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1. 发明专利

JP2019212719A レーザ照射装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019212719A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018106496
申请日：2018-06-01
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠
IPC分类号： H01S3/10 , H01S3/00 , B23K26/064 , H01L21/268
摘要：【課題】レーザ光の出力の経時的な変化を小さくすることができる、レーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、光源において発生されたレーザ光の偏光状態をランダム偏光にする偏光解消素子と、偏光解消素子においてランダム偏光にされたレーザ光を透過する光学部品と、光学部品を透過したレーザ光を基板に照射する投影レンズとを備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019047058A 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019047058A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017171138
申请日：2017-09-06
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠 , 滝本政美 , 齋藤香織
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268
摘要：【課題】半導体薄膜の電気的特性を把握することを可能にし、レーザアニール処理の不具合を短時間で解消可能とするレーザアニール装置を提供すること。【解決手段】アニールを行う処理領域に近接するレーザ光が照射されない非処理領域の積層構造の各構成膜の膜厚計算値を算出し、処理領域の第2分光スペクトル測定値と、膜厚計算値から計算される第2分光スペクトル計算値と、のフィッティングにより、処理領域の結晶化レベルを算出して、次回にレーザアニール処理を行うTFT基板に対して照射するレーザ光のレーザエネルギーを調整する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019036636A レーザ照射装置、薄膜トランジスタの製造方法及び投影マスク审中-公开
公开(公告)号：JP2019036636A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017156969
申请日：2017-08-15
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠 , 新井敏成
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/268
摘要：【課題】レーザ光のエネルギ密度のばらつきに依存して、基板に含まれる複数の薄膜トランジスタの特性にばらつきが生じ、基板を液晶表示装置の液晶に用いた場合、表示むらが生じてしまうという問題がある。【解決手段】本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、基板上に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、レーザ光を照射する投影レンズと、投影レンズ上に設けられ、アモルファスシリコン薄膜の所定の領域に対してレーザ光が照射されるように、複数の開口部が設けられた投影マスクパターンと、を備え、投影レンズは、所定の方向に移動する基板上のアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に対して、投影マスクパターンを介してレーザ光を照射し、投影マスクパターンは、移動する方向に直交する一列において、少なくとも隣接する開口部の面積が互いに異なることを特徴とする。【選択図】図6

4. 发明专利

JP2016100537A 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及びレーザアニール装置有权
标题翻译：薄膜晶体管，薄膜晶体管制造方法和激光退火装置
公开(公告)号：JP2016100537A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014238202
申请日：2014-11-25
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠 , 木口哲也
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/20 , H01L29/786
摘要：【課題】簡単なプロセスでリーク電流を低減可能な半導体層構造を実現する。【解決手段】基板5上にゲート電極1、ソース電極3、ドレイン電極4及び半導体層2を積層して備えた薄膜トランジスタであって、前記半導体層2は、少なくとも前記ゲート電極1に対応した領域のアモルファスシリコン薄膜7がレーザアニールして形成されたポリシリコン薄膜8であり、前記ソース電極3及び前記ドレイン電極4に夫々対応した領域の前記ポリシリコン薄膜8の結晶粒径が前記ソース電極3と前記ドレイン電極4とに挟まれたチャンネル領域10の前記ポリシリコン薄膜8の結晶粒径に比べて小さい構造とした。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的工艺实现能够减少漏电流的半导体层结构。解决方案：一种薄膜晶体管，包括栅电极1，源电极3，漏电极4和半导体层2，它们层压在基板5上的结构包括其中半导体层2是通过在与至少栅电极1相对应的区域中对非晶硅薄膜7进行激光退火而形成的多晶硅薄膜8的结构，并且多晶硅薄片与源电极3和漏电极4相对应的区域中的膜8分别与夹在源电极3和漏电极4之间的沟道区域10中的多晶硅薄膜8的粒径相比较小.SELECTED 图：图1

