专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2019052131A 切り花の殺菌処理方法及び殺菌ユニット审中-公开
公开(公告)号：JP2019052131A
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：JP2018043496
申请日：2018-03-09
申请人：株式会社東芝 , 長谷修 , 西澤隆
发明人：森田修介 , 千草尚 , 長谷修 , 西澤隆 , 谷中沙妃
IPC分类号： A01N59/08 , A01P3/00 , A61L2/20 , A61L101/06 , A01N3/02
摘要：【課題】電解水を用いて切り花を効率よく殺菌して鮮度を維持する方法の提供。【解決手段】収穫後から輸送前の切り花に対し、次亜塩素酸水の気化物質を、HClO総到達量(前記切り花の周囲雰囲気における単位時間HClO到達量×処理時間)が260μg/m 2 以上、42000μg/m 2 以下まで供給する切り花の殺菌処理方法。好ましくは、前記単位時間HClO到達量は、5〜700μg/(m 2 ・分)である切り花の殺菌処理方法。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2021138768A 切り花の殺菌処理方法及び殺菌ユニット审中-公开
公开(公告)号：JP2021138768A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2021100420
申请日：2021-06-16
申请人：株式会社東芝 , 長谷修 , 西澤隆
发明人：森田修介 , 千草尚 , 長谷修 , 西澤隆 , 谷中沙妃
IPC分类号： A01P3/00 , A01N3/02 , A01N59/08
摘要：【課題】電解水を用いて切り花を効率よく殺菌して鮮度を維持する。【解決手段】実施形態にかかる切り花の殺菌処理方法は、収穫後輸送前の切り花に対し、次亜塩素酸水の気化物質を、平均で350μg/(m 2 ・分)より大きく700μg/(m 2 ・分)以下の単位時間HClO到達量で供給するとき、1日間保管の条件を、HClO総到達量が260μg/m 2 以上とするか、2日間保管の条件を、HClO総到達量が1600μg/m 2 以上とするか、3日間保管の条件を、HClO総到達量が3400μg/m 2 以上とするか、あるいは4日間保管の条件を、HClO総到達量が8400μg/m 2 以上とする。【選択図】図4

3. 发明专利

JP2019069163A 空間殺菌方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019069163A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2018225524
申请日：2018-11-30
申请人：株式会社東芝
发明人：千草尚 , 森田修介 , 高橋健 , 大川猛 , 松田秀三 , 柳沢正
IPC分类号： A61L9/14 , A61L9/04 , A61L2/18 , A61L2/20 , A61L2/28 , G01N21/78 , A61L101/06 , A61L9/01
摘要：【課題】次亜塩素酸水の悪影響を受けず、かつ被処理空間内を十分に殺菌、除臭することが可能な空間殺菌方法を得る。【解決手段】実施形態にかかる空間殺菌方法は、被処理空間にガス状及び/または霧状の次亜塩素酸水を供給し、殺菌を行う空間殺菌方法であって、殺菌処理時間y(時間)と、単位面積、単位時間当たりに供給される前記ガス状及び/または霧状の次亜塩素酸水の供給量x(μg/(m 2 ・min)との関係において、下記式(1)を満足させる。【選択図】図4

4. 发明专利

JP6509943B2 保管方法及び殺菌装置有权
公开(公告)号：JP6509943B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2017100220
申请日：2017-05-19
申请人：株式会社東芝
发明人：森田修介 , 千葉英文 , 天野克美 , 松田秀三 , 矢野琢真 , 横田昌広 , 千草尚
IPC分类号： A61L2/20 , A61L101/06 , A23B7/152

