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    • 1. 发明专利
    • Method for producing a reaction-sintered silicon carbide structure
    • 空值
    • JP5085575B2
    • 2012-11-28
    • JP2009004894
    • 2009-01-13
    • 株式会社東芝
    • 常治 亀田章子 須山義康 伊藤茂樹 丸山式彦 飯田
    • C04B35/573B28B1/26B28B3/02B28B3/26C04B35/565F28F21/02
    • F28F21/04
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a reaction sintered silicon carbide structure which has excellent structural strength, corrosion resistance, durability, and the like in a wide service temperature range from room temperature up to high temperature and can easily and efficiently manufacture even a small-sized structure having an intricate shape with high dimensional accuracy. SOLUTION: The method for manufacturing the reaction sintered silicon carbide structure is characterized as follows. A molded body containing silicon carbide and carbon powders is formed using a core 7, and the molded body has a pore 5 corresponding to the configuration of the core 7 inside. The obtained molded body is subjected to a binder removing treatment to form a degreased body, thereafter the degreased body is heated to be impregnated with molten silicon and to be subjected to reaction sintering, thereby making an integral sintered compact. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 解决的问题:提供一种在室温至高温的广泛使用温度范围内具有优异的结构强度,耐腐蚀性,耐久性等的反应烧结碳化硅结构体的制造方法,并且容易 并且高效地制造具有高尺寸精度的复杂形状的小尺寸结构。 反应烧结碳化硅结构的制造方法的特征如下。 使用芯7形成包含碳化硅和碳粉末的成型体,并且成型体具有与内部的芯体7的构造对应的孔5。 对得到的成形体进行粘合剂除去处理,形成脱脂体,然后将脱脂体加热浸渍熔融硅,进行反应烧结,制成整体烧结体。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 4. 发明专利
    • 渦電流探傷装置および渦電流探傷方法
    • 涡流探伤装置及涡流探伤方法
    • JPWO2013047521A1
    • 2015-03-26
    • JP2013536301
    • 2012-09-25
    • 株式会社東芝
    • 小林 徳康徳康 小林聡一 上野聡一 上野航大 野村航大 野村落合 誠誠 落合裕子 北島裕子 北島茂樹 丸山茂樹 丸山博也 市川博也 市川
    • G01N27/90
    • G01N27/902G01N27/9053
    • 検査対象のき裂(欠陥)を検出したコイル部の出力波形におけるS/N比を向上させる渦電流探傷技術を提供する。第1コイル部20aに交流磁場を発生させて検査対象11に渦電流を誘起する電源部13と、前記渦電流の誘導磁場を検出する第2コイル部20bと、この第2コイル部20bの出力波形を検出する検出部14と、第1コイル部20aと共に第1共振回路21を形成する第1キャパシタ12aと、第2コイル部20bと共に第2共振回路22を形成する第2キャパシタ12bと、第1共振回路21と第2共振回路22とが同一周波数で共振状態となるように電源部13の電源周波数f、第1キャパシタ12aの静電容量C及び第2キャパシタ12bの静電容量Cのうち少なくとも一つを調整する調整部と、を備える。
    • 提供了涡流探伤技术用于提高其检测检查(缺陷)的裂纹的线圈部的输出波形的S / N比。 电源单元13以诱发涡电流在检查对象11中的第一线圈部20a,以产生一个交变磁场,第二线圈部20b,其检测涡电流的感应磁场,第二线圈部20b的输出 用于检测所述波形的检测器14,连同第一线圈部分20a上的第一电容器12a中,以形成第一谐振电路21,第二电容器12B与第二线圈部20b形成的第二共振电路22一起,一个 1谐振电路21和第二谐振电路22的供电频率f和电源,以便以相同的频率单元13,电容C的静电电容C与第一电容器12a的第二电容器12B之间的谐振状态 包括调整单元,用于调整至少一个,和。