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1. 发明专利

TW201631197A 硫屬化物薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201631197A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861
摘要：本揭露提供一種硫屬化物薄膜之製造方法。此方法包括：提供基底於腔室中；實行第一原子層沉積製程以形成第一氧化物薄膜於基底上方；實行第一硫屬化製程，包括注入第一硫屬元素，以使第一氧化物薄膜轉變為第一硫屬化物薄膜；於第一硫屬化物薄膜上實行退火製程。
简体摘要：本揭露提供一种硫属化物薄膜之制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积制程以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化制程，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火制程。

2. 发明专利

TWI582261B 硫屬化物薄膜之製造方法有权
简体标题：硫属化物薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI582261B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105103236
申请日：2016-02-02
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANOTECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/56 , C23C28/04
CPC分类号： H01L29/66969 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/56 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/477 , H01L29/861

3. 发明专利

TWI570263B 光輔助原子層沉積方法有权
简体标题：光辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TWI570263B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104125979
申请日：2015-08-10
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452

4. 发明专利

TW201631230A 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備审中-公开
简体标题：二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备
公开(公告)号：TW201631230A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104121335
申请日：2015-07-01
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C23C16/52 , C01B19/04
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262
摘要：一種二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備。二維層狀硫族化合物的合成方法包括加熱基材至反應溫度；暴露基材於催化氣體、前驅物蒸氣及硫族前驅物氣體中；利用一氣體活化單元來離子化催化氣體與硫族前驅物氣體，藉以產生能量化粒子，其中能量化粒子與前驅物蒸氣反應而形成硫族化合物氣體；及降低基材的溫度，以使硫族化合物氣體沉積於基材上而形成二維層狀硫族化合物。
简体摘要：一种二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备。二维层状硫族化合物的合成方法包括加热基材至反应温度；暴露基材于催化气体、前驱物蒸气及硫族前驱物气体中；利用一气体活化单元来离子化催化气体与硫族前驱物气体，借以产生能量化粒子，其中能量化粒子与前驱物蒸气反应而形成硫族化合物气体；及降低基材的温度，以使硫族化合物气体沉积于基材上而形成二维层状硫族化合物。

5. 发明专利

TWI532892B 二維層狀硫族化合物的合成方法及製程設備有权
简体标题：二维层状硫族化合物的合成方法及制程设备
公开(公告)号：TWI532892B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW104121335
申请日：2015-07-01
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C30B29/46 , C30B25/08 , C30B25/16 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/30 , C23C16/52 , C01B19/04
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C16/305 , C23C16/448 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/482 , C30B25/105 , C30B29/46 , C30B29/60 , H01J37/32321 , H01J37/32339 , H01J2237/3321 , H01L21/0262

6. 发明专利

TW201706441A 光輔助原子層沉積方法审中-公开
简体标题：光辅助原子层沉积方法
公开(公告)号：TW201706441A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW104125979
申请日：2015-08-10
申请人：炬力奈米科技有限公司 , G-FORCE NANO TECHNOLOGY LTD.
发明人：葉昭輝 , YEH, CHAO HUI , 邱壬官 , CHIU, JEN KUAN
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/48
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/452
摘要：本發明揭露了一種光輔助原子層沉積方法，其包含下列步驟：準備製程系統，其中製程系統包含製程腔體以及連接製程腔體的第一進氣管路，且第一進氣管路包含具有透光側壁的預腔體；通入第一氣體至預腔體中；以紫外線透過透光側壁照射預腔體內部；以及，使照射過紫外光的第一氣體進入製程腔體。由於第一氣體在預腔體中被紫外光照射而加強第一氣體之活性，因此照射過紫外光之氣體進入製程腔體中較容易反應完全，減少前驅物之配體官能基殘留，以提升成膜品質。
简体摘要：本发明揭露了一种光辅助原子层沉积方法，其包含下列步骤：准备制程系统，其中制程系统包含制程腔体以及连接制程腔体的第一进气管路，且第一进气管路包含具有透光侧壁的预腔体；通入第一气体至预腔体中；以紫外线透过透光侧壁照射预腔体内部；以及，使照射过紫外光的第一气体进入制程腔体。由于第一气体在预腔体中被紫外光照射而加强第一气体之活性，因此照射过紫外光之气体进入制程腔体中较容易反应完全，减少前驱物之配体官能基残留，以提升成膜品质。

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