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1. 发明专利

TWI679698B 用於排氣冷卻的設備有权
简体标题：用于排气冷却的设备
公开(公告)号：TWI679698B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW106112166
申请日：2017-04-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡克斯麥克S , COX, MICHAEL S. , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 強森羅傑M , JOHNSON, ROGER M. , 洛正佐研 , ROZENZON, YAN , 索瑪納丁凱許 , SOMANNA, DINKESH , 何文彬 , HO, DUSTIN W.
IPC分类号： H01L21/306 , C23C16/455 , C23C16/54 , F28F13/06 , F28F3/00

2. 发明专利

TW201840354A 來自半導體製程流出物的一氧化二氮之電漿減量审中-公开
简体标题：来自半导体制程流出物的一氧化二氮之等离子减量
公开(公告)号：TW201840354A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103754
申请日：2018-02-02
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：范高沛爾喬瑟夫A , VAN GOMPEL, JOSEPH A. , 何文彬 , HO, DUSTIN W. , 原錚 , YUAN, ZHENG , 勒荷詹姆士 , L'HEUREUX, JAMES , 東尼萊恩T , DOWNEY, RYAN T.
IPC分类号： B01D53/56 , B01D53/76 , G05D16/20 , H01L21/67
摘要：本揭示的實施例大體上關於減量存在於半導體製造製程的流出物中的N2O氣體的技術。在一個實施例中，一種方法包括將氫氣或氨氣注入電漿源中、以及激發並反應含有N2O氣體的流出物與氫或氨氣以形成減量材料。藉由使用氫氣或氨氣，N2O氣體的破壞與移除效率(DRE)是至少50百分比，同時實質上降低減量材料中的一氧化氮(NO)及/或二氧化氮(NO2)的濃度，諸如最多以體積計5000百萬分率(ppm)。
简体摘要：本揭示的实施例大体上关于减量存在于半导体制造制程的流出物中的N2O气体的技术。在一个实施例中，一种方法包括将氢气或氨气注入等离子源中、以及激发并反应含有N2O气体的流出物与氢或氨气以形成减量材料。借由使用氢气或氨气，N2O气体的破坏与移除效率(DRE)是至少50百分比，同时实质上降低减量材料中的一氧化氮(NO)及/或二氧化氮(NO2)的浓度，诸如最多以体积计5000百万分率(ppm)。

3. 发明专利

TW201743379A 用於排氣冷卻的設備审中-公开
简体标题：用于排气冷却的设备
公开(公告)号：TW201743379A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106112166
申请日：2017-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡克斯麥克S , COX, MICHAEL S. , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 強森羅傑M , JOHNSON, ROGER M. , 洛正佐研 , ROZENZON, YAN , 索瑪納丁凱許 , SOMANNA, DINKESH , 何文彬 , HO, DUSTIN W.
IPC分类号： H01L21/306 , C23C16/455 , C23C16/54 , F28F13/06 , F28F3/00
CPC分类号： H01J37/32844 , H01J2237/002 , H01J2237/18 , H01J2237/31701 , H01L21/67069 , Y02C20/30
摘要：本案揭露的實施例包括減弱在半導體製程中產生的化合物之減弱系統。減弱系統包括位於電漿源下游的排氣冷卻設備。排氣冷卻設備包括至少一個冷卻板，其是用於將紊流引入到排氣冷卻設備內排氣流動的裝置。該裝置可以是複數個鰭片、具有彎曲頂部的圓柱體或具有斜角葉片的擴散器。排氣冷卻設備內的排氣的紊流使顆粒自排氣中離開，而最小化排氣冷卻設備下游的設備中形成顆粒。
简体摘要：本案揭露的实施例包括减弱在半导体制程中产生的化合物之减弱系统。减弱系统包括位于等离子源下游的排气冷却设备。排气冷却设备包括至少一个冷却板，其是用于将紊流引入到排气冷却设备内排气流动的设备。该设备可以是复数个鳍片、具有弯曲顶部的圆柱体或具有斜角叶片的扩散器。排气冷却设备内的排气的紊流使颗粒自排气中离开，而最小化排气冷却设备下游的设备中形成颗粒。

4. 发明专利

TW201709287A 用以減少來自離子植入製程的自燃副產物的方法和設備审中-公开
简体标题：用以减少来自离子植入制程的自燃副产物的方法和设备
公开(公告)号：TW201709287A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105119377
申请日：2016-06-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：何文彬 , HO, DUSTIN W. , 寇克斯麥可S , COX, MICHAEL S. , 原錚 , YUAN, ZHENG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： C23C16/0245 , C23C16/4412
摘要：本文公開的實施方式大體涉及電漿減弱製程和設備。電漿減弱製程從諸如佈植腔室之類的處理腔室獲得前級真空管線流出物，且使流出物與反應物反應。所述流出物包含自燃副產物。放置在前級真空管線路徑之內的電漿發生器可將流出物和反應物離子化以促進流出物與反應物之間的反應。在排出氣流路徑之內的條件下，離子化的物種反應以形成保持在氣相的化合物。在另一實施方式中，離子化的物種可反應以形成從氣相凝結的化合物。然後通過收集器將凝結的顆粒物質從流出物中去除。所述裝置可包括佈植腔室、電漿發生器、一個或多個泵和洗滌器。
简体摘要：本文公开的实施方式大体涉及等离子减弱制程和设备。等离子减弱制程从诸如布植腔室之类的处理腔室获得前级真空管线流出物，且使流出物与反应物反应。所述流出物包含自燃副产物。放置在前级真空管线路径之内的等离子发生器可将流出物和反应物离子化以促进流出物与反应物之间的反应。在排出气流路径之内的条件下，离子化的物种反应以形成保持在气相的化合物。在另一实施方式中，离子化的物种可反应以形成从气相凝结的化合物。然后通过收集器将凝结的颗粒物质从流出物中去除。所述设备可包括布植腔室、等离子发生器、一个或多个泵和洗涤器。

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