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1. 发明专利

TWI411700B 具能量輸入之化學氣相沈積失效
简体标题：具能量输入之化学气相沉积
公开(公告)号：TWI411700B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW098133650
申请日：2009-10-02
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：亞莫艾瑞克A , ARMOUR, ERIC A. , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/455 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/303 , C23C16/45551 , C23C16/483 , C30B25/105 , C30B29/403 , C30B29/406

2. 发明专利

TWI471973B 具有斜邊之晶圓載體有权
简体标题：具有斜边之晶圆载体
公开(公告)号：TWI471973B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW100107206
申请日：2011-03-03
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：密托維克波仁 , MITROVIC, BOJAN , 曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E.
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/68771

3. 发明专利

TWI525744B 加熱之晶圓載體輪廓勘測有权
简体标题：加热之晶圆载体轮廓勘测
公开(公告)号：TWI525744B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW101119414
申请日：2012-05-30
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：伯古斯拉維斯基維汀 , BOGUSLAVSKIY, VADIM , 曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 金馬修 , KING, MATTHEW , 馬賽羅厄爾 , MARCELO, EARL , 亞莫艾瑞克A , ARMOUR, ERIC A. , 葛拉瑞亞歷山大I , GURARY, ALEXANDER I. , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 泰斯古瑞 , TAS, GURAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01N21/71 , G01N21/75 , G01N23/20033 , G01N2021/1731 , G01N2021/745 , H01L21/67109 , H01L21/68771

4. 发明专利

TWI523137B 改良基板載體效能之方法有权
简体标题：改良基板载体性能之方法
公开(公告)号：TWI523137B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW103101199
申请日：2010-12-02
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67383 , C23C16/44 , H01L21/02104 , H01L21/67366 , H01L21/68735 , H01L21/68771 , H01L22/12 , H01L22/20

5. 发明专利

TW201434102A 改良基板載體效能之方法审中-公开
简体标题：改良基板载体性能之方法
公开(公告)号：TW201434102A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103101199
申请日：2010-12-02
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E.
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67383 , C23C16/44 , H01L21/02104 , H01L21/67366 , H01L21/68735 , H01L21/68771 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明揭示一種修改一基板載體以改良製程效能之方法，其包含於藉由一基板載體支撐之一基板上沈積材料或製造器件。接著，將沈積於該基板上之層之一參數作為該等層在該基板載體上的對應位置之一函數進行量測。製造於該基板上之至少某些器件之該量測參數或該等經沈積層之一性質係與基板載體之一物理特性相關，以獲得對應於該基板載體上之複數個位置之該基板載體之複數個物理特性。接著，在該基板載體上之該複數個對應位置之一或多者處修改該基板載體之該物理特性，以獲得作為該基板載體上之位置之函數之該等經沈積層或經製造器件之期望參數。
简体摘要：本发明揭示一种修改一基板载体以改良制程性能之方法，其包含于借由一基板载体支撑之一基板上沉积材料或制造器件。接着，将沉积于该基板上之层之一参数作为该等层在该基板载体上的对应位置之一函数进行量测。制造于该基板上之至少某些器件之该量测参数或该等经沉积层之一性质系与基板载体之一物理特性相关，以获得对应于该基板载体上之复数个位置之该基板载体之复数个物理特性。接着，在该基板载体上之该复数个对应位置之一或多者处修改该基板载体之该物理特性，以获得作为该基板载体上之位置之函数之该等经沉积层或经制造器件之期望参数。

6. 发明专利

TWI427736B 改良基板載體效能之方法有权
简体标题：改良基板载体性能之方法
公开(公告)号：TWI427736B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099141935
申请日：2010-12-02
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E.
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67383 , C23C16/44 , H01L21/02104 , H01L21/67366 , H01L21/68735 , H01L21/68771 , H01L22/12 , H01L22/20

7. 发明专利

TW201304050A 加熱之晶圓載體輪廓勘測审中-公开
简体标题：加热之晶圆载体轮廓勘测
公开(公告)号：TW201304050A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101119414
申请日：2012-05-30
申请人：維克儀器公司 , VEECO INSTRUMENTS INC.
发明人：伯古斯拉維斯基維汀 , BOGUSLAVSKIY, VADIM , 曼剛約書亞 , MANGUM, JOSHUA , 金馬修 , KING, MATTHEW , 馬賽羅厄爾 , MARCELO, EARL , 亞莫艾瑞克A , ARMOUR, ERIC A. , 葛拉瑞亞歷山大I , GURARY, ALEXANDER I. , 昆恩威廉E , QUINN, WILLIAM E. , 泰斯古瑞 , TAS, GURAY
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/52 , G01N21/71 , G01N21/75 , G01N23/20033 , G01N2021/1731 , G01N2021/745 , H01L21/67109 , H01L21/68771
摘要：本發明係關於一種裝置，其提供可繞旋轉軸旋轉的載體，其中該載體具有適於固持至少一半導體晶圓的頂面及一表面表徵工具，該表面表徵工具可操作而相對於橫向於該旋轉軸的載體及/或晶圓之頂面在複數個位置上移動。本發明亦包括使用該裝置之方法。
简体摘要：本发明系关于一种设备，其提供可绕旋转轴旋转的载体，其中该载体具有适于固持至少一半导体晶圆的顶面及一表面表征工具，该表面表征工具可操作而相对于横向于该旋转轴的载体及/或晶圆之顶面在复数个位置上移动。本发明亦包括使用该设备之方法。

