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1. 发明专利

JP5869890B2 放熱板、及び放熱板の製法有权
标题翻译：散热器的制备，和散热板
公开(公告)号：JP5869890B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2012007954
申请日：2012-01-18
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：井上憲一 , 井上浩司 , 財津享司 , 槙井浩一 , 横田嘉宏
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： F28F21/08 , B21C23/002 , B21C23/007 , B21C23/22 , B23P15/26 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L2224/32225 , H01L2924/1301 , H01L2924/13033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , Y10T29/49826

2. 发明专利

JP6042749B2 ダイヤモンド電極を用いる電気化学的還元装置有权
标题翻译：使用金刚石电极的电化学还原装置
公开(公告)号：JP6042749B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013039722
申请日：2013-02-28
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 国立大学法人三重大学
发明人：奈良井哲 , 横田嘉宏 , 金子聡 , 勝又英之 , 岡崎敢 , 浅間健斗
IPC分类号： C25B3/04 , C25B9/00 , C25B11/12 , C25B1/00

3. 发明专利

JP5882878B2 ダイヤモンド電極及びダイヤモンド電極を用いたオゾン発生装置有权
标题翻译：使用金刚石电极和金刚石电极臭氧发生器
公开(公告)号：JP5882878B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2012246069
申请日：2012-11-08
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：奈良井哲 , 横田嘉宏
IPC分类号： C25B11/04 , C25B1/13 , C02F1/46 , C23C16/27 , C01B31/06 , C25B11/10

4. 发明申请

WO2007099973A1 ビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器审中-公开
标题翻译：使用它的光束检测会员和光束检测器
公开(公告)号：WO2007099973A1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：PCT/JP2007/053684
申请日：2007-02-27
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 小橋宏司 , 橘武史 , 横田嘉宏 , 林和志
发明人：小橋宏司 , 橘武史 , 横田嘉宏 , 林和志
IPC分类号： C09K11/65 , C01B31/06 , C09K11/00 , C23C16/27 , G01T1/202 , G01T1/29
CPC分类号： G01T1/29 , C23C16/0254 , C23C16/274 , C23C16/277
摘要：　放射光ビームや軟Ｘ線ビーム等の位置及びその強度分布、更には、これらの時間変化を高精度で長期間安定して検出することが可能で、従来の検出装置よりも低コストで製造し得るビーム検出部材およびそれを用いたビーム検出器を提供する。　ビームの位置や強度を検出するためのビーム検出部材２であって、ビーム７が照射されるビーム照射部６が、少なくとも珪素（Ｓｉ）、窒素（Ｎ）、リチウム（Ｌｉ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）から選ばれた一種または二種以上の元素（Ｘ）を、Ｘ／Ｃ＝０．１～１０００ｐｐｍ含む多結晶ダイヤモンド（Ｃ）膜４からなり、この多結晶ダイヤモンド膜４に前記ビーム７が照射されると発光８，８ａする発光機能を有する。このようなビーム検出部材２と前記発光現象を観測する発光観測手段３，３ａとによりビーム検出器１を構成する。
摘要翻译：一种能够以高精度和不断延长的时间检测位置，其强度分布和进一步的辐射光束，软X射线束等的时间变化的光束检测部件，并且可以产生光束检测器成本比传统的成本低，而使用它的光束检测器。一种用于检测光束的位置和强度的光束检测部件（2），其中发射光束（7）的光束发射单元（6）由多晶金刚石（C）膜（4）组成，所述多晶金刚石（C）膜以包含X / C = 0.1-1000ppm选自至少硅（Si），氮（N），锂（Li），铍（Be），硼（B），磷（P））中的一种或至少两种元素（X）硫（S），镍（Ni），钒（V）），并且当多晶金刚石膜（4）被光束（7）照射时具有发光（8,8a）的发光功能。光束检测器（1）由用于观察上述发光现象的光束检测部件（2）和发射光观察装置（3,3a）组成。

5. 发明申请

WO2009128542A1 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置审中-公开
标题翻译：导线结构，薄膜晶体管基板，制造薄膜晶体管基板的方法和显示装置
公开(公告)号：WO2009128542A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/JP2009/057791
申请日：2009-04-17
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
发明人：川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ－Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層に含まれる窒素、炭素、およびフッ素の少なくとも一種の元素は、前記半導体層に含まれるＳｉと結合している配線構造に関する。
摘要翻译：提供一种直接接触技术，通过该技术可以消除由纯Al或Al合金构成的Al合金布线与半导体层之间的阻挡金属层，并且Al合金布线可以在宽的范围内直接且可靠地连接到半导体层过程保证金在布线结构中，半导体层和由纯Al或Al合金构成的Al合金膜从基板侧依次设置在基板上。包含选自由氮，碳和氟组成的组中的至少一种元素和包含Al和Si的Al-Si扩散层的（N，C，F）层的多层结构按此顺序包括从衬底侧在半导体层和Al合金膜之间。在（N，C，F）层中包含的至少一种元素即氮或碳或氟与包含在半导体层中的Si键合。

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