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1. 发明专利

TW200807562A 石英製品之烘烤方法、電腦程式與儲存媒體 BAKING METHOD OF QUARTZ PRODUCTS, COMPUTER PROGRAM AND STORAGE MEDIUM 审中-公开
简体标题：石英制品之烘烤方法、电脑进程与存储媒体 BAKING METHOD OF QUARTZ PRODUCTS, COMPUTER PROGRAM AND STORAGE MEDIUM
公开(公告)号：TW200807562A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096121258
申请日：2007-06-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：安倍勝彥 ANBAI, KATSUHIKO , 及川雅之 OIKAWA, MASAYUKI , 柴田哲彌 SHIBATA, TETSUYA , 谷裕一 TANI, YUICHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67306 , Y10S438/905 , Y10S438/935
摘要：本發明係關於在操作一熱處理裝置時對半導體基板之銅污染之控制,該熱處理裝置係一半導體製造裝置且使用在加工時已受到銅污染之石英製品來構造。該石英製品係在其仍未用於一用於半導體基板之熱處理之階段放置於一加熱大氣下。接著將包括一氯化氫氣體與一用於增强氯化氫氣體之反應性之氣體,例如一氧氣,的烘烤氣體供應至該石英製品。因此,在從該石英製品之表面至30��m深度之區域內的銅濃度可控制在20ppb以下,較佳的係在3ppb以下。該烘烤程序可在將該石英製品裝配於該熱處理裝置內之前或後來實施。
简体摘要：本发明系关于在操作一热处理设备时对半导体基板之铜污染之控制,该热处理设备系一半导体制造设备且使用在加工时已受到铜污染之石英制品来构造。该石英制品系在其仍未用于一用于半导体基板之热处理之阶段放置于一加热大气下。接着将包括一氯化氢气体与一用于增强氯化氢气体之反应性之气体,例如一氧气,的烘烤气体供应至该石英制品。因此,在从该石英制品之表面至30��m深度之区域内的铜浓度可控制在20ppb以下,较佳的系在3ppb以下。该烘烤进程可在将该石英制品装配于该热处理设备内之前或后来实施。

2. 发明专利

TW200809928A 石英製品及熱處理裝置 QUARTZ PRODUCTS AND HEAT TREATMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：石英制品及热处理设备 QUARTZ PRODUCTS AND HEAT TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW200809928A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096120353
申请日：2007-06-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：安倍勝彥 ANBAI, KATSUHIKO , 及川雅之 OIKAWA, MASAYUKI , 柴田哲彌 SHIBATA, TETSUYA , 谷裕一 TANI, YUICHI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4581 , H01L21/324
摘要：本發明係關於在操作一熱處理裝置時對半導體基板之銅污染之控制,該熱處理裝置係一半導體製造裝置具以在加工時已被銅污染之石英製品建構。該石英製品在尚末用於半導體基板之熱處理之階段時置放於一加熱氣氛中。接著將包括氯化氫氣體及例如氧氣之用於增强該氯化氫氣體之活性之氣體的烘焙氣體供應至該石英製品。隨後,可將該石英製品之自表面至30��m深度之區域中之銅濃度控制在20ppb以下,較佳在3ppb以下。可在將該石英製品組裝成該熱處理裝置之前或之後執行該烘焙過程。
简体摘要：本发明系关于在操作一热处理设备时对半导体基板之铜污染之控制,该热处理设备系一半导体制造设备具以在加工时已被铜污染之石英制品建构。该石英制品在尚末用于半导体基板之热处理之阶段时置放于一加热气氛中。接着将包括氯化氢气体及例如氧气之用于增强该氯化氢气体之活性之气体的烘焙气体供应至该石英制品。随后,可将该石英制品之自表面至30��m深度之区域中之铜浓度控制在20ppb以下,较佳在3ppb以下。可在将该石英制品组装成该热处理设备之前或之后运行该烘焙过程。

