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1. 发明专利

TWI620373B 鋰二次電池用電極及其製造方法有权
简体标题：锂二次电池用电极及其制造方法
公开(公告)号：TWI620373B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103100483
申请日：2014-01-07
申请人：由尼帝佳股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：柴田健太 , SHIBATA, KENTA , 藤岡直史 , FUJIOKA, NAOFUMI , 江口壽史朗 , EGUCHI, JUSIRO , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 細田雅弘 , HOSODA, MASAHIRO , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： H01M4/583 , H01M4/139 , H01M4/62
CPC分类号： H01M2/1673 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M4/0404

2. 发明专利

TW201444166A 鋰二次電池用電極及其製造方法审中-公开
简体标题：锂二次电池用电极及其制造方法
公开(公告)号：TW201444166A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103100483
申请日：2014-01-07
申请人：由尼帝佳股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：柴田健太 , SHIBATA, KENTA , 藤岡直史 , FUJIOKA, NAOFUMI , 江口壽史朗 , EGUCHI, JUSIRO , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 細田雅弘 , HOSODA, MASAHIRO , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： H01M4/583 , H01M4/139 , H01M4/62
CPC分类号： H01M2/1673 , H01M2/145 , H01M2/1653 , H01M4/0404
摘要：本發明係關於一種鋰二次電池用電極，其係於電極活性物質層之外表面積層以醯亞胺系高分子所形成且氣孔率為30至90體積%之離子穿透性多孔質層而形成一體。該電極係藉由下述方式製造：於作為集電體之金屬箔的表面塗佈含有黏結劑、活性物質微粒子與溶劑之分散物並進行乾燥，而於金屬箔上形成電極活性物質層，之後，於該電極活性物質層的表面塗佈含有醯亞胺系高分子與溶劑之塗佈液而形成塗膜，然後，藉由去除前述塗膜中之溶劑，於塗膜內產生相分離而形成離子穿透性多孔質層，同時並積層前述電極活性物質層與前述離子穿透性多孔質層而形成一體。
简体摘要：本发明系关于一种锂二次电池用电极，其系于电极活性物质层之外表面积层以酰亚胺系高分子所形成且气孔率为30至90体积%之离子穿透性多孔质层而形成一体。该电极系借由下述方式制造：于作为集电体之金属箔的表面涂布含有黏结剂、活性物质微粒子与溶剂之分散物并进行干燥，而于金属箔上形成电极活性物质层，之后，于该电极活性物质层的表面涂布含有酰亚胺系高分子与溶剂之涂布液而形成涂膜，然后，借由去除前述涂膜中之溶剂，于涂膜内产生相分离而形成离子穿透性多孔质层，同时并积层前述电极活性物质层与前述离子穿透性多孔质层而形成一体。

3. 发明专利

TW201700544A 聚醯胺醯亞胺、聚醯胺醯亞胺原料鹽及該等之製造方法审中-公开
简体标题：聚酰胺酰亚胺、聚酰胺酰亚胺原料盐及该等之制造方法
公开(公告)号：TW201700544A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105110739
申请日：2016-04-06
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：福林夢人 , FUKUBAYASHI, YUMETO , 中井誠 , NAKAI, MAKOTO , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI
IPC分类号： C08G73/14
CPC分类号： C08G73/14
摘要：本發明之目的在於提供一種分子構造之規則性較高、分支構造較少、不包含鹵化氫、於後續步驟亦無須分離精製、且可較佳地用作薄膜、清漆、成形材料之聚醯胺醯亞胺、聚醯胺醯亞胺原料鹽及該等之製造方法。本發明之聚醯胺醯亞胺具有由下述通式(1)所表示之重複單位， (式中，R1、R2獨立地表示具有芳香環、脂肪族環或脂肪族烴之二價之殘基，R3、R4獨立地表示具有芳香環或脂肪族環之三價之殘基，鍵結於各環之氫原子亦可被取代為其他原子或原子團)。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种分子构造之守则性较高、分支构造较少、不包含卤化氢、于后续步骤亦无须分离精制、且可较佳地用作薄膜、清漆、成形材料之聚酰胺酰亚胺、聚酰胺酰亚胺原料盐及该等之制造方法。本发明之聚酰胺酰亚胺具有由下述通式(1)所表示之重复单位， (式中，R1、R2独立地表示具有芳香环、脂肪族环或脂肪族烃之二价之残基，R3、R4独立地表示具有芳香环或脂肪族环之三价之残基，键结于各环之氢原子亦可被取代为其他原子或原子团)。