5. 发明专利

JP2016040582A 光照射装置审中-公开
公开(公告)号：JP2016040582A
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：JP2014164633
申请日：2014-08-13
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：橋本和重 , 新井敏成 , 畑中誠
IPC分类号： G02F1/1337
摘要：【課題】集光型のリフレクタを採用しながらも、偏光子には平行光に近い光を入射させることができる光照射装置を提供する。【解決手段】本発明の光照射装置は、光源から放射された光を照射面に対して照射する光照射装置であって、所定の波長の光を放射する光源と、光源を挟んで照射面と反対側に配置される集光型のリフレクタと、光源と照射面との間に配置される特定の波長を透過するフィルタと、フィルタと照射面との間に配置される偏光子と、光源とフィルタとの間に配置される凹レンズとを備えることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用类似于入射到偏振器上的平行光的光的光照射装置，同时采用聚光型反射器。解决方案：光照射装置，其是用于照射辐射的照射表面的光照射装置来自光源的光源包括照射具有预定波长的光的光源，所述集光型反射器布置在与所述光源相对的所述照射表面相反的一侧;布置在所述光源和所述照射之间的滤光器表面并透射特定波长，设置在过滤器和照射表面之间的偏振器，以及布置在光源和过滤器之间的凹透镜。选择图1：图1

6. 发明专利

JP5760293B2 露光装置有权
公开(公告)号：JP5760293B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2011045576
申请日：2011-03-02
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：梶山康一 , 水村通伸 , 畑中誠
IPC分类号： G02B3/00 , G02B13/26 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G03F7/70275 , G03F7/70358 , G02B3/0056

7. 发明专利

JP2019036635A レーザ照射装置、薄膜トランジスタの製造方法、プログラムおよび投影マスク审中-公开
公开(公告)号：JP2019036635A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2017156968
申请日：2017-08-15
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 畑中誠 , 新井敏成
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/268
摘要：【課題】レーザ光が投影マスクを介して照射された場合には、該投影マスクの形状によって、チャネル領域となる部分に照射されるレーザ光の強度が一定とならない場合があり、その結果、チャネル領域となる部分における結晶化の程度が偏ってしまう。【解決手段】本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、基板に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に前記レーザ光を照射する投影レンズと、前記投影レンズ上に配置され、所定の投影パターンで前記レーザ光を透過させる長方形状の透過領域を含む投影マスクパターンと、を備え、前記長方形状の透過領域の短辺は、前記投影マスクパターンを透過したレーザ光の照射エネルギが前記所定の領域において略均一となる長さであることを特徴とする。【選択図】図9

8. 发明专利

JP2018093154A レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018093154A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016253448
申请日：2016-12-27
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：水村通伸 , 新井敏成 , 畑中誠 , 竹下琢郎
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786 , B23K26/066 , B23K26/064 , H01L21/20
摘要：【課題】ガラス基板に含まれる複数の薄膜トランジスタの特性には、ばらつきが生じてしまう可能性がある。【解決手段】本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射する投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該レーザ光が透過する割合である透過率が設定された複数のマスクを含む投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、所定の方向に移動する当該ガラス基板上の当該複数の薄膜トランジスタに対して、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々を介して当該レーザ光を照射し、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々は、複数の当該透過率のいずれかが設定される、レーザ照射装置。【選択図】図1

9. 发明专利

JP5953037B2 マイクロレンズアレイの貼り合わせ装置有权
标题翻译：微透镜阵列的接合装置
公开(公告)号：JP5953037B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2011268429
申请日：2011-12-07
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：岩本正実 , 石井大助 , 畑中誠
IPC分类号： G02B3/00 , G02B7/00

10. 发明专利

JP5874966B2 マイクロレンズアレイ及びその貼り合わせ方法有权
标题翻译：微透镜阵列和它的接合方法
公开(公告)号：JP5874966B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2011268430
申请日：2011-12-07
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：岩本正実 , 石井大助 , 畑中誠
IPC分类号： G02B5/00 , G02B13/26 , G02B7/02 , G02B3/00

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