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1. 发明专利

JP2015128154A ベース板及びベース板を備えた半導体装置审中-公开
标题翻译：带基板的基板和半导体器件
公开(公告)号：JP2015128154A
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：JP2014241659
申请日：2014-11-28
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 神鋼リードミック株式会社
发明人：田尾博昭 , 一原主税 , 慈幸範洋 , 田内裕基 , 三井俊幸
IPC分类号： B23K1/00 , H01L23/12 , B23K101/40 , H01L23/36
CPC分类号： B23K1/00 , B23K1/0016 , H01L21/52 , H01L23/13 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L24/32 , H01L2224/26175 , H01L2224/83385 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15153
摘要：【課題】被接合部材の位置ずれを防止することができると共に、半導体素子等の被接合部材が発熱することによって生じる応力が緩和できるベース板及びそのベース板を用いた半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】ベース板1は、一方の実装面に、被接合部材Wが接合材Sを介して接合されるベース板であって、前記被接合部材が接合される前記実装面の接合位置に、前記接合材を介して前記被接合部材を接合するための凹所3を備え、前記凹所は、凹所開口面積が前記被接合部材よりも大きく、前記被接合部材の外周縁が対面する凹所外周部5において凹所中央部4よりも窪みの深さが深くなるように構成した。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止接合部件的位置偏移的基板，并且减小由诸如半导体元件的接合部件的发热引起的应力; 并且提供使用该基板的半导体器件。解决方案：基板1是基板，接合部件W经由接合材料S接合在一个安装表面上，并且包括用于通过接合将接合部件接合的凹部3 粘合部件要粘合的安装面的接合位置的材料。凹部形成为使得凹部开口的面积大于接合部件，并且凹部的深度在与接合部件的外周边缘相对的凹部周边5处比在凹部中心部 4。

2. 发明专利

JP2018147842A Nb3Sn超電導線材の前駆体及びNb3Sn超電導線材审中-公开
公开(公告)号：JP2018147842A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017044573
申请日：2017-03-09
申请人：株式会社神戸製鋼所 , ジャパンスーパーコンダクタテクノロジー株式会社
发明人：一原主税 , 川嶋慎也 , 村上幸伸 , 加藤弘之
IPC分类号： H01B12/10 , C22C27/02 , H01F6/06 , H01B13/00
CPC分类号： Y02E40/644
摘要：【課題】効率よく高い臨界電流密度特性を達成できるNb 3 Sn超電導線材の前駆体を提供すること。【解決手段】分散スズ法によるNb 3 Sn超電導線材の前駆体であって、NbもしくはNb合金棒をCuで被覆してなるNb単芯線を、複数本束ねてさらにCuで被覆したNb多芯線と、SnもしくはSn合金棒からなる、または、SnもしくはSn合金棒をCuで被覆してなるSn単芯線と、Nb、Nb合金、Ta及びTa合金から選択される少なくとも1つからなるバリア層が内面に形成されたバリア層付きCu管と、らなるサブエレメント線をCu管内に複数本束ねて備えており、前記サブエレメント線において、前記Sn単芯線と前記Nb多芯線とが、前記Sn単芯線同士が隣接しないように前記バリア層付きCu管内に配置されていることを特徴とする、Nb 3 Sn超電導線材の前駆体。【選択図】図2

3. 发明专利

JP6075784B2 バスバー及びバスバーモジュール、並びにバスバーの製造方法有权
标题翻译：母线和母线模块，和汇流条的制造方法中
公开(公告)号：JP6075784B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2013264477
申请日：2013-12-20
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：井上憲一 , 藤井秀夫 , 一原主税 , 小川徹也
IPC分类号： H02G5/02
CPC分类号： H01B7/30 , H01B13/0891 , H01B7/0241 , H01B7/306 , H01B13/0006 , H01B5/04 , Y10T29/49174

4. 发明专利

JP5789573B2 ノイズ低減用巻線素子有权
标题翻译：降噪在绕组元件
公开(公告)号：JP5789573B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2012184175
申请日：2012-08-23
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：一原主税 , 井上憲一 , 財津享司 , 井上浩司
IPC分类号： H01F37/00 , H01F27/24 , H01F17/04

6. 发明专利

JP6081903B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6081903B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2013247145
申请日：2013-11-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 株式会社神戸製鋼所 , 神鋼リードミック株式会社
发明人：藤本健治 , 一原主税 , 三井俊幸
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/50
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265

7. 发明专利

JP2015106609A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015106609A
公开(公告)日：2015-06-08
申请号：JP2013247145
申请日：2013-11-29
申请人：サンケン電気株式会社 , 株式会社神戸製鋼所 , 神鋼リードミック株式会社
发明人：藤本健治 , 一原主税 , 三井俊幸
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/50
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265
摘要：【課題】リードフレームと半導体チップとの線膨張係数の差によって発生する応力に起因する破損が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップと、半導体チップが配置される中央領域及び中央領域の周囲に隣接する外周領域を有するリードフレームと、リードフレームと半導体チップを固着するダイアタッチ材と、半導体チップを覆ってリードフレーム上に配置される封止樹脂とを備え、リードフレームの外周領域に、中央領域と外周領域との境界から外周領域の外縁に向かって旋回しながら放射状に延伸する複数のスリットが形成され、スリットの幅が中央領域から遠ざかるにつれて広くなるように形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制由引线框架和半导体芯片之间的线膨胀系数差产生的应力引起的损伤的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：半导体芯片; 具有布置有半导体芯片的中心区域的引线框架和与中心区域的周边相邻的周边区域; 引线框架和半导体芯片彼此结合的管芯附着材料; 以及布置在引线框架上以覆盖半导体芯片的封装树脂。在引线框架的周边区域中，形成从中心区域和周边区域之间的边界向周边区域的外边缘径向延伸和旋转的多个狭缝，使得狭缝的宽度随着它们的离开而变宽远离中部地区。

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