4. 发明专利

TWI673167B 積層體及可撓性裝置之製造方法有权
简体标题：积层体及可挠性设备之制造方法
公开(公告)号：TWI673167B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW104130935
申请日：2015-09-18
申请人：日商尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 吉田猛 , YOSHIDA, TAKESHI , 山田祐己 , YAMADA, YUKI , 森北達彌 , MORIKITA, TATSUYA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 細田雅弘 , HOSODA, MASAHIRO , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： B32B3/02 , B32B7/06 , B32B27/06 , H01L21/683

5. 发明专利

TW201629123A 多孔質聚醯亞胺薄膜及其製造方法审中-公开
简体标题：多孔质聚酰亚胺薄膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201629123A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104143196
申请日：2015-12-22
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 柴田健太 , SHIBATA, KENTA , 竹內耕 , TAKEUCHI, KOU , 吉野文子 , YOSHINO, FUMIKO , 藤岡直史 , FUJIOKA, NAOFUMI , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： C08G73/10 , C08J5/18 , C08J9/28
CPC分类号： C08J9/28
摘要：本發明係提供：具有高氣孔率與較小平均氣孔徑，且不會殘留造孔劑等的多孔質聚醯亞胺薄膜及其製造方法。本發明的多孔質聚醯亞胺薄膜，其特徵在於，由含氧化伸烷基單元的聚醯亞胺構成，氣孔率係45體積%以上且95體積%以下，平均氣孔徑係10nm以上且1000nm以下。
简体摘要：本发明系提供：具有高气孔率与较小平均气孔径，且不会残留造孔剂等的多孔质聚酰亚胺薄膜及其制造方法。本发明的多孔质聚酰亚胺薄膜，其特征在于，由含氧化伸烷基单元的聚酰亚胺构成，气孔率系45体积%以上且95体积%以下，平均气孔径系10nm以上且1000nm以下。

6. 发明专利

TW201618943A 積層體及可撓性裝置之製造方法审中-公开
简体标题：积层体及可挠性设备之制造方法
公开(公告)号：TW201618943A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104130935
申请日：2015-09-18
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 吉田猛 , YOSHIDA, TAKESHI , 山田祐己 , YAMADA, YUKI , 森北達也 , MORIKITA, TATSUYA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 細田雅弘 , HOSODA, MASAHIRO , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： B32B3/02 , B32B7/06 , B32B27/06 , H01L21/683
CPC分类号： B32B7/04 , B32B27/34 , G02F1/1333 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/10
摘要：本發明所提供的積層體，係含有可撓性基板層的耐熱樹脂薄膜與無機基板間之密接性良好，可輕易且短時間將可撓性基板層從無機基板上分離。本發明的積層體，係具備有：無機基板1及在該無機基板上形成的耐熱樹脂薄膜2之積層體，係具有以下特徵的積層體100：(1)耐熱樹脂薄膜2係具備：可撓性基板層21及在該可撓性基板層之外緣部設置的犧牲層22；(2)可撓性基板層21與無機基板1間之接著強度在2N/cm以下；(3)犧牲層22與無機基板1間之接著強度超過2N/cm；(4)犧牲層22與無機基板1間之接著強度，經後處理在2N/cm以下。
简体摘要：本发明所提供的积层体，系含有可挠性基板层的耐热树脂薄膜与无机基板间之密接性良好，可轻易且短时间将可挠性基板层从无机基板上分离。本发明的积层体，系具备有：无机基板1及在该无机基板上形成的耐热树脂薄膜2之积层体，系具有以下特征的积层体100：(1)耐热树脂薄膜2系具备：可挠性基板层21及在该可挠性基板层之外缘部设置的牺牲层22；(2)可挠性基板层21与无机基板1间之接着强度在2N/cm以下；(3)牺牲层22与无机基板1间之接着强度超过2N/cm；(4)牺牲层22与无机基板1间之接着强度，经后处理在2N/cm以下。

7. 发明专利

TW201700456A 雙醯亞胺二羧酸之製造方法审中-公开
简体标题：双酰亚胺二羧酸之制造方法
公开(公告)号：TW201700456A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105110738
申请日：2016-04-06
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：福林夢人 , FUKUBAYASHI, YUMETO , 中井誠 , NAKAI, MAKOTO , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI
IPC分类号： C07D209/48
CPC分类号： C07D209/48 , B01J19/0013 , C07B43/06 , C07D403/10
摘要：本發明之目的在於提供一種實質上不使用溶劑且於反應結束後亦無須進行粒狀化之於工業上有利的雙醯亞胺二羧酸之製造方法。該目的係藉由一種雙醯亞胺二羧酸之製造方法達成，其係自三羧酸酐及二胺製造雙醯亞胺二羧酸之方法，且包括下述步驟(i)、(ii)：步驟(i)：於將三羧酸酐或二胺中之熔點較高之成分設為高熔點成分，將熔點較低之成分設為低熔點成分時，以未達高熔點成分之熔點且低熔點成分之熔點以上對高熔點成分加熱，並以使高熔點成分保持其固體狀態之方式對高熔點成分添加低熔點成分，而獲得混合物的步驟；以及步驟(ii)：對在步驟(i)中獲得之混合物以保持其固體狀態之方式進行加熱，而獲得雙醯亞胺二羧酸的步驟。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种实质上不使用溶剂且于反应结束后亦无须进行粒状化之于工业上有利的双酰亚胺二羧酸之制造方法。该目的系借由一种双酰亚胺二羧酸之制造方法达成，其系自三羧酸酐及二胺制造双酰亚胺二羧酸之方法，且包括下述步骤(i)、(ii)：步骤(i)：于将三羧酸酐或二胺中之熔点较高之成分设为高熔点成分，将熔点较低之成分设为低熔点成分时，以未达高熔点成分之熔点且低熔点成分之熔点以上对高熔点成分加热，并以使高熔点成分保持其固体状态之方式对高熔点成分添加低熔点成分，而获得混合物的步骤；以及步骤(ii)：对在步骤(i)中获得之混合物以保持其固体状态之方式进行加热，而获得双酰亚胺二羧酸的步骤。

