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2. 发明专利

JP2019161189A 熱伝導性無機基板及び半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019161189A
公开(公告)日：2019-09-19
申请号：JP2018050091
申请日：2018-03-16
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 神鋼リードミック株式会社
发明人：田内裕基 , 三井俊幸 , 田尾博昭
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/52 , H01L23/36
摘要：【課題】本発明は、半導体素子に生じる応力を抑制できるとともに、半導体素子の実装領域を比較的自由に規定できる熱伝導性無機基板及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の熱伝導性無機基板は、少なくとも一方の表面に半導体素子を実装するための領域を有し、この実装領域に接合材を介して半導体素子を実装する熱伝導性無機基板であって、上記実装領域内に、表面側から深さ方向に向かって開口面積が漸減する凹部を有する。上記凹部が、内周面に表面側から深さ方向に向かって上記凹部の開口幅を漸減させる1以上のテーパ部を有するとよい。上記実装領域の表面における上記凹部の開口幅が、1mm以上10mm以下であるとよい。上記凹部の深さが0.05mm以上0.5mm以下であるとよい。また、本発明の半導体装置は、上記熱伝導性無機基板と、半導体素子とを備え、上記半導体素子を上記実装領域に実装する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015128154A ベース板及びベース板を備えた半導体装置审中-公开
标题翻译：带基板的基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2015128154A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2014241659
申请日：2014-11-28
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 神鋼リードミック株式会社
发明人：田尾博昭 , 一原主税 , 慈幸範洋 , 田内裕基 , 三井俊幸
IPC分类号： B23K1/00 , H01L23/12 , B23K101/40 , H01L23/36
CPC分类号： B23K1/00 , B23K1/0016 , H01L21/52 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L2224/26175 , H01L2224/83385 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153
摘要：【課題】被接合部材の位置ずれを防止することができると共に、半導体素子等の被接合部材が発熱することによって生じる応力が緩和できるベース板及びそのベース板を用いた半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】ベース板1は、一方の実装面に、被接合部材Wが接合材Sを介して接合されるベース板であって、前記被接合部材が接合される前記実装面の接合位置に、前記接合材を介して前記被接合部材を接合するための凹所3を備え、前記凹所は、凹所開口面積が前記被接合部材よりも大きく、前記被接合部材の外周縁が対面する凹所外周部5において凹所中央部4よりも窪みの深さが深くなるように構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止接合部件的位置偏移的基板，并且减小由诸如半导体元件的接合部件的发热引起的应力; 并且提供使用该基板的半导体器件。解决方案：基板1是基板，接合部件W经由接合材料S接合在一个安装表面上，并且包括用于通过接合将接合部件接合的凹部3 粘合部件要粘合的安装面的接合位置的材料。凹部形成为使得凹部开口的面积大于接合部件，并且凹部的深度在与接合部件的外周边缘相对的凹部周边5处比在凹部中心部 4。

4. 发明专利

JP2015148602A 超音波探傷方法有权
标题翻译：超声波检测方法
公开(公告)号：JP2015148602A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2015000299
申请日：2015-01-05
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：高枩弘行 , 田尾博昭 , 伊藤良規
IPC分类号： G01N29/34 , G01N29/11
摘要：【課題】超音波探傷方法を提供する簡便に超音波散乱ノイズの影響を抑制しつつ、正確に被検査体の内部に存在する欠陥を検出する超音波探傷方法を提供する。【解決手段】本発明の超音波探傷方法は、被検査体Wに対して超音波Mを送出し、前記被検査体Wの内部に存在する欠陥で反射した反射超音波を受波することにより、前記被検査体Wの内部に存在する欠陥Kを検出する超音波探傷方法において、前記被検査体Wの内部での伝播方向に対する波長が互いに異なる複数の超音波Mを送出して当該被検査体Wの内部を探傷し、当該探傷で得られた反射超音波の受波波形を基に、前記被検査体Wの内部に存在する欠陥を検出する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够容易地抑制超声波散射噪声的影响的同时正确地检测被检体内的缺陷的超声波探伤方法。解决方案：在通过发送来检测被检体W中存在的缺陷K的超声波探伤方法中，超声波M到对象W，并且接收在存在于对象W中的缺陷上反射的反射超声波，发送相对于被摄体W中的传播方向具有相互不同波长的多个超声波M，以执行基于通过缺陷检测获得的反射超声波的接收波形来检测被检体W中的缺陷检测以及存在于被检体W中的缺陷。

