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1. 发明专利

TW201911577A 場效感測器审中-公开
简体标题：场效传感器
公开(公告)号：TW201911577A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107124317
申请日：2018-07-13
申请人：美商伊路米納有限公司 , ILLUMINA, INC.
发明人：博雅諾維博雅恩 , BOYANOV, BOYAN
IPC分类号： H01L29/772 , G01N33/50
摘要：本發明揭示用於單分子場效感測器之設備及方法，該等場效感測器具有藉由一單一活性部分官能化的導電通道。一奈米結構(例如，一矽奈米線或一碳奈米管)之一區提供該導電通道。該奈米結構之阱狀態密度針對該奈米結構之在該活性部分鍵聯至該奈米結構之一位置附近的一部分予以改質。在一個實例中，半導體裝置包括一源極、一汲極、包括具有一改質部分之一奈米結構的一通道，該改質部分具有一增大之阱狀態密度，該改質部分藉由一活性部分進一步官能化。一閘極端子與該奈米結構電連通。隨著一變化電信號被施加至與該奈米結構通道接觸之一離子溶液，自該半導體裝置觀測到的電流改變可用以識別被分析物的組成。
简体摘要：本发明揭示用於单分子场效传感器之设备及方法，该等场效传感器具有借由一单一活性部分官能化的导电信道。一奈米结构(例如，一硅奈米线或一碳奈米管)之一区提供该导电信道。该奈米结构之阱状态密度针对该奈米结构之在该活性部分键联至该奈米结构之一位置附近的一部分予以改质。在一个实例中，半导体设备包括一源极、一汲极、包括具有一改质部分之一奈米结构的一信道，该改质部分具有一增大之阱状态密度，该改质部分借由一活性部分进一步官能化。一闸极端子与该奈米结构电连通。随着一变化电信号被施加至与该奈米结构信道接触之一离子溶液，自该半导体设备观测到的电流改变可用以识别被分析物的组成。

2. 发明专利

TWI679418B 具有整合式保護電路的感測器以及為感測器提供腐蝕保護的方法有权
简体标题：具有集成式保护电路的传感器以及为传感器提供腐蚀保护的方法
公开(公告)号：TWI679418B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107113868
申请日：2018-04-24
申请人：美商伊路米納有限公司 , ILLUMINA, INC.
发明人：馮締時 , FUNG, TRACY HELEN , 蔡秀雨 , CAI, XIUYU , 郭穎詩 , KWOK LISA , 陳光海 , TRAN HAI , 珊蜜凱維恩 , SAMIEE, KEVAN , 羌梁梁 , QIANG LIANGLIANG , 博雅諾維博雅恩 , BOYANOV, BOYAN
IPC分类号： G01N27/403 , G01N21/01

3. 发明专利

TW201843445A 具有整合式保護電路的感測器审中-公开
简体标题：具有集成式保护电路的传感器
公开(公告)号：TW201843445A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107113868
申请日：2018-04-24
申请人：美商伊路米納有限公司 , ILLUMINA, INC.
发明人：馮締時 , FUNG, TRACY HELEN , 蔡秀雨 , CAI, XIUYU , 郭穎詩 , KWOK LISA , 陳光海 , TRAN HAI , 珊蜜凱維恩 , SAMIEE, KEVAN , 羌梁梁 , QIANG LIANGLIANG , 博雅諾維博雅恩 , BOYANOV, BOYAN
IPC分类号： G01N27/403 , G01N21/01
摘要：本發明提供一實例感測器，其包括一流槽、一偵測裝置及一控制器。該流槽包括一鈍化層，其具有對置表面及位於該等對置表面中的一第一者處的一反應位。該流槽亦包括一蓋，其操作性地連接至該鈍化層以部分地界定該蓋與該反應位之間的一流動通道。該偵測裝置接觸該鈍化層之該等對置表面中的一第二者，且包括與該偵測裝置之其他偵測電路電隔離的一嵌入式金屬層。該控制器用以使該嵌入式金屬層接地。
简体摘要：本发明提供一实例传感器，其包括一流槽、一侦测设备及一控制器。该流槽包括一钝化层，其具有对置表面及位于该等对置表面中的一第一者处的一反应位。该流槽亦包括一盖，其操作性地连接至该钝化层以部分地界定该盖与该反应位之间的一流动信道。该侦测设备接触该钝化层之该等对置表面中的一第二者，且包括与该侦测设备之其他侦测电路电隔离的一嵌入式金属层。该控制器用以使该嵌入式金属层接地。

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