5. 发明专利

JP2018050483A ドライプロセス処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018050483A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016186932
申请日：2016-09-26
申请人：株式会社東芝
发明人：森田修介 , 千草尚 , 横田昌広 , 西村孝司 , 東間秀之
IPC分类号： A61L2/20 , A61L9/01 , A61L9/14 , C02F1/461 , A61L9/015 , A23L5/20 , A61L101/06 , A23L3/3409
摘要：【課題】対象物を濡らすことなく殺菌又は脱臭でき、安全性の高いドライプロセス処理方法を提供することにある。【解決手段】実施形態によれば、ドライプロセス処理方法は、塩分濃度500mg/kg以下、有効塩素濃度5〜200mg/kg、かつ、pH5〜8の次亜塩素酸水を気体あるいは粒径1μm以下の次亜塩素酸成分を含むミストの状態で所定空間内に発散させることにより、前記空間内に存在する対象物を濡らすことなく次亜塩素酸成分を到達させ、前記対象物の殺菌又は脱臭を行うドライプロセス処理方法。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2016188437A 電解装置有权
标题翻译：电解设备
公开(公告)号：JP2016188437A
公开(公告)日：2016-11-04
申请号：JP2016124317
申请日：2016-06-23
申请人：株式会社東芝
发明人：横田昌広 , 太田英男 , 千草尚 , 松田秀三
IPC分类号： C02F1/46 , C25B1/46 , C25B9/00 , C25B15/08
CPC分类号： C02F1/4618 , C02F1/46 , C02F1/46104 , C02F2201/46115 , C02F2201/46145
摘要：【課題】安定したpHで効率良く電解を実施でき、大型化を抑制できる電解装置および電解水生成方法を提供する。【解決手段】実施形態の電解装置1は、電解質液を流す中間室18aと陽極室18bとに区画する第1隔膜と、前記中間室18aと陰極室18cとに区画する第2隔膜と、前記第1隔膜に対向して前記陽極室18bに設けられた陽極15aと、前記第2隔膜に対向して前記陰極室18cに設けられた陰極15bと、を具備する電解槽10と、前記中間室18aに前記電解質液を供給する電解質液供給部20と、前記中間室18a内を流れた電解質液を排出する排出配管20bと、前記排出配管20bに設けられ、前記中間室18a内の電解質液を静水状態とする弁と、を備え、前記電解質液供給部20は、前記静水状態で前記中間室18a内の電解質液に静水圧を印加する水圧印加部30を備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电解装置，其可以在稳定的pH下有效地进行电解并且可以抑制其大小的增加，并且提供产生电解水的方法。解决方案：根据实施方案包括：电解槽10，其包括将电解槽10分解成电解液流过的中间室18a和正电极室18b的第一阻隔膜，将电解槽10分隔成中间室18a的第二阻隔膜和负极室18c，设置在正极室18b中并面向第一阻挡膜的正极15a和设置在负极室18c中并面向第二阻挡膜的负极15b; 将电解液供给到中间室18a的电解液供给部20; 排出管道20b排出在中间室18a内流动的电解液; 以及设置在排出配管20b中并使中间室18a内的电解液成为静水压状态的阀。电解液供给单元20包括水压施加单元30，该水压施加单元30以静水压状态向中间室18a内的电解液施加静水压力。图1

7. 发明专利

JP2016038439A 光学制御部材审中-公开
标题翻译：光控会员
公开(公告)号：JP2016038439A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014160461
申请日：2014-08-06
申请人：株式会社東芝
发明人：高橋健 , 横田昌広 , 川村信雄 , 大川猛 , 千草尚 , 松田秀三
IPC分类号： E06B9/24 , G02B5/00
摘要：【課題】表側と裏側とで独立した光学制御が可能な光学制御部材を提供する。【解決手段】光学制御部材1は、互いに対向する第1面2aおよび第2面2bを有し、少なくとも前記第1面2aと前記第2面2bの間に空気よりも高い屈折率を有する基材2を有した光学制御部材1において、前記第1面2a上に設けられた第1光学制御層3aと、前記第2面2b上に設けられ、前記第1光学制御層3aと対向する第2光学制御層3bと、を備え、前記第1光学制御層3aは、第1パターンで配列された第1領域4aおよび第2領域4bを有し、前記第2光学制御層は、第2パターンで配列された第3領域5aおよび第4領域5bを有し、前記第1領域4aの光透過率は前記第2領域4bの光透過率よりも大きく、前記第3領域5aの光透過率は前記第4領域5bの光透過率よりも大きく、前記第2領域4bおよび第4領域5bの少なくとも一方は、光学特性の異なる複数の層を積層して形成されている。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在前侧和后侧执行独立光学控制的光学控制构件。解决方案：光学控制构件1具有彼此面对的第一表面2a和第二表面2b，并且基材 2具有至少在第一表面2a和第二表面2b之间的折射率高于空气的折射率。光学控制构件1包括：设置在第一表面2a上的第一光学控制层3a; 并且第二光学控制层3b设置在第二表面2b上并面向第一光学控制层3a。第一光学控制层3a具有以第一图案设置的第一区域4a和第二区域4b，第二光学控制层具有以第二图案设置的第三区域5a和第四区域5b。第一区域4a的透光率比第二区域4b的透光率大，第三区域5a的透光率大于第四区域5b的透光率。第二区域4b和第四区域5b中的至少一个通过层叠具有不同光学特性的多个层而形成。图示：图6

