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1. 发明专利

TW200417932A 記憶卡及電子裝置审中-公开
简体标题：记忆卡及电子设备
公开(公告)号：TW200417932A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092133411
申请日：2003-11-27
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP. , 日立超愛爾愛斯愛系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEMS CO., LTD.
发明人：倉形繁男 , 片山國弘 , 金森賢樹 , 四方淳史 , 飯田哲也
IPC分类号： G06K
CPC分类号： G06K19/0701 , G06K19/07
摘要：本發明的課題在於：降低因記憶卡之輸入端子的提升電阻所造成的電力耗損，以達成防止因記憶卡之輸入端子的提升電阻與主機裝置之下拉電阻間的關係所形成的錯誤動作。為達成上述課題，本案的記憶卡(1)具有連接於提升電阻的選擇端子(P0)。選擇端子的提升電阻，可在根據選擇端子的輸入來判定卡片模式的判定時機之前選擇較小的阻抗值，並在前述判定模式之後恢復成原先的阻抗值。較大的阻抗值可降低選擇端子之提升電阻所耗損的洩漏電流。雖然當下拉電阻(32)被連接於安裝有記憶卡之記憶卡主機的端子時，一旦提升阻抗值過大，將會受到因下拉電阻所形成之導入現象的影響，但只要於模式判定時降低選擇端子的提升阻抗，便可避免受到因下拉電阻之電位導入的不良影響。
简体摘要：本发明的课题在于：降低因记忆卡之输入端子的提升电阻所造成的电力耗损，以达成防止因记忆卡之输入端子的提升电阻与主机设备之下拉电阻间的关系所形成的错误动作。为达成上述课题，本案的记忆卡(1)具有连接于提升电阻的选择端子(P0)。选择端子的提升电阻，可在根据选择端子的输入来判定卡片模式的判定时机之前选择较小的阻抗值，并在前述判定模式之后恢复成原先的阻抗值。较大的阻抗值可降低选择端子之提升电阻所耗损的泄漏电流。虽然当下拉电阻(32)被连接于安装有记忆卡之记忆卡主机的端子时，一旦提升阻抗值过大，将会受到因下拉电阻所形成之导入现象的影响，但只要于模式判定时降低选择端子的提升阻抗，便可避免受到因下拉电阻之电位导入的不良影响。

2. 发明专利

TW200604810A 記憶裝置及資料處理裝置 NONVOLATILE MEMORY AND DATA PROCESSING SYSTEM 审中-公开
简体标题：记忆设备及数据处理设备 NONVOLATILE MEMORY AND DATA PROCESSING SYSTEM
公开(公告)号：TW200604810A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094101002
申请日：2005-01-13
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.
发明人：金森賢樹 , 深澤真一 , 倉形繁男 , 飯田哲也 , 淺利信介
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G11C16/20 , G11C16/22 , G11C2216/30
摘要：〔課題〕使得搭載IC卡晶片之記憶卡的IC卡晶片的動作速度或消耗電力可以做變更。〔解決手段〕具備：卡控制器(4)、可改寫非揮發性記憶體(5)及IC卡晶片(6)；卡控制器可以響應由外部所給予的特定指令而將響應對於IC卡晶片的重置指示，由IC卡晶片輸出的重置應答資訊(ATR)，及顯示快閃記憶體的抹除單位之資訊的至少其中一方的資訊輸出外部。卡主機參考ATR資訊可使卡控制器變更IC卡晶片的動作速度或者動作頻率等。卡主機在對於非揮發性記憶體的記憶資訊的改寫時，藉由參考顯示起始化單位之資訊，可將符合起始化單位量的寫入資料送給記憶裝置後，再給予寫入指示。
简体摘要：〔课题〕使得搭载IC卡芯片之记忆卡的IC卡芯片的动作速度或消耗电力可以做变更。〔解决手段〕具备：卡控制器(4)、可改写非挥发性内存(5)及IC卡芯片(6)；卡控制器可以响应由外部所给予的特定指令而将响应对于IC卡芯片的重置指示，由IC卡芯片输出的重置应答信息(ATR)，及显示闪存的抹除单位之信息的至少其中一方的信息输出外部。卡主机参考ATR信息可使卡控制器变更IC卡芯片的动作速度或者动作频率等。卡主机在对于非挥发性内存的记忆信息的改写时，借由参考显示起始化单位之信息，可将符合起始化单位量的写入数据送给记忆设备后，再给予写入指示。

3. 发明专利

TW200415650A 非揮發性記憶裝置审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备
公开(公告)号：TW200415650A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW092132436
申请日：2003-11-19
申请人：瑞薩科技股份有限公司 RENESAS TECHNOLOGY CORP.
发明人：飯田哲也 , 金森賢樹 , 四方淳史 , 田村隆之 , 片山國弘
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06K19/07732 , G06K19/07
摘要：本發明的目的在提供，可以保証內設非揮發性記憶器的卡片型記憶裝置的互換性，同時可以達成轉送資料高速化的技術。在內設非揮發性記憶器(110)的卡片型記憶裝置，配設複數個外部端子(131、137～143)，同時在主介面部(122)配設用以辨別資料端子的位準的電路(221)，將上述複數個資料端子的全部或其中幾個連接在用以提昇到電源電壓的提昇電阻器(R0～R7)，當上述辨別電路判定連接提昇電阻器的資料端子是在開路狀態時，切換資料的匯流排寬度(位元數)。
简体摘要：本发明的目的在提供，可以保证内设非挥发性记忆器的卡片型记忆设备的互换性，同时可以达成转送数据高速化的技术。在内设非挥发性记忆器(110)的卡片型记忆设备，配设复数个外部端子(131、137～143)，同时在主界面部(122)配设用以辨别数据端子的位准的电路(221)，将上述复数个数据端子的全部或其中几个连接在用以提升到电源电压的提升电阻器(R0～R7)，当上述辨别电路判定连接提升电阻器的数据端子是在开路状态时，切换数据的总线宽度(比特数)。

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