8. 发明专利

TW201145446A 具有斜邊之晶圓載體 WAFER CARRIER WITH SLOPED EDGE 审中-公开
简体标题：具有斜边之晶圆载体 WAFER CARRIER WITH SLOPED EDGE
公开(公告)号：TW201145446A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100107206
申请日：2011-03-03
申请人：維克儀器公司
发明人：密托維克波仁 , 曼剛約書亞 , 昆恩威廉E
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/68764 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/45587 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L21/68735 , H01L21/68771
摘要：本發明係關於一種晶圓載體,其包括一界定一中心軸之主體、一垂直於該中心軸之大體平面之頂面及凹至該頂面下方用於接納晶圓之凹穴。該主體可包括一在該頂面之周邊周圍向上突出之唇緣。該唇緣可界定一在徑向向外遠離該中心軸之一方向上自該平面頂面向上傾斜的唇緣表面。該主體可經調適以用於安裝於一處理裝置之一轉軸上,以使得該主體之該中心軸與該轉軸同軸。該唇緣可改良在該晶圓載體之該頂面上之氣流型態。
简体摘要：本发明系关于一种晶圆载体,其包括一界定一中心轴之主体、一垂直于该中心轴之大体平面之顶面及凹至该顶面下方用于接纳晶圆之凹穴。该主体可包括一在该顶面之周边周围向上突出之唇缘。该唇缘可界定一在径向向外远离该中心轴之一方向上自该平面顶面向上倾斜的唇缘表面。该主体可经调适以用于安装于一处理设备之一转轴上,以使得该主体之该中心轴与该转轴同轴。该唇缘可改良在该晶圆载体之该顶面上之气流型态。

9. 发明专利

TW201026887A 具能量輸入之化學氣相沈積 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION WITH ENERGY INPUT 失效
简体标题：具能量输入之化学气相沉积 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION WITH ENERGY INPUT
公开(公告)号：TW201026887A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098133650
申请日：2009-10-02
申请人：維克儀器公司
发明人：亞莫艾瑞克A , 昆恩威廉E , 曼剛約書亞
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/303 , C23C16/45551 , C23C16/483 , C30B25/105 , C30B29/403 , C30B29/406
摘要：本發明揭示在基板上沈積化合物半導體之方法，其包括將氣體反應物引入含有該基板之反應室，選擇性地供應能量至一種氣體反應物以賦予足以活化彼反應物但不足以分解該反應物之能量，且接著在該基板表面上分解該反應物以與該等其他反應物反應。較佳能源為微波或紅外線輻射，且亦揭示用於進行此等方法之反應器。
简体摘要：本发明揭示在基板上沉积化合物半导体之方法，其包括将气体反应物引入含有该基板之反应室，选择性地供应能量至一种气体反应物以赋予足以活化彼反应物但不足以分解该反应物之能量，且接着在该基板表面上分解该反应物以与该等其他反应物反应。较佳能源为微波或红外线辐射，且亦揭示用于进行此等方法之反应器。

10. 发明专利

TW201131691A 改良基板載體效能之方法 METHOD FOR IMPROVING PERFORMANCE OF A SUBSTRATE CARRIER 审中-公开
简体标题：改良基板载体性能之方法 METHOD FOR IMPROVING PERFORMANCE OF A SUBSTRATE CARRIER
公开(公告)号：TW201131691A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099141935
申请日：2010-12-02
申请人：維克儀器公司
发明人：曼剛約書亞 , 昆恩威廉E
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67383 , C23C16/44 , H01L21/02104 , H01L21/67366 , H01L21/68735 , H01L21/68771 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：本發明揭示一種修改一基板載體以改良製程效能之方法,其包含於藉由一基板載體支撐之一基板上沈積材料或製造器件。接著,將沈積於該基板上之層之一參數作為該等層在該基板載體上的對應位置之一函數進行量測。製造於該基板上之至少某些器件之該量測參數或該等經沈積層之一性質係與基板載體之一物理特性相關,以獲得對應於該基板載體上之複數個位置之該基板載體之複數個物理特性。接著,在該基板載體上之該複數個對應位置之一或多者處修改該基板載體之該物理特性,以獲得作為該基板載體上之位置之函數之該等經沈積層或經製造器件之期望參數。
简体摘要：本发明揭示一种修改一基板载体以改良制程性能之方法,其包含于借由一基板载体支撑之一基板上沉积材料或制造器件。接着,将沉积于该基板上之层之一参数作为该等层在该基板载体上的对应位置之一函数进行量测。制造于该基板上之至少某些器件之该量测参数或该等经沉积层之一性质系与基板载体之一物理特性相关,以获得对应于该基板载体上之复数个位置之该基板载体之复数个物理特性。接着,在该基板载体上之该复数个对应位置之一或多者处修改该基板载体之该物理特性,以获得作为该基板载体上之位置之函数之该等经沉积层或经制造器件之期望参数。

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