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    • 2. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2016063448A
    • 2016-04-25
    • JP2014190932
    • 2014-09-19
    • 株式会社東芝
    • 池田 健太郎餅川 宏葛巻 淳彦
    • H02M7/48H03K17/10H03K17/687
    • H03K17/10H03K17/567H03K17/687H03K17/74
    • 【課題】低損失の半導体装置を提供する。 【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1のソース、第1のドレイン、第1のゲート、及び第1のボディダイオードを有する第1のノーマリーオフ型トランジスタと、第1のソースに接続される第2のソース、第2のドレイン、第1のゲートに接続される第2のゲート、及び第2のボディダイオードを有する第2のノーマリーオフ型トランジスタと、第1のドレインに接続される第3のソース、第3のドレイン、及び第2のドレインに接続される第3のゲートを有するノーマリーオン型トランジスタと、第2のドレインに接続されるアノードと、第3のドレインに接続されるカソードを有するダイオードと、を備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种低损耗半导体器件。解决方案:一个实施例的半导体器件包括:具有第一源极,第一漏极,第一栅极和第一体二极管的第一常关晶体管; 第二常闭截止晶体管,具有连接到第一源的第二源极,第二漏极,连接到第一栅极的第二栅极和第二体二极管; 具有连接到第一漏极的第三源极,第三漏极和连接到第二漏极的第三栅极的常通晶体管; 以及具有连接到第二漏极的阳极和连接到第三漏极的阴极的二极管。选择的图:图1