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1. 发明专利

TWI620244B 含過渡金屬之膜的蝕刻方法有权
简体标题：含过渡金属之膜的蚀刻方法
公开(公告)号：TWI620244B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103110814
申请日：2014-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：谷勛 , GU, XUