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1. 发明专利

JP6971896B2 グラフェンデバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6971896B2
公开(公告)日：2021-11-24
申请号：JP2018046574
申请日：2018-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：中村裕子 , 浅川鋼児 , 木原尚子 , 吉村玲子 , 山田紘
IPC分类号： G03F7/039 , C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/004

2. 发明专利

JP6088800B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6088800B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2012245531
申请日：2012-11-07
申请人：株式会社東芝
发明人：日恵野敦 , 中村裕子 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/004 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/768 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/0002 , H01L21/0337

3. 发明专利

JP2015177128A 不揮発性半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2015177128A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054069
申请日：2014-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 浅川鋼児 , 福住嘉晃
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/518 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L27/283 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/792 , H01L51/0529
摘要：【課題】優れた電荷保持特性を実現する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、半導体層と、制御ゲート電極と、半導体層と制御ゲート電極との間に設けられ、ポルフィリン構造を含む有機分子を有する有機分子層と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现优异的电荷保持特性的非易失性半导体存储器件。本实施例的非易失性半导体存储器件包括：半导体层; 控制栅电极; 以及设置在半导体层和控制栅电极之间的有机分子层，具有含有卟啉结构的有机分子。

4. 发明专利

JP6110911B2 不揮発性半導体記憶装置有权
公开(公告)号：JP6110911B2
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：JP2015170941
申请日：2015-08-31
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 市原玲華 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 多田宰 , 浅川鋼児 , 福家浩之 , 御子柴智 , 福住嘉晃 , 青地英明
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L27/115

5. 发明专利

JP2016028428A 不揮発性半導体記憶装置有权
标题翻译：非挥发性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2016028428A
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：JP2015170941
申请日：2015-08-31
申请人：株式会社東芝
发明人：服部繁樹 , 市原玲華 , 寺井勝哉 , 西沢秀之 , 多田宰 , 浅川鋼児 , 福家浩之 , 御子柴智 , 福住嘉晃 , 青地英明
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L51/05 , H01L21/8247
摘要：【課題】集積度を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置110は、第1積層構造体ML1と、第1半導体層SP1と、第1有機膜48p1と、第1半導体側絶縁膜42p1と、第1電極側絶縁膜43p1と、を備える。第1積層構造体は、第1方向Zに沿って積層された複数の第1電極膜61aと、複数の第1電極膜どうしの間に設けられた第1電極間絶縁膜62aと、を有する。第1半導体層は、複数の第1電極膜の側面に対向する。第1有機膜は、複数の第1電極膜の側面と第1半導体層との間に設けられ有機化合物を含む。第1半導体側絶縁膜は、第1有機膜と第1半導体層との間に設けられる。第1電極側絶縁膜は、第1有機膜と複数の第1電極膜の側面との間に設けられる。第1有機膜は、第1半導体側絶縁膜と結合している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供增强集成度的非易失性半导体存储装置。解决方案：非易失性半导体器件110具有第一集成结构ML1，第一半导体层SP1，第一有机膜48p1，第一半导体侧绝缘膜42p1和第一电极侧绝缘膜43p1。第一积分结构具有沿着第一方向Z层叠的多个电极膜61a和设置在多个第一电极膜之间的第一电极间绝缘膜62a。第一半导体层面对多个第一电极膜的侧表面。第一有机膜包含设置在多个第一电极膜和第一半导体层的侧表面之间的有机化合物。第一半导体侧绝缘膜设置在第一有机膜和第一半导体层之间。第一电极侧绝缘膜设置在第一有机膜和多个第一电极膜的侧表面之间。第一有机膜连接到第一半导体侧绝缘膜。选择图：图1

6. 发明专利

JP5713856B2 光透過型金属電極、電子装置及び光学素子有权
标题翻译：光透射型金属电极，电子设备和光学元件
公开(公告)号：JP5713856B2
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2011208746
申请日：2011-09-26
申请人：株式会社東芝
发明人：中西務 , 藤本明 , 北川良太 , 益永くみ , 中村健二 , 浅川鋼児 , 布谷伸仁 , 鎌倉孝信
IPC分类号： G02F1/1343 , H01L29/41 , H01L31/04 , G09F9/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L51/5209 , B82Y40/00 , H01L33/42