3. 发明专利

TW200818372A 石英製品之烤焙方法及石英製品 QUARTZ-PRODUCT BAKING METHOD AND QUARTZ PRODUCT 审中-公开
简体标题：石英制品之烤焙方法及石英制品 QUARTZ-PRODUCT BAKING METHOD AND QUARTZ PRODUCT
公开(公告)号：TW200818372A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096122749
申请日：2007-06-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：安倍勝彥 ANBAI, KATSUHIKO , 及川雅之 OIKAWA, MASAYUKI , 門部雅人 KADOBE, MASATO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109
摘要：本發明揭示一種石英製品之烤焙方法,其用於烤焙一第一石英製品及一第二石英製品,以移除包含於其中的一金屬,該等第一及第二石英製品係載入用於熱處理一半導體基板的一熱處理裝置內,從而使各石英製品之至少一部分接觸該熱處理裝置的一熱處理空氣,該石英製品之烤焙方法包含以下步驟:採用一夾具,其包括以一層狀方式可脫離地堆疊的一第一夾具元件及一第二夾具元件,將該第一石英製品放置於該第一夾具元件上,將該第二夾具元件堆疊於該第一夾具元件上,以及將該第二石英製品放置於該第二夾具元件上;將該夾具放置於一蓋子部件上,其中該石英製品係以一層狀方式放置,提升該蓋子部件以透過一較低開口將該夾具載入一烤焙垂直容器內,以及採用該蓋子部件密封該烤焙垂直容器之該較低開口;加熱該烤焙垂直容器內之一空氣;以及向該烤焙垂直容器內供應包含一氯化氫氣體之一烤焙氣體及用於增强該氯化氫氣體之反應性的一氣體。
简体摘要：本发明揭示一种石英制品之烤焙方法,其用于烤焙一第一石英制品及一第二石英制品,以移除包含于其中的一金属,该等第一及第二石英制品系加载用于热处理一半导体基板的一热处理设备内,从而使各石英制品之至少一部分接触该热处理设备的一热处理空气,该石英制品之烤焙方法包含以下步骤:采用一夹具,其包括以一层状方式可脱离地堆栈的一第一夹具组件及一第二夹具组件,将该第一石英制品放置于该第一夹具组件上,将该第二夹具组件堆栈于该第一夹具组件上,以及将该第二石英制品放置于该第二夹具组件上;将该夹具放置于一盖子部件上,其中该石英制品系以一层状方式放置,提升该盖子部件以透过一较低开口将该夹具加载一烤焙垂直容器内,以及采用该盖子部件密封该烤焙垂直容器之该较低开口;加热该烤焙垂直容器内之一空气;以及向该烤焙垂直容器内供应包含一氯化氢气体之一烤焙气体及用于增强该氯化氢气体之反应性的一气体。

4. 发明专利

TW200528405A 半導體處理裝置之石英產品之檢查方法及檢查輔助設備失效
简体标题：半导体处理设备之石英产品之检查方法及检查辅助设备
公开(公告)号：TW200528405A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW093130646
申请日：2004-10-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：及川雅之 OIKAWA, MASAYUKI , 安倍勝彥 ANBAI, KATSUHIKO , 高橋信博 TAKAHASHI, NOBUHIRO , 林輝幸 HAYASHI, TERUYUKI
IPC分类号： C03B
CPC分类号： H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
摘要：本發明之檢查輔助設備(3)係用於使半導體處理裝置之石英製棒狀構件(21)之檢查對象部接觸包含蝕刻液之處理液，其次分析處理液而鑑定檢查對象部中所含的金屬雜質之檢查。棒狀構件(21)具有夾住固定檢查對象部之一對凹部(22)。檢查輔助設備(3)包含與一對凹部扣合之一對端板(32)、連接一對端板之框體(30)，及配設於一對端板間之受液部(31)。受液部(31)具有貯留處理液並使檢查對象部接觸處理液之尺寸。
简体摘要：本发明之检查辅助设备(3)系用于使半导体处理设备之石英制棒状构件(21)之检查对象部接触包含蚀刻液之处理液，其次分析处理液而鉴定检查对象部中所含的金属杂质之检查。棒状构件(21)具有夹住固定检查对象部之一对凹部(22)。检查辅助设备(3)包含与一对凹部扣合之一对端板(32)、连接一对端板之框体(30)，及配设于一对端板间之受液部(31)。受液部(31)具有贮留处理液并使检查对象部接触处理液之尺寸。

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