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1. 发明专利

JP5698302B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5698302B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2013092791
申请日：2013-04-25
申请人：株式会社日立製作所
发明人：森睦宏 , 新井大夏
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/78

2. 发明专利

JP2016119434A 半導体装置、その製造方法、それを用いた電力変換装置有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法及其功率转换器件
公开(公告)号：JP2016119434A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2014259753
申请日：2014-12-24
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/329 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/861
摘要：【課題】圧接パッケージに封入されるダイオードにおいて、圧力のバラつきに対してダイオードの順方向電圧降下VFのバラつきが小さい半導体装置、およびそれを用いた電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体基板11上にアクティブ領域201とターミネーション領域202とを有する半導体装置1であって、前記アクティブ領域に1層目アノード電極13と2層目アノード電極15とからなるアノード電極が形成され、前記1層目アノード電極と2層目アノード電極との間に断続的に層間膜14が形成される。以上により、アクティブ領域とターミネーション領域の境界近傍における2層目アノード電極の端部の2層目アノード電極の高さ511と、アクティブ領域中央部における層間膜上の2層目アノード電極の高さ512、513とが等しくなることによって、圧接の際に2層目アノード電極と外部電極との電気的に良好な特性で導通がとれるように構成されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种封装在压制包装中的二极管中的半导体器件，其中二极管的正向压降VF的变化与压力变化相比更小; 并提供使用半导体器件的功率转换器件。解决方案：在半导体衬底11上具有有源区域201和端接区域202的半导体器件1中，由第一层阳极13和第二层阳极电极15形成在有源区中，层间膜14间歇地形成在第一层阳极电极和第二层阳极电极之间。利用上述结构，通过使第二层阳极电极的高度511在有源区域和端接区域之间的边界周围的第二层阳极电极的端部，并且第二层上的高度512,513 有源区中心部分的层间膜上的阳极电极彼此相等，第二层阳极电极和外部电极可以在压力焊接时具有良好的电气特性而导电。图1

3. 发明专利

JP2017201644A ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017201644A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2016092229
申请日：2016-05-02
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：新井大夏 , 若木政利 , 石丸哲也 , 森睦宏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L29/861
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L21/322 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41716 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H02M1/084 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要：【課題】ダイオードの導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善しつつ、逆回復スイッチング時のサージ電圧と高周波発振を抑制し、また素子破壊や劣化要因となる耐圧保持時のリーク電流を低減する。【解決手段】アノード電極層と、カソード電極層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれ、前記カソード電極層からの距離が30μm以上の位置に形成された第1導電型のバッファ層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれた領域に形成され、前記第1導電型のバッファ層に接した第1導電型の第1半導体層と、前記アノード電極層と前記第1導電型の第1半導体層とに挟まれた領域に形成された第2導電型の第2半導体層と、を備え、前記第1半導体層のキャリア濃度が前記バッファ層のキャリア濃度より低く、前記バッファ層のキャリア濃度は1×10 15 cm −3 未満である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6438839B2 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6438839B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015100697
申请日：2015-05-18
申请人：株式会社日立製作所
发明人：新井大夏 , 増永昌弘 , 森睦宏
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/739

5. 发明专利

JP6397804B2 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6397804B2
公开(公告)日：2018-09-26
申请号：JP2015155968
申请日：2015-08-06
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏 , 森睦宏 , 白石正樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/312 , H01L29/739

6. 发明专利

JP2017034212A 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電力変換装置有权
标题翻译：半导体装置，半导体装置的制造方法和电源转换器
公开(公告)号：JP2017034212A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015155968
申请日：2015-08-06
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏 , 森睦宏 , 白石正樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/312 , H01L29/739
摘要：【課題】半導体装置のチッピングによる耐圧劣化を抑えると共に、ボイドの検査を可能にする半導体装置を提供する。【解決手段】主表面上に、アクティブ領域101と、アクティブ領域101を囲むターミネーション領域102とを含む半導体基板1と、少なくともターミネーション領域102を覆う、熱硬化性の接着層10と、接着層10を介してターミネーション領域102に接着される平板状の絶縁性フィルム9と、を備え、接着層10は、主表面の外側まで延びており、半導体基板1の側面の少なくとも一部を覆う。【選択図】図2
摘要翻译：甲抑制击穿电压的劣化，由于半导体装置，半导体装置，使空隙的检查的碎裂。 A中的主表面上，有源区101，包括围绕所述有源区101中的终止区域102的半导体基板1，至少覆盖终端区域102，热固性的粘合剂层10，粘接剂层10 平坦的绝缘膜9被结合到通过终止区102中，与粘合层10延伸到主表面的外侧，并至少覆盖所述半导体衬底1的侧表面的一部分。 .The

7. 发明专利

JP6322130B2 半導体装置、その製造方法、それを用いた電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6322130B2
公开(公告)日：2018-05-09
申请号：JP2014259753
申请日：2014-12-24
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L21/329 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L29/861

8. 发明专利

JP2016219521A 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
标题翻译：使用相同的半导体器件和电源转换器
公开(公告)号：JP2016219521A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015100697
申请日：2015-05-18
申请人：株式会社日立製作所
发明人：新井大夏 , 増永昌弘 , 森睦宏
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/739
摘要：【課題】センスエミッタ接続部における発熱による熱集中破壊を防止可能な半導体装置およびそれを用いた電力変換装置を提供する。【解決手段】半導体基板の一方の主表面に形成された第1電極層と、半導体基板のもう一方の主表面に形成された第2電極層を備え、第1電極層と第2電極層を層に垂直な方向から圧接することで外部と電気的導通を取るように構成され、電気的導通が外部信号により能動的にスイッチ可能な半導体装置であって、第1電極層の領域のうち圧接される第1領域と、圧接される第1領域の外側の一部分でセンス電位を取り出す第2領域を備え、導通状態において第2領域が導通抑制部とされていることを特徴とする半導体装置としたものである。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种能够防止由热产生的热破坏浓度在连接部和使用该电力变换装置的感测发射极半导体装置。和形成在所述半导体衬底的一个主表面的第一电极层，形成在所述半导体衬底，第一电极层和第二电极层的另一个主表面上的第二电极层从垂直的方向构成的层通过压力采取外部电传导，电连续性是一种半导体装置，其主动地通过外部信号切换的，在所述第一电极层的区域中的压力要被按下的是半导体器件，其特征在于，其包括用于取出所述第一区域的部分之外的感电势的第二区域的第一区域，在导通状态的第二区域中，存在的导电抑制部一个在其中。点域1

9. 发明专利

JP2016066701A 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和功率转换器
公开(公告)号：JP2016066701A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014194632
申请日：2014-09-25
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L21/322 , H01L29/41 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/78
摘要：【課題】圧接パッケージ起因の電流集中により発生するエミッタ電極のエレクトロマイグレーションを抑制する。【解決手段】アクティブ領域内に非圧接領域と圧接領域とを備え,非圧接領域はn-基板1と,p形ベース層2と,n形ソース層3と,ゲート酸化膜6を介し形成されたゲート電極7と,且つn形ソース層3の表面に形成された1層目エミッタ層4とを備え,圧接領域は,非圧接領域の構造に加えて1層目エミッタ電極4の表面に2層目エミッタ電極5を備えたIGBTにおいて,非圧接領域におけるn形ソース層3の奥行き方向の長さが占める割合(L2/L1)は,圧接領域におけるn形ソース層3の奥行き方向の長さが占める割合(L4/L3)と比較して小さくする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件和使用该半导体器件的功率转换器，其中可以抑制由于压制封装引起的电流集中而发生的发射电极的电迁移。解决方案：非压接区域和压机 - 接触区域设置在活动区域中。非压接区域具有n基板1，p型基极层2，n型源极层3，通过栅极氧化膜6形成的栅电极7以及第一栅极氧化膜6的发射极层4。形成在n型源极层3的表面上的层。除了非压接区域的结构之外，压接区域被构造成使得在深度方向上的长度占有率（L2 / L1）在非压接区域的n型源极层3的n型源极层3的深度方向的长度占有率（L4 / L3）小于具有在第一层的发射电极4的表面上的第二层的发射极5。图1：

10. 发明专利

JP2015177142A 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
标题翻译：半导体和功率转换器使用它
公开(公告)号：JP2015177142A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054289
申请日：2014-03-18
申请人：株式会社日立製作所
发明人：増永昌弘 , 新井大夏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/861
摘要：【課題】圧接パッケージに封入されるダイオードにおいて,熱抵抗が高い非圧接領域の発熱を低減する。【解決手段】アクティブ領域(AR)とこれを囲むターミネーション領域(TR)とを備え,ARはn−基板1,一方の主表面上のp形拡散層2,反対表面上のn形高濃度不純物層3,p形拡散層2に接するアノード電極5(AE),n−基板1とn形高濃度不純物層3に接するカソード電極6(CE)を備え,TRはp形拡散層2を取り囲むガードリング4(GR),GRおよびp形拡散層2を取り囲みチップ端部に形成されたチャネルストッパ層8(CS),GRとCSに接するフィールドプレート電極7を備え,AEおよびCEは圧接により導通形成された半導体装置において,AEの層に平行な方向の長さはn形高濃度不純物層3より長いため,非圧接領域のCEにn−基板1が接続され,非圧接領域のn−基板1に注入される電子が低減でき発熱が抑制される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了能够减少密封在压制封装中的二极管中具有高耐热性的非压接区域的加热。解决方案：半导体器件具有有源区（AR）和端接区（TR）围绕活动区域（AR）。 AR具有n个衬底1，一个主表面上的p型扩散层2，相对表面上的n型高浓度杂质层3，与p型扩散层接触的阳极电极5（AE） 2和与n基片1和n型高浓度杂质层3接触的阴极电极6（CE）.TR具有围绕p型扩散层的保护环4（GR），沟道阻挡层围绕GR和p型扩散层2并形成在芯片端部的8（CS）和与GR和CS接触的场板电极7。 AE和CE通过压力接触形成为彼此进行。与平行于AE层的方向的长度比n型高浓度杂质层3长，所以n基板1与非压接区域CE连接，非压接区域的基板1减少，从而抑制加热。

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