8. 发明专利

TW201509682A 積層體及其處理方法暨可撓性裝置之製造方法审中-公开
简体标题：积层体及其处理方法暨可挠性设备之制造方法
公开(公告)号：TW201509682A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125251
申请日：2014-07-24
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 吉田猛 , YOSHIDA, TAKESHI , 山田祐己 , YAMADA, YUKI , 森北達彌 , MORIKITA, TATSUYA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 江口壽史朗 , EGUCHI, JUSHIRO , 細田雅弘 , HOSODA, MASAHIRO , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： B32B7/00
CPC分类号： H05K1/036 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B2307/7242 , B32B2457/20 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , H05K1/0393 , H05K2201/0154 , H05K2201/0195
摘要：本發明之目的在於提供一種積層體，其聚醯亞胺系薄膜與無機基板之密接性良好，且可容易地於短時間內將聚醯亞胺系薄膜自無機基板剝離。本發明提供一種積層體，其係具有無機基板及形成於該無機基板上之聚醯亞胺系薄膜者，且具有以下之特徵：(1)聚醯亞胺系薄膜係包含聚醯亞胺系樹脂層A及聚醯亞胺系樹脂層B之積層薄膜，聚醯亞胺系樹脂層A全面與上述無機基板相接，且形成於聚醯亞胺系樹脂層A之表面之聚醯亞胺系樹脂層B之一部分與上述無機基板相接；(2)聚醯亞胺系樹脂層A與上述無機基板之黏著強度為2N/cm以下；(3)聚醯亞胺系樹脂層B與上述無機基板之黏著強度超過2N/cm；及(4)與上述無機基板相接之聚醯亞胺系樹脂層B可藉由吸濕處理而自上述無機基板剝離。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种积层体，其聚酰亚胺系薄膜与无机基板之密接性良好，且可容易地于短时间内将聚酰亚胺系薄膜自无机基板剥离。本发明提供一种积层体，其系具有无机基板及形成于该无机基板上之聚酰亚胺系薄膜者，且具有以下之特征：(1)聚酰亚胺系薄膜系包含聚酰亚胺系树脂层A及聚酰亚胺系树脂层B之积层薄膜，聚酰亚胺系树脂层A全面与上述无机基板相接，且形成于聚酰亚胺系树脂层A之表面之聚酰亚胺系树脂层B之一部分与上述无机基板相接；(2)聚酰亚胺系树脂层A与上述无机基板之黏着强度为2N/cm以下；(3)聚酰亚胺系树脂层B与上述无机基板之黏着强度超过2N/cm；及(4)与上述无机基板相接之聚酰亚胺系树脂层B可借由吸湿处理而自上述无机基板剥离。

9. 发明专利

TWI698427B 雙醯亞胺二羧酸之製造方法有权
简体标题：双酰亚胺二羧酸之制造方法
公开(公告)号：TWI698427B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105110738
申请日：2016-04-06
申请人：日商尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：福林夢人 , FUKUBAYASHI, YUMETO , 中井誠 , NAKAI, MAKOTO , 繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI
IPC分类号： C07D209/48

10. 发明专利

TW201634273A 積層體、其製造方法及使用方法、暨玻璃基板積層用聚醯亞胺前驅體溶液审中-公开
简体标题：积层体、其制造方法及使用方法、暨玻璃基板积层用聚酰亚胺前驱体溶液
公开(公告)号：TW201634273A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105101851
申请日：2016-01-21
申请人：尤尼吉可股份有限公司 , UNITIKA LTD.
发明人：繁田朗 , SHIGETA, AKIRA , 吉田猛 , YOSHIDA, TAKESHI , 山田祐己 , YAMADA, YUKI , 森北達彌 , MORIKITA, TATSUYA , 山田宗紀 , YAMADA, MUNENORI , 越後良彰 , ECHIGO, YOSHIAKI
IPC分类号： B32B17/10 , B32B27/20 , B32B27/34 , B32B7/06 , C03C17/32 , G09F9/00 , G02F1/1333 , H05B33/02 , C09D179/08 , C09D7/12
CPC分类号： B32B17/10 , C08L79/08 , G02F1/1333 , H01L51/50 , H05B33/04
摘要：本發明之目的在於提供一種積層體，其係包括聚醯亞胺覆膜及玻璃基板者，於自玻璃基板剝離聚醯亞胺覆膜時，具有良好之剝離特性，且剝離之聚醯亞胺覆膜不易捲曲。本發明係關於一種積層體，其係包含玻璃基板、及形成於該玻璃基板上之包括含填料之聚醯亞胺層之聚醯亞胺覆膜者，其特徵在於：填料之熱膨脹係數為10ppm/℃以下。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种积层体，其系包括聚酰亚胺覆膜及玻璃基板者，于自玻璃基板剥离聚酰亚胺覆膜时，具有良好之剥离特性，且剥离之聚酰亚胺覆膜不易卷曲。本发明系关于一种积层体，其系包含玻璃基板、及形成于该玻璃基板上之包括含填料之聚酰亚胺层之聚酰亚胺覆膜者，其特征在于：填料之热膨胀系数为10ppm/℃以下。

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