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1. 发明专利

JP6373233B2 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法审中-公开
公开(公告)号：JP6373233B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2015150668
申请日：2015-07-30
申请人：濱田重工株式会社
发明人：阿部耕三
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/66

2. 发明专利

JP6379076B2 単結晶SiCウェハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP6379076B2
公开(公告)日：2018-08-22
申请号：JP2015161965
申请日：2015-08-19
申请人：濱田重工株式会社
发明人：阿部耕三
IPC分类号： H01L21/66 , C30B33/10 , H01L21/308

3. 发明专利

JP2017034025A 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法审中-公开
标题翻译：的半导体晶片的加工损伤评价方法
公开(公告)号：JP2017034025A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015150668
申请日：2015-07-30
申请人：濱田重工株式会社
发明人：阿部耕三
IPC分类号： H01L21/304 , G01N23/20 , H01L21/66
摘要：【課題】単結晶炭化珪素ウェハのように、シリコンウェハに比べてダメージ深さが浅い半導体ウェハの加工ダメージをウェハ全面に亘って高精度で評価することが可能な方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハの加工面に発生する加工ダメージを評価する方法であって、半導体ウェハの加工面の少なくとも一部を該加工面に対して斜めに研磨するステップと、半導体ウェハに形成されたオリエンテーションフラット上の一点を原点とする三次元座標軸を設定し、半導体ウェハの表面形状を測定して三次元座標として記憶するステップと、半導体ウェハの傾斜面を観察又は測定して加工ダメージが消失する位置を二次元座標として記憶するステップと、半導体ウェハの表面形状を示す三次元座標と加工ダメージが消失する位置を示す二次元座標に基づいて半導体ウェハのダメージ深さを算出するステップとを備えている。【選択図】図6
摘要翻译： A作为单晶碳化硅晶片，提供一种能够评估过程损坏浅半导体晶片损伤深度比高精度地在整个晶片表面的硅晶片的方法。本发明涉及一种方法，用于评估该半导体晶片的加工表面上发生的处理损伤，包括倾斜地抛光到加压异丙苯至少在半导体晶片的加工面的一部分的步骤，它形成在半导体晶片上该取向的点平设定的三维坐标为原点为轴线，并存储为一个三维通过测量该半导体晶片的表面形状坐标，通过加工损坏半导体晶片损失的倾斜面观察或测量包括存储位置的二维坐标，并计算两维坐标的基础上，所述半导体晶片的损伤深度指示其中三维坐标处理损害的位置消失表示半导体晶片的表面形状有。点域6

4. 发明专利

JP2017041526A 単結晶SiCウェハのウェットエッチング方法並びにウェットエッチング液及びウェットエッチング装置审中-公开
标题翻译：湿蚀刻方法和单晶SiC晶片的湿蚀刻溶液，湿式蚀刻装置
公开(公告)号：JP2017041526A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015161965
申请日：2015-08-19
申请人：濱田重工株式会社
发明人：阿部耕三
IPC分类号： H01L21/66 , C30B33/10 , H01L21/308
摘要：【課題】単結晶SiCウェハの加工ダメージを、従来に比べて大幅に低い温度域で適切に除去することができるウェットエッチング方法並びにウェットエッチング液及びウェットエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明に係る単結晶SiCウェハのエッチング方法は、KMnO 4 とNaOHとを含有するウェットエッチング液により単結晶SiCウェハをウェットエッチングすることを特徴とし、ウェットエッチング液は、KMnO 4 、NaOH、及びH 2 Oの質量比がKMnO 4 :NaOH:H 2 O=1:2〜13:4〜27、ウェットエッチング液の温度は50℃〜140℃であることを好適とする。【選択図】図3
摘要翻译：单晶SiC晶片的加工损伤提供湿蚀刻法和湿蚀刻溶液和湿式蚀刻装置可在温度范围比以往显著下被适当地除去。蚀刻根据本发明的单晶SiC晶片的方法，通过含有高锰酸钾和NaOH，湿蚀刻溶液，高锰酸钾，加入NaOH湿法蚀刻液的单晶SiC晶片的特征在于，通过湿式蚀刻，和H 2 O的KMnO 4重量比的NaOH：H 2 O = 1：2〜13：4〜27，所述湿蚀刻溶液和合适的温度是50℃至140℃.. 点域

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