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1. 发明申请

WO2009128542A1 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置审中-公开
标题翻译：导线结构，薄膜晶体管基板，制造薄膜晶体管基板的方法和显示装置
公开(公告)号：WO2009128542A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/JP2009/057791
申请日：2009-04-17
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
发明人：川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ－Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層に含まれる窒素、炭素、およびフッ素の少なくとも一種の元素は、前記半導体層に含まれるＳｉと結合している配線構造に関する。
摘要翻译：提供一种直接接触技术，通过该技术可以消除由纯Al或Al合金构成的Al合金布线与半导体层之间的阻挡金属层，并且Al合金布线可以在宽的范围内直接且可靠地连接到半导体层过程保证金在布线结构中，半导体层和由纯Al或Al合金构成的Al合金膜从基板侧依次设置在基板上。包含选自由氮，碳和氟组成的组中的至少一种元素和包含Al和Si的Al-Si扩散层的（N，C，F）层的多层结构按此顺序包括从衬底侧在半导体层和Al合金膜之间。在（N，C，F）层中包含的至少一种元素即氮或碳或氟与包含在半导体层中的Si键合。

2. 发明专利

JP6283273B2 薄膜トランジスタ評価用の積層構造体の評価方法有权
公开(公告)号：JP6283273B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2014136349
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 三木綾 , 川上信之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R1/06 , G01R31/2623 , G01R31/27 , H01L21/28 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L27/32 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L29/78693

3. 发明专利

JP2016054171A 薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、およびスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管，薄膜晶体管和溅射靶的氧化物半导体薄膜
公开(公告)号：JP2016054171A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014178470
申请日：2014-09-02
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：越智元隆 , 森田晋也 , 三木綾 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/34 , C04B35/00 , C04B35/457 , H01L29/786
CPC分类号： C04B35/00 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
摘要：【課題】薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜であって、優れたウェットエッチング耐性、具体的には、上記酸化物半導体薄膜の上に形成されるソース・ドレイン電極のパターニング時に、無機酸系や過酸化水素系の酸系エッチング液に浸漬させても、膜減りが抑えられ、表面荒れの抑えられた酸化物半導体薄膜を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタの、前記半導体層に用いられる酸化物半導体薄膜であって、金属元素としてIn、GaおよびSnと;Oと;で構成される酸化物からなり、該In、Ga、Snの各原子数比がそれぞれ、0.30≦In/(In+Ga+Sn)≦0.50、0.20≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30、0.25≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.45を満たし、かつ前記SnとInの原子数比であるSn/Inが0.50以上である薄膜トランジスタの酸化物半導体薄膜。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有优异的耐湿蚀刻性的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜，特别是在形成在氧化物半导体薄膜上的源/漏电极上进行图案化时，膜的还原即使将氧化物半导体薄膜浸渍在基于无机酸蚀刻剂的酸性蚀刻剂和基于过氧化氢的蚀刻剂中时，也抑制了厚度，并抑制了表面粗糙度。解决方案：薄膜的氧化物半导体薄膜用于半导体层的晶体管，薄膜晶体管的氧化物半导体膜由作为金属元素的In，Ga和Sn组成的氧化物和O组成; 各原子数的比例满足0.30≤In/（In + Ga + Sn）≤0.50,0.20≤Ga/（In + Ga + Sn）≤0.30,0.25≤Sn/（In + Ga + Sn）≤0.45 ; Sn和In的原子数之比Sn / In等于或高于0.50.SELECTED DRAWING：None

4. 发明专利

JP2016015390A 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価素子及び評価装置有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜评估方法，氧化物半导体薄膜质量控制方法和用于评估方法的评估元件和评估装置
公开(公告)号：JP2016015390A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014136349
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 三木綾 , 川上信之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
摘要：【課題】酸化物半導体薄膜と、酸化物半導体薄膜の表面に形成される保護膜を有するTFTにおいて、酸化物半導体薄膜と保護膜との界面準位に起因する欠陥(TFTに正バイアスのストレスを印加したときのストレス耐性)を、これらの特性を実際に測定することなく簡便に評価(予測・推定)する方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体薄膜の電気抵抗率を接触式方法または非接触式方法によって測定することにより、界面準位に起因する欠陥を評価する。界面準位に起因する欠陥は、下記(1)〜(3)のいずれかである。(1)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したときのしきい値電圧Vth、(2)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したとき、印加前後のしきい値電圧の差ΔVth、(3)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したときのしきい値電圧を複数回測定したとき、1回目に測定したときのしきい値【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种简单地评估（估计/推定）缺陷特性的方法（当对TFT施加正的偏置应力时的应力电阻），而不实际测量由氧化物半导体薄膜和具有氧化物半导体薄膜的TFT的保护膜和形成在氧化物半导体薄膜的表面上的保护膜。解决方案：氧化物半导体薄膜评估方法包括以接触方式或非接触方式测量电阻率的步骤 - 接触方式来评估由界面状态引起的缺陷。由接口状态引起的缺陷是以下任何一种缺陷（1） - （3）：（1）向薄膜晶体管施加正偏压时的阈值电压Vth; （2）向薄膜晶体管施加正偏压之前和之后的阈值电压之间的差Dgr; Vth; 以及（3）当向薄膜晶体管施加正偏压时，在多次测量阈值电压的第一时间测量的阈值。

