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1. 发明申请

WO2009128542A1 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置审中-公开
标题翻译：导线结构，薄膜晶体管基板，制造薄膜晶体管基板的方法和显示装置
公开(公告)号：WO2009128542A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/JP2009/057791
申请日：2009-04-17
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
发明人：川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ－Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層に含まれる窒素、炭素、およびフッ素の少なくとも一種の元素は、前記半導体層に含まれるＳｉと結合している配線構造に関する。
摘要翻译：提供一种直接接触技术，通过该技术可以消除由纯Al或Al合金构成的Al合金布线与半导体层之间的阻挡金属层，并且Al合金布线可以在宽的范围内直接且可靠地连接到半导体层过程保证金在布线结构中，半导体层和由纯Al或Al合金构成的Al合金膜从基板侧依次设置在基板上。包含选自由氮，碳和氟组成的组中的至少一种元素和包含Al和Si的Al-Si扩散层的（N，C，F）层的多层结构按此顺序包括从衬底侧在半导体层和Al合金膜之间。在（N，C，F）层中包含的至少一种元素即氮或碳或氟与包含在半导体层中的Si键合。

2. 发明专利

JP2017218636A 成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017218636A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2016114472
申请日：2016-06-08
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：川上信之
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
摘要：【課題】空間分離型ALD技術を用いた連続成膜プロセスにおいて、基材と原料供給ヘッドとが接触することなく、かつ高い生産性を実現できる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置は、原料供給ヘッド11と原料供給部と駆動部を備える。原料供給ヘッド11は、基材13と対向する面に、少なくとも1つの前駆体原料を供給する前駆体原料供給口15と、少なくとも1つの反応性原料を供給する反応性原料供給口17とがそれぞれ配置され、前駆体原料供給口15と反応性原料供給口17との間には、少なくとも1つの真空排気口19が配置される。原料供給ヘッド11の可動方向は、前駆体原料供給口15、真空排気口19、反応性原料供給口17の順で配置される配列方向と平行であり、基材13の可動方向と原料供給ヘッド11の可動方向とは、基材の表面においてお互いに直交する関係にある。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6283273B2 薄膜トランジスタ評価用の積層構造体の評価方法有权
公开(公告)号：JP6283273B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2014136349
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 三木綾 , 川上信之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2656 , G01R1/06 , G01R31/2623 , G01R31/27 , H01L21/28 , H01L22/12 , H01L22/14 , H01L27/32 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L29/78693

4. 发明专利

JP2016015390A 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価素子及び評価装置有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜评估方法，氧化物半导体薄膜质量控制方法和用于评估方法的评估元件和评估装置
公开(公告)号：JP2016015390A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014136349
申请日：2014-07-01
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 三木綾 , 川上信之
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/28 , H01L29/786
摘要：【課題】酸化物半導体薄膜と、酸化物半導体薄膜の表面に形成される保護膜を有するTFTにおいて、酸化物半導体薄膜と保護膜との界面準位に起因する欠陥(TFTに正バイアスのストレスを印加したときのストレス耐性)を、これらの特性を実際に測定することなく簡便に評価(予測・推定)する方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体薄膜の電気抵抗率を接触式方法または非接触式方法によって測定することにより、界面準位に起因する欠陥を評価する。界面準位に起因する欠陥は、下記(1)〜(3)のいずれかである。(1)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したときのしきい値電圧Vth、(2)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したとき、印加前後のしきい値電圧の差ΔVth、(3)薄膜トランジスタに正バイアスを印加したときのしきい値電圧を複数回測定したとき、1回目に測定したときのしきい値【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种简单地评估（估计/推定）缺陷特性的方法（当对TFT施加正的偏置应力时的应力电阻），而不实际测量由氧化物半导体薄膜和具有氧化物半导体薄膜的TFT的保护膜和形成在氧化物半导体薄膜的表面上的保护膜。解决方案：氧化物半导体薄膜评估方法包括以接触方式或非接触方式测量电阻率的步骤 - 接触方式来评估由界面状态引起的缺陷。由接口状态引起的缺陷是以下任何一种缺陷（1） - （3）：（1）向薄膜晶体管施加正偏压时的阈值电压Vth; （2）向薄膜晶体管施加正偏压之前和之后的阈值电压之间的差Dgr; Vth; 以及（3）当向薄膜晶体管施加正偏压时，在多次测量阈值电压的第一时间测量的阈值。

