发明专利

TWI621731B 用於應力裝置之低溫可流動固化有权
简体标题：用于应力设备之低温可流动固化
公开(公告)号：TWI621731B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW103115846
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 洪錫湲 , HONG, SUKWON , 督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 李東擎 , LI, DONGQING
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/50

6. 发明专利

TWI534290B 透過自由基化成份化學氣相沉積形成的共形層有权
简体标题：透过自由基化成份化学气相沉积形成的共形层
公开(公告)号：TWI534290B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW100104616
申请日：2011-02-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁靜美 , LIANG, JINGMEI , 陳曉琳 , CHEN, XIAOLIN , 李東擎 , LI, DONGQING , 英戈爾尼廷K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/30
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02326 , H01L21/76837

7. 发明专利

TW201447019A 用於應力裝置之低溫可流動固化审中-公开
简体标题：用于应力设备之低温可流动固化
公开(公告)号：TW201447019A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103115846
申请日：2014-05-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁璟梅 , LIANG, JINGMEI , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 洪錫湲 , HONG, SUKWON , 督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 李東擎 , LI, DONGQING
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/50
摘要：本發明描述形成間隙填充含矽層之方法。方法可包括在圖案化基板上提供或形成含矽與氫層。方法包括在低基板溫度下非熱處理含矽與氫層以在含矽與氫層保持柔軟的同時增加Si-Si鍵之濃度。鬆軟層能夠調整使氫脫離薄膜及保持高密度而不產生應力。隨後藉由在Si-Si鍵之間插入O以使溝槽中的薄膜膨脹從而將含矽與氫層轉換成含矽與氧層來進一步改良薄膜品質。
简体摘要：本发明描述形成间隙填充含硅层之方法。方法可包括在图案化基板上提供或形成含硅与氢层。方法包括在低基板温度下非热处理含硅与氢层以在含硅与氢层保持柔软的同时增加Si-Si键之浓度。松软层能够调整使氢脱离薄膜及保持高密度而不产生应力。随后借由在Si-Si键之间插入O以使沟槽中的薄膜膨胀从而将含硅与氢层转换成含硅与氧层来进一步改良薄膜品质。

8. 发明专利

TW201616603A 利用佈植的可流動膜性質調諧审中-公开
简体标题：利用布植的可流动膜性质调谐
公开(公告)号：TW201616603A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104130151
申请日：2015-09-11
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葉怡利 , YIEH, ELLIE Y. , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 薛君 , XUE, JUN , 奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 李東擎 , LI, DONGQING , 陳艾莉卡 , CHEN, ERICA
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02321 , H01L21/02323 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/31155 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：將物種供應到在基板上的可流動層。藉由將該物種佈植到該可流動層來修改該可流動層之性質。該性質包含密度、應力、薄膜收縮率、蝕刻選擇率、或上述之任意組合。
简体摘要：将物种供应到在基板上的可流动层。借由将该物种布植到该可流动层来修改该可流动层之性质。该性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择率、或上述之任意组合。

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