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2. 发明专利

TW201027547A 用於可逆電阻切換記憶體材料之設置及重置偵測電路 SET AND RESET DETECTION CIRCUITS FOR REVERSIBLE RESISTANCE SWITCHING MEMORY MATERIAL 审中-公开
简体标题：用于可逆电阻切换内存材料之设置及重置侦测电路 SET AND RESET DETECTION CIRCUITS FOR REVERSIBLE RESISTANCE SWITCHING MEMORY MATERIAL
公开(公告)号：TW201027547A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098133890
申请日：2009-10-06
申请人：桑迪士克3D公司
发明人：陳英昌 , 卡查尼加馬柯
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0066 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , H03K5/1532
摘要：本發明揭示一種用於執行一用於記憶體裝置中之可逆電阻切換記憶體元件之設置或重置程序的電路。將一斜坡電壓施加至該記憶體單元並持續地監視其狀態以使得一完成該設置或重置程序便可使該電壓放電,從而避免對該記憶體單元之可能干擾。一設置電路使用一電流源使該電壓斜坡變化,同時使用一運算放大器迴路偵測一電流峰値。一重置電路使用一運算放大器迴路使該電壓斜坡變化,同時藉由在峰値電流下繼續汲取電流以維持該輸出信號穩定來偵測電流峰値。另一設置電路使用一運算放大器迴路及一源極隨耦器組態使該電壓斜坡變化。另一重置電路使用具有位準偏移之運算放大器迴路及源極隨耦器組態使該電壓斜坡變化以減少電力消耗。得以達成較快偵測及關閉以及穩定之操作。
简体摘要：本发明揭示一种用于运行一用于内存设备中之可逆电阻切换内存组件之设置或重置进程的电路。将一斜坡电压施加至该内存单元并持续地监视其状态以使得一完成该设置或重置进程便可使该电压放电,从而避免对该内存单元之可能干扰。一设置电路使用一电流源使该电压斜坡变化,同时使用一运算放大器回路侦测一电流峰値。一重置电路使用一运算放大器回路使该电压斜坡变化,同时借由在峰値电流下继续汲取电流以维持该输出信号稳定来侦测电流峰値。另一设置电路使用一运算放大器回路及一源极随耦器组态使该电压斜坡变化。另一重置电路使用具有位准偏移之运算放大器回路及源极随耦器组态使该电压斜坡变化以减少电力消耗。得以达成较快侦测及关闭以及稳定之操作。

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