5. 发明专利

JP2019034333A パルスアーク溶接方法、溶接物の製造方法および溶接用電源装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019034333A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017158981
申请日：2017-08-22
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：北村佳昭 , 田尾博昭
IPC分类号： B23K9/09
摘要：【課題】パルスアーク溶接におけるスパッタの発生を抑制する。【解決手段】シールドガスと溶接ワイヤとを用いたパルスアーク溶接方法において、繰り返される溶接周期T w は、第1期間T 1 と第2期間T 2 と第3期間T 3 とを含む。第1期間T 1 では、溶接電流Iとして、10msec以下となる第1パルス幅にて第1ピーク電流値I p1 を供給し、第1期間T 1 に続く第2期間T 2 では、溶接電流Iとして、100nsec以下となる第2パルス幅にて第1ピーク電流値I p1 よりも電流値が大きい第2ピーク電流値I p2 を供給し、第2期間T 2 に続く第3期間T 3 では、溶接電流Iとして、第1ピーク電流値I p1 よりも電流値が小さいベース電流値I b を供給する。【選択図】図4

6. 发明专利

JP6479478B2 超音波探傷方法有权
公开(公告)号：JP6479478B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015000299
申请日：2015-01-05
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：高枩弘行 , 田尾博昭 , 伊藤良規
IPC分类号： G01N29/34 , G01N29/11

7. 发明专利

JP5722293B2 薄膜トランジスタ有权
公开(公告)号：JP5722293B2
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：JP2012231805
申请日：2012-10-19
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：田尾博昭 , 前田剛彰 , 三木綾 , 釘宮敏洋 , 安秉斗 , 具素英 , 金建熙
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693

8. 发明专利

JP2017050545A 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物の製造方法、および薄膜トランジスタの特性を向上する方法有权
公开(公告)号：JP2017050545A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2016194848
申请日：2016-09-30
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：田尾博昭 , 三木綾 , 森田晋也 , 安野聡 , 釘宮敏洋 , 朴在佑 , 李制勳 , 安秉斗 , 金建熙
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/363 , C01G19/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02587 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L29/12 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , G02F1/1368
摘要：【課題】スイッチング特性に優れ、スパッタレートが高く、且つ、ウェットエッチング残渣の発生しない薄膜トランジスタの半導体層用酸化物薄膜を提供する。【解決手段】In、ZnおよびSnを少なくとも含むIn−Zn−Sn系酸化物であって、金属元素の含有量(原子%)を[Zn]、[Sn]および[In]としたとき、[In]/([In]+[Sn])≦0.5のときは下式(2)、(4)を満足し、[In]/([In]+[Sn])>0.5のときは下式(1)、(3)、(4)を満足する薄膜トランジスタ用酸化物。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦0.3・・・(1)、[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}−0.5・・・(2)、[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≦0.83・・・(3)、0.1≦[In]/([In]+[Zn]+[Sn])・・・(4) 【選択図】図2

9. 发明专利

JP6077978B2 薄膜トランジスタおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6077978B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2013228697
申请日：2013-11-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：森田晋也 , 越智元隆 , 後藤裕史 , 釘宮敏洋 , 廣瀬研太 , 田尾博昭 , 高梨泰幸
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C01G19/00 , H01L21/465 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606

10. 发明专利

JP5961314B2 酸化物半導体薄膜の膜質管理方法有权
标题翻译：的氧化物半导体薄膜的质量管理方法
公开(公告)号：JP5961314B2
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：JP2015184439
申请日：2015-09-17
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 田尾博昭 , 越智元隆 , 釘宮敏洋 , 川上信之
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/66 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： G01N22/00 , H01L29/786

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