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    • 1. 发明专利
    • 研磨方法
    • 抛光方法
    • JP2015076449A
    • 2015-04-20
    • JP2013210387
    • 2013-10-07
    • 株式会社荏原製作所
    • 高橋 太郎川端 庸充
    • B24B37/013H01L21/304
    • B24B49/18B24B37/013
    • 【課題】より高精度にターゲット厚さまで研磨することが可能な研磨方法を提供する。 【解決手段】研磨方法は、研磨パッド10を支持する研磨テーブル30を回転させ、表面に導電性膜が形成された基板Wを研磨パッド10に押し付けて導電性膜を研磨し、導電性膜の研磨中に、研磨テーブル30内部に配置された渦電流式膜厚センサ60により導電性膜の厚さに従って変化する膜厚信号を取得し、膜厚信号に基づいて研磨パッド10の厚さを決定し、研磨パッド10の厚さに対応する導電性膜の研磨レートを決定し、研磨レートで導電性膜を所定の研磨時間Tbだけ研磨したときの予想研磨量を算出し、導電性膜のターゲット厚さに予想研磨量を加算することで仮の終点膜厚を算出し、導電性膜の厚さが仮の終点膜厚に到達した時点から所定の研磨時間Tbが経過した時に、導電性膜の研磨を終了する。 【選択図】図11
    • 要解决的问题:提供一种能够以更高精度对目标厚度进行抛光的抛光方法。解决方案:抛光方法包括:旋转用于支撑抛光垫10的抛光台30; 通过将衬底W压在表面上形成有导电膜的抛光垫10上来研磨导电膜; 通过在导电膜的研磨过程中布置在抛光台30中的涡流型膜厚度传感器60获取根据导电膜的厚度而变化的膜厚度信号; 基于膜厚度信号确定抛光垫10的厚度; 确定对应于抛光垫10的厚度的导电膜的抛光速率; 在抛光速度下仅在规定的研磨时间Tb内研磨导电膜时,计算出估计的研磨量; 将估计的抛光量与导电膜的目标厚度相加,以计算临时终点膜厚度; 在导电膜的厚度达到临时终点膜厚度之后经过规定的研磨时间Tb后,结束导电膜的研磨。