5. 发明专利

JP5723262B2 薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット有权
标题翻译：薄膜晶体管和所述溅射靶
公开(公告)号：JP5723262B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011263000
申请日：2011-11-30
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：森田晋也 , 三木綾 , 安野聡 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/086 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02614 , H01L21/02631 , H01L29/78693

6. 发明专利

JP6204036B2 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法有权
公开(公告)号：JP6204036B2
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：JP2013055795
申请日：2013-03-18
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 岸智弥 , 三木綾 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/66
CPC分类号： G01N21/6489 , H01L22/12 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693

7. 发明专利

JP6018551B2 薄膜トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6018551B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2013169246
申请日：2013-08-16
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：後藤裕史 , 三木綾 , 岸智弥 , 廣瀬研太 , 森田晋也 , 釘宮敏洋 , 安秉斗 , 金建熙 , 金連洪
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78693 , C23C14/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/78696

8. 发明专利

JP2016111324A 薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2016111324A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015132533
申请日：2015-07-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：越智元隆 , 高梨泰幸 , 三木綾 , 後藤裕史 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/363 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/467 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/3464 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L21/02565 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】約40cm 2 /Vs以上の極めて高い移動度を有する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体薄膜、酸化物半導体薄膜を保護するためのエッチストップ層、ソース・ドレイン電極、および保護膜をこの順序で有する薄膜トランジスタであって、酸化物半導体薄膜は、金属元素としてIn、GaおよびSnと;Oと;で構成される酸化物からなり、In、GaおよびSnの合計に対する各金属元素の原子数比が下記式(1)〜(3)を満たすアモルファス構造を有し、前記エッチストップ層及び前記保護膜の少なくとも一方がSiNxを含む。 0.30≦In/(In+Ga+Sn)≦0.50 ・・・(1) 0.20≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30 ・・・(2) 0.25≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.45 ・・・(3) 【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有超过40cm / Vs的极高迁移率的薄膜晶体管。解决方案：在具有衬底的薄膜晶体管中，栅电极，栅极绝缘膜，氧化物半导体薄膜，用于依次保护氧化物半导体薄膜，源/漏电极和保护膜的蚀刻停止层，氧化物半导体薄膜由作为金属元素的In，Ga和Sn组成的氧化物和O组成; 并且具有非晶结构，其中各金属元素的原子数比与In，Ga和Sn之和满足下式（1） - （3），其中至少一个蚀刻停止层和保护膜含有SiNx ：0.30≤In/（In + Ga + Sn）≤0.50（1）; 0.20≤Ga/（In + Ga + Sn）≤0.30（2）; 0.25≤Sn/（In + Ga + Sn）≤0.45（3）。选择图：图1

9. 发明专利

JP5798669B2 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価装置有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜的方法评价，和氧化物半导体薄膜的质量控制方法，和评价装置在上述评价方法中使用的
公开(公告)号：JP5798669B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014104629
申请日：2014-05-20
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 川上信之 , 三木綾 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/66
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N27/04 , H01L22/12 , H01L29/7869 , H01L22/14

10. 发明专利

JP6068232B2 薄膜トランジスタの半導体層用酸化物、薄膜トランジスタ、表示装置およびスパッタリングターゲット有权
标题翻译：薄膜晶体管的半导体层的氧化，薄膜晶体管，显示装置和溅射靶
公开(公告)号：JP6068232B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013073723
申请日：2013-03-29
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：森田晋也 , 廣瀬研太 , 三木綾 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L21/336 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01J2237/332

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