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1. 发明专利

TW201903955A 改善晶圓塗覆审中-公开
简体标题：改善晶圆涂覆
公开(公告)号：TW201903955A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107134270
申请日：2015-01-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正來 , PARK,JUNGRAE , 類維生 , LEI,WEI-SHENG , 庫瑪普拉罕 , KUMAR,PRABHAT , 帕帕那詹姆士S , PAPANU,JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON,BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR,AJAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , B05C11/08 , B05C13/02 , B05C5/00
摘要：描述改善晶圓塗覆的處理、設備及系統。在一個實施例中，使用改善晶圓塗覆的處理及系統，使用雷射電漿切片處理而形成用於對半導體晶圓切片的遮罩。在一個實施例中，用於形成覆蓋半導體晶圓的薄膜之轉動塗覆設備包含：一可旋轉台座，該可旋轉台座經配置以支撐該半導體晶圓。該可旋轉台座具有位於超出該半導體晶圓的周圍的一向下斜坡區域。該設備包含一噴嘴，該噴嘴位於該可旋轉台座上方，且經配置以分配一液體覆蓋該半導體晶圓。該設備也包含一馬達，該馬達經配置以旋轉該可旋轉台座。
简体摘要：描述改善晶圆涂覆的处理、设备及系统。在一个实施例中，使用改善晶圆涂覆的处理及系统，使用激光等离子切片处理而形成用于对半导体晶圆切片的遮罩。在一个实施例中，用于形成覆盖半导体晶圆的薄膜之转动涂覆设备包含：一可旋转台座，该可旋转台座经配置以支撑该半导体晶圆。该可旋转台座具有位于超出该半导体晶圆的周围的一向下斜坡区域。该设备包含一喷嘴，该喷嘴位于该可旋转台座上方，且经配置以分配一液体覆盖该半导体晶圆。该设备也包含一马达，该马达经配置以旋转该可旋转台座。

2. 发明专利

TWI639186B 用於雷射劃線與電漿蝕刻晶圓切割製程的網狀印刷遮罩有权
简体标题：用于激光划线与等离子蚀刻晶圆切割制程的网状印刷遮罩
公开(公告)号：TWI639186B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW103141225
申请日：2014-11-27
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：庫瑪普拉罕 , KUMAR, PRABHAT , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/301 , B23K10/00 , B23K26/38 , H01L21/78

3. 发明专利

TWI667709B 用於改良晶圓塗佈處理之烘烤工具有权
简体标题：用于改良晶圆涂布处理之烘烤工具
公开(公告)号：TWI667709B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104106080
申请日：2015-02-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正來 , PARK, JUNGRAE , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/32 , H01L21/3065

4. 发明专利

TW201921585A 切割晶圓背側上具有焊料凸塊的晶圓审中-公开
简体标题：切割晶圆背侧上具有焊料凸块的晶圆
公开(公告)号：TW201921585A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108104528
申请日：2015-04-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：類維生 , LEI,WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU,JAMES S. , 伊爾亞帕爾納 , IYER,APARNA , 伊頓貝德 , EATON,BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR,AJAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/78
摘要：揭示用於具有背側焊料凸塊的晶圓的混合式雷射劃線及電漿蝕刻切割製程之方法。例如，一種切割半導體晶圓的方法，該半導體晶圓之前側上具有積體電路，該半導體晶圓之背側上具有對應的金屬凸塊陣列，該方法涉及施加切割膠帶至該半導體晶圓之該背側，該切割膠帶覆蓋該等金屬凸塊陣列。該方法還涉及隨後在該半導體晶圓之該前側上形成遮罩，該遮罩覆蓋該等積體電路。該方法還涉及使用雷射劃線處理在該半導體晶圓之該前側上形成刻劃線，該等刻劃線被形成在該遮罩中並介於該等積體電路之間。該方法還涉及電漿蝕刻該半導體晶圓穿透該等刻劃線，以切割該等積體電路，在該電漿蝕刻期間該遮罩保護該等積體電路。
简体摘要：揭示用于具有背侧焊料凸块的晶圆的混合式激光划线及等离子蚀刻切割制程之方法。例如，一种切割半导体晶圆的方法，该半导体晶圆之前侧上具有集成电路，该半导体晶圆之背侧上具有对应的金属凸块数组，该方法涉及施加切割胶带至该半导体晶圆之该背侧，该切割胶带覆盖该等金属凸块数组。该方法还涉及随后在该半导体晶圆之该前侧上形成遮罩，该遮罩覆盖该等集成电路。该方法还涉及使用激光划线处理在该半导体晶圆之该前侧上形成刻划线，该等刻划线被形成在该遮罩中并介于该等集成电路之间。该方法还涉及等离子蚀刻该半导体晶圆穿透该等刻划线，以切割该等集成电路，在该等离子蚀刻期间该遮罩保护该等集成电路。

5. 发明专利

TWI640037B 用於薄膜框架晶片應用之具有蝕刻腔室遮蔽環的雷射及電漿蝕刻的晶片切割有权
简体标题：用于薄膜框架芯片应用之具有蚀刻腔室屏蔽环的激光及等离子蚀刻的芯片切割
公开(公告)号：TWI640037B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW103102511
申请日：2014-01-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 迪內夫吉可 , DINEV, JIVKO , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/304

6. 发明专利

TWI700773B 改善晶圓塗覆有权
简体标题：改善晶圆涂覆
公开(公告)号：TWI700773B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW107134270
申请日：2015-01-30
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正來 , PARK,JUNGRAE , 類維生 , LEI,WEI-SHENG , 庫瑪普拉罕 , KUMAR,PRABHAT , 帕帕那詹姆士S , PAPANU,JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON,BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR,AJAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , B05C11/08 , B05C13/02 , B05C5/00

7. 发明专利

TWI666729B 利用超短脈衝拉蓋爾高斯光束雷射劃線製程及電漿蝕刻製程的混合式晶圓切割方法有权
简体标题：利用超短脉冲拉盖尔高斯光束激光划线制程及等离子蚀刻制程的混合式晶圆切割方法
公开(公告)号：TWI666729B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104115628
申请日：2015-05-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：類維生 , LEI, WEI-SHENG , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/027 , B23K26/352

8. 发明专利

TWI642509B 使用時間控制的雷射劃線製程及電漿蝕刻之混合式晶圓切割方法與系統有权
简体标题：使用时间控制的激光划线制程及等离子蚀刻之混合式晶圆切割方法与系统
公开(公告)号：TWI642509B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW104106347
申请日：2015-02-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴正來 , PARK, JUNGRAE , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC分类号： B23K26/36 , H01J37/32 , H01L21/78

9. 发明专利

TWI698954B 切割晶圓背側上具有焊料凸塊的晶圓有权
简体标题：切割晶圆背侧上具有焊料凸块的晶圆
公开(公告)号：TWI698954B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108104528
申请日：2015-04-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：類維生 , LEI,WEI-SHENG , 帕帕那詹姆士S , PAPANU,JAMES S. , 伊爾亞帕爾納 , IYER,APARNA , 伊頓貝德 , EATON,BRAD , 庫默亞傑 , KUMAR,AJAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/78

10. 发明专利

TWI663648B 用於電漿切割的接近接觸蓋環有权
简体标题：用于等离子切割的接近接触盖环
公开(公告)号：TWI663648B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104128461
申请日：2015-08-28
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍登詹姆士M , HOLDEN, JAMES M. , 雷奈亞歷山大N , LERNER, ALEXANDER N. , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 奧義艾倫喜若西 , OUYE, ALAN HIROSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/78 , H01L21/67

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