8. 发明专利

JP2015184457A 光学制御部材およびこれを備える窓、ブラインド、電気機器、照明装置审中-公开
标题翻译：光控制器和窗口，黑色，电子设备和照明设备
公开(公告)号：JP2015184457A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014060466
申请日：2014-03-24
申请人：株式会社東芝
发明人：小野修 , 横田昌広 , 川村信雄 , 高橋健 , 千草尚 , 松田秀三 , 太田英男
IPC分类号： F21S2/00 , F21V8/00 , F21V11/00 , F21S8/02 , E06B9/24 , F21Y101/02 , F21Y103/00 , G02B5/02
摘要：【課題】清掃がし易く、製造コストが低く、光取り出し効率も高い配光制御性に優れた光学制御部材および窓、ブラインド、電気機器、照明装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、光学制御部材は、対向する第1表面20aおよび第2表面20bを有し、光透過性を有する基材20と、基材の第1面に設けられた第1光制御層30と、基材の第2面に設けられ第1光制御層と対向する第2光制御層40と、を備えている。第1および第2光制御層は、互いに対応関係にあるパターンで形成された複数の第1領域30a、40aおよび複数の第2領域30b、40bを有し、第1領域は、第2領域に比べて光透過性が高い特性を有している。第2領域の表面は、凹凸を有する凹凸面で構成され、光拡散性を有する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种易于清洁的光学控制部件，以低成本制造，并且具有高的光提取效率和优异的配光可控性，以及窗，盲，电器和照明装置。解决方案：根据一个实施例，光学控制构件包括具有第一表面20a和第二表面20b的基底材料20，第二表面20a和第二表面20b彼此面对并具有透光性，第一光控制层30设置在基底材料的第一表面上以及设置在基材的第二表面上并面向第一光控制层的第二光控层40。第一和第二控制层具有由具有相互对应关系的图案形成的多个第一区域30a和40a以及多个第二区域30b和40b，第一区域具有比第二区域更高的透光率，第二区域被配置有具有不规则性并具有光漫射特性的粗糙表面。

9. 发明专利

JP6696701B2 空間殺菌方法有权
公开(公告)号：JP6696701B2
公开(公告)日：2020-05-20
申请号：JP2018225524
申请日：2018-11-30
申请人：株式会社東芝
发明人：千草尚 , 森田修介 , 高橋健 , 大川猛 , 松田秀三 , 柳沢正
IPC分类号： A61L9/14 , A61L9/04 , A61L2/18 , A61L2/20 , A61L2/28 , A61L101/06 , A61L9/01

10. 发明专利

JP2019213932A 殺菌システム审中-公开
公开(公告)号：JP2019213932A
公开(公告)日：2019-12-19
申请号：JP2019159462
申请日：2019-09-02
申请人：株式会社東芝
发明人：高橋健 , 柳沢正 , 大川猛 , 千草尚 , 松田秀三
IPC分类号： C02F1/461 , A61L9/04 , A01K1/00 , A61L101/06 , A61L2/18
摘要：【課題】1つの区域内に衛生管理レベルの異なる複数のエリアが混在している環境において、各々の衛生管理レベルの程度に応じた洗浄及び殺菌を行うことが可能な殺菌システムを提供する。【解決手段】一実施形態によれば、衛生管理レベルの異なる複数のエリア2〜8が混在している環境において、各々の衛生管理レベルに応じて、エリア内の対象物の殺菌を行う殺菌システムであって、被電解水を電気分解することで生成された電解水を気化する手段と、気化された電解水の気化物質を複数のエリアの内の1つのエリア(第6エリア8)に循環させる手段と、を備える。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式