7. 发明专利

JP5732162B2 光電変換素子及びその製造方法有权
标题翻译：的光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5732162B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2014085870
申请日：2014-04-17
申请人：株式会社東芝
发明人：益永くみ , 藤本明 , 堤栄史 , 浅川鋼児 , 中西務 , 西沢秀之 , 北川良太
IPC分类号： H01L31/0693 , H01L31/0749 , H01L31/075 , H01L31/068 , H01L31/0248
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02E10/544

8. 发明专利

JP2015065220A 有機分子メモリ有权
标题翻译：有机分子记忆
公开(公告)号：JP2015065220A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013196983
申请日：2013-09-24
申请人：株式会社東芝
发明人：田中裕介 , 西沢秀之 , 服部繁樹 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , C07C211/52 , H01L27/28
CPC分类号： H01L51/0595 , G11C13/0014 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0098 , H01L51/105 , H01L51/5004 , H01L2251/301 , H01L2251/552
摘要：【課題】整流性を有し、ON/OFF比の向上を可能にする有機分子を備える有機分子メモリを提供する。【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、有機分子を有し、有機分子が、第1の導電層と結合するリンカー基と、リンカー基と結合するπ共役系鎖と、リンカー基の反対側でπ共役系鎖と結合し第2の導電層と対向するフェニル基を有し、π共役系鎖は1重結合と、2重結合または3重結合が交互に結合し、炭素数が12個より大きく46個以下であり、π共役系鎖の結合方向に対し非線対称な配置の電子吸引基または電子供与基を含み、フェニル基が置換基R0、R1、R2、R3、R4を有し、置換基R0が電子吸引基または電子供与基である、有機分子層と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可矫正的有机分子记忆体，并具有能够提高ON / OFF比率的有机分子。解决方案：根据实施方案的有机分子存储器包括：第一导电层; 第二导电层; 以及设置在第一和第二导电层之间的有机分子层。有机分子层具有有机分子。有机分子包括：与第一导电层键合的连接基团; 一个与连接基团键合的共轭链; 和与pp结合的苯基; 并且位于与第二导电层相对的位置。在＆pgr 共轭链，单键和双键或三键交替，并且碳原子数不小于12但不大于46.有机分子层包括电子吸引子基团或给电子基团相对于键合方向共轭链。苯基具有取代基R 0，R 1，R 2，R 3和R 4。取代基R 0是吸电子基团或给电子基团。

9. 发明专利

JP2019056896A 感光性組成物及びグラフェンデバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019056896A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018046574
申请日：2018-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：中村裕子 , 浅川鋼児 , 木原尚子 , 吉村玲子 , 山田紘
IPC分类号： G03F7/039 , C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/004
摘要：【課題】例えばグラフェンを加工する際に用いるレジストとして、グラフェンへのπ−πスタックを防止し、グラフェンの汚染や性能低下等を抑制することを可能にした感光性組成物を提供する。【解決手段】実施形態の感光性組成物は、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、シクロオレフィン・無水マレイン酸共重合体、ポリシクロオレフィン、及びビニルエーテル・無水マレイン酸共重合体から選ばれる少なくとも1つを含み、酸でカルボン酸を発生するエステル結合、又は酸でアルコールを発生するエーテル結合を有する樹脂と、波長300nm以上500nm以下の光、又はKrFエキシマレーザ光の照射により酸を発生する酸発生剤であって、ナフタレン環又はベンゼン環を有し、ナフタレン環又はベンゼン環の少なくとも1つの炭素がバルキーな基と結合している物質を含む酸発生剤とを具備する。【選択図】図12

10. 发明专利

JP6158013B2 有機分子メモリ有权
公开(公告)号：JP6158013B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2013196983
申请日：2013-09-24
申请人：株式会社東芝
发明人：田中裕介 , 西沢秀之 , 服部繁樹 , 浅川鋼児
IPC分类号： H01L27/28 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , C07C211/52 , H01L27/10
CPC分类号： H01L51/0595 , G11C13/0014 , H01L51/0034 , H01L51/005 , H01L51/0051 , H01L51/0098 , H01L51/105 , H01L51/5004 , H01L2251/301 , H01L2251/552

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