5. 发明专利

JP2017057459A バリアフィルムの製造方法及びプラズマCVD装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017057459A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015182908
申请日：2015-09-16
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：慈幸範洋 , 川上信之 , 沖本忠雄
IPC分类号： C23C16/50 , B32B9/00 , H01L21/316 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/02 , H01L31/049 , C23C16/42
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】プラズマCVD法でのバリア層の成膜において、装置構成の大がかりな変更を伴うことなく成膜速度を増加できる技術を提供する。【解決手段】本発明は、プラズマCVD法によって、基材フィルムの片面もしくは両面にケイ素、炭素及び酸素を含むバリア層を形成するバリアフィルムの製造方法であって、前記プラズマCVD法のバリア層形成用ガスは、有機ケイ素化合物ガス及び酸化性ガスを含有し、前記有機ケイ素化合物を完全に酸化した場合の化学反応式において、酸化反応によって生成する分子の全分子数をA、前記有機ケイ素化合物中のケイ素の原子数をBとするとき、(A−B)/Bの値が6.75以下であることを特徴とするバリアフィルムの製造方法である。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017030348A 積層膜及び熱線反射材审中-公开
标题翻译：叠层膜和热反射材料
公开(公告)号：JP2017030348A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016085928
申请日：2016-04-22
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：慈幸範洋 , 川上信之 , 田尾博昭
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , G02B5/26 , G02B5/28 , C23C14/06 , B32B7/02
摘要：【課題】銀が凝集することなく、良好な光学特性を発揮できる積層膜、及びこれを用いた熱線反射材を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の積層膜は、第1の金属酸化物層を介して第1の銀合金層と第2の銀合金層が積層される第1の積層体の両側に、第2の積層体をそれぞれ1以上有する積層膜であって、第2の積層体では、第2の金属酸化物層と、第2の金属酸化物層よりも屈折率の大きな高屈折率層が積層され、前記第1及び第2の銀合金層は、合金元素として(a)Cu及びPd、(b)Cu及びNd、(c)Bi及びZn、(d)Bi及びNd、(e)Biのいずれかを含む銀合金であり、前記第1及び第2の金属酸化物層の波長200〜1000nmにおける平均屈折率は2.0未満であり、前記高屈折率層の波長200〜1000nmにおける平均屈折率は2.0以上である。【選択図】図1
摘要翻译：不含银甲结块，并且，获得层叠膜，并使用相同的热反射材料可表现出优异的光学特性。本发明的层压膜中，在第一层压体的两侧，其中，第一银合金层，并且经由第一金属氧化物层中的第二银合金层进行层压，所述第二具有层叠体1或层叠膜更，分别在所述第二堆叠，第二金属氧化物层，其具有比第二金属氧化物层的层叠折射率高的折射率大的高折射率层，所述第一和第二银合金层作为合金元素（A）的Cu和Pd的一个（b）中的Cu和Nd，（c）中的Bi和Zn，（d）中的Bi和Nd，（e）中的Bi 含的平均折射率在波长200〜1000nm的第一和第二金属氧化物层的银合金小于2.0，在一个波长的平均折射率的高折射率层的200〜1000nm的是2.0或更它是。点域1

7. 发明专利

JP5993496B2 酸化物半導体薄膜、及び前記酸化物半導体薄膜の表面に保護膜を有する積層体の品質評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜，以及用于具有氧化物半导体薄膜的保护表面的层叠体的品质评价方法，和氧化物半导体薄膜的质量控制方法
公开(公告)号：JP5993496B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2015116960
申请日：2015-06-09
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：川上信之 , 林和志 , 釘宮敏洋 , 越智元隆
IPC分类号： G01N22/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L29/786

8. 发明专利

JP6587574B2 積層膜及び熱線反射材有权
公开(公告)号：JP6587574B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2016085928
申请日：2016-04-22
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：慈幸範洋 , 川上信之 , 田尾博昭
IPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , G02B5/26 , G02B5/28 , C23C14/06 , B32B7/023

9. 发明专利

JP2016111330A 酸化物半導体薄膜の膜質管理方法有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜的电影质量管理方法
公开(公告)号：JP2016111330A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015184439
申请日：2015-09-17
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 田尾博昭 , 越智元隆 , 釘宮敏洋 , 川上信之
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/66 , H01L21/336
CPC分类号： G01N22/00 , H01L29/786
摘要：【課題】BCE工程の優劣、またはBCE工程後のパッシベーション絶縁膜の優劣を、非接触・非破壊で、定性的または定量的に行うことが可能な方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された酸化物半導体薄膜上に直接積層された金属薄膜を、ウェットエッチングもしくはドライエッチングによってパターニングして薄膜トランジスタのチャネル領域上の金属薄膜を除去する際に生じる酸化物半導体薄膜表面の変化を間接的にモニタリングする方法であって、前記酸化物半導体薄膜表面に対し、レーザー光を照射して前記酸化物半導体薄膜の導電率変化をマイクロ波の反射率変化としてモニタリングする。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够定性或定量评估BCE工艺的质量或BCE工艺之后的非接触，非破坏性方式的钝化绝缘膜的质量的方法。解决方案：提供了一种用于通过用湿法蚀刻或干蚀刻直接层压在氧化物半导体上的金属薄膜来间接监测在去除薄膜晶体管的沟道区上的金属薄膜时产生的氧化物半导体薄膜表面上的变化的方法薄膜形成在基板上，并且通过用激光照射氧化物半导体薄膜表面来监测氧化物半导体薄膜的电导率变化作为微波的反射率变化。图6

10. 发明专利

JP5798669B2 酸化物半導体薄膜の評価方法、及び酸化物半導体薄膜の品質管理方法、並びに上記評価方法に用いられる評価装置有权
标题翻译：氧化物半导体薄膜的方法评价，和氧化物半导体薄膜的质量控制方法，和评价装置在上述评价方法中使用的
公开(公告)号：JP5798669B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014104629
申请日：2014-05-20
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：林和志 , 川上信之 , 三木綾 , 釘宮敏洋
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/66
CPC分类号： G01N22/00 , G01N21/63 , G01N21/8422 , G01N27/04 , H01L22/12 , H01L29/7869 , H01L22/14

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