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1. 发明专利

TWI642225B 高電容活性材料的高質量負載之電池組電極結構有权
简体标题：高电容活性材料的高质量负载之电池组电极结构
公开(公告)号：TWI642225B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105142724
申请日：2011-10-21
申请人：美商安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 羅維尼斯席恩E , LOVENESS, GHYRN E.
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/70 , H01M4/134 , B82Y40/00

2. 发明专利

TWI689126B 經結構控制之矽沈積至奈米線上有权
简体标题：经结构控制之硅沉积至奈米在线
公开(公告)号：TWI689126B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104115079
申请日：2015-05-12
申请人：美商安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：王維潔 , WANG, WEIJIE , 劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 波恩斯坦強納森 , BORNSTEIN, JONATHAN , 史堤夫康斯坦堤尼伊歐尼爾 , STEFAN, CONSTANTIN IONEL
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395

3. 发明专利

TWI575800B 高電容活性材料的高質量負載之電池組電極結構有权
简体标题：高电容活性材料的高质量负载之电池组电极结构
公开(公告)号：TWI575800B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW100138369
申请日：2011-10-21
申请人：安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 羅維尼斯席恩E , LOVENESS, GHYRN E.
IPC分类号： H01M4/02 , H01M4/04 , H01M4/36 , B82Y40/00
CPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/80 , H01M10/052

4. 发明专利

TWI574448B 包含限制於殼中之高電容多孔活性材料之複合式結構有权
简体标题：包含限制于壳中之高电容多孔活性材料之复合式结构
公开(公告)号：TWI574448B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW100138361
申请日：2011-10-21
申请人：安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：法斯西雷尼爾J , FASCHING, RAINER J. , 劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 羅維尼斯席恩E , LOVENESS, GHYRN E. , 史堤夫康斯坦堤尼I , STEFAN, CONSTANTIN I.
IPC分类号： H01M4/13 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/0404 , H01M4/0428 , H01M4/0471 , H01M4/049 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/58 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/52 , H01M2004/021 , H01M2004/027 , H01M2220/30 , Y02E60/122

5. 发明专利

TW201611392A 經結構控制之矽沈積至奈米線上审中-公开
简体标题：经结构控制之硅沉积至奈米在线
公开(公告)号：TW201611392A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104115079
申请日：2015-05-12
申请人：安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：王維潔 , WANG, WEIJIE , 劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 波恩斯坦強納森 , BORNSTEIN, JONATHAN , 史堤夫康斯坦堤尼伊歐尼爾 , STEFAN, CONSTANTIN IONEL
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395
CPC分类号： H01M4/386 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
摘要：本發明提供用於鋰離子電池組電極之奈米結構及製造方法。在一些實施例中，提供一經塗佈奈米結構模板，該模板塗佈有一矽塗層。該矽塗層包含一非保形較多孔層及在該非保形較多孔層上之一保形較緻密層。在一些實施例中，使用兩個不同沈積程序，例如使用一PECVD程序以沈積該非保形層且使用一熱CVD程序以沈積該保形層。與僅使用一PECVD或熱CVD方法製造之陽極相比，包含該等奈米結構之陽極具有更長循環壽命。
简体摘要：本发明提供用于锂离子电池组电极之奈米结构及制造方法。在一些实施例中，提供一经涂布奈米结构模板，该模板涂布有一硅涂层。该硅涂层包含一非保形较多孔层及在该非保形较多孔层上之一保形较致密层。在一些实施例中，使用两个不同沉积进程，例如使用一PECVD进程以沉积该非保形层且使用一热CVD进程以沉积该保形层。与仅使用一PECVD或热CVD方法制造之阳极相比，包含该等奈米结构之阳极具有更长循环寿命。

6. 发明专利

TWI536640B 用於沈積活性材料之模板電極結構有权
简体标题：用于沉积活性材料之模板电极结构
公开(公告)号：TWI536640B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW100120247
申请日：2011-06-09
申请人：安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：洛維尼斯吉雷E , LOVENESS, GHYRN E. , 迪哈吉威廉S , DELHAGEN, WILLIAM S. , 法夏尹雷爾 , FASCHING, RAINER , 韓松 , HAN, SONG , 劉祖琴 , LIU, ZUQIN
IPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/36 , H01M4/66 , H01M4/75 , H01M10/0525

7. 发明专利

TW201725775A 高電容活性材料的高質量負載之電池組電極結構审中-公开
简体标题：高电容活性材料的高质量负载之电池组电极结构
公开(公告)号：TW201725775A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105142724
申请日：2011-10-21
申请人：安普雷斯公司 , AMPRIUS INC.
发明人：劉祖琴 , LIU, ZUQIN , 韓松 , HAN, SONG , 羅維尼斯席恩E , LOVENESS, GHYRN E.
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/70 , H01M4/134 , B82Y40/00
CPC分类号： H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/661 , H01M4/667 , H01M4/80 , H01M10/052
摘要：提供維持電極中的高電容活性材料之高質量負載(亦即，每單位面積大的量)而不使其循環效能劣化之電池組電極結構。此等質量負載等級對應於適合於商用電極的每電極單位面積之電容，即使將該等活性材料保持為薄且通常低於其破裂極限亦如此。一電池組電極結構可包括多個模板層。一初始模板層可包括附著至一基板且具有一受控密度的奈米結構。可使用設置於例如一實質上惰性基板上之一受控厚度源材料層來形成此初始層。額外一或多個模板層接著形成於該初始層上，從而導致具有諸如一表面積、厚度及孔隙率之特定特性的一多層模板結構。接著用一高電容活性材料塗佈該多層模板結構。
简体摘要：提供维持电极中的高电容活性材料之高质量负载(亦即，每单位面积大的量)而不使其循环性能劣化之电池组电极结构。此等质量负载等级对应于适合于商用电极的每电极单位面积之电容，即使将该等活性材料保持为薄且通常低于其破裂极限亦如此。一电池组电极结构可包括多个模板层。一初始模板层可包括附着至一基板且具有一受控密度的奈米结构。可使用设置于例如一实质上惰性基板上之一受控厚度源材料层来形成此初始层。额外一或多个模板层接着形成于该初始层上，从而导致具有诸如一表面积、厚度及孔隙率之特定特性的一多层模板结构。接着用一高电容活性材料涂布该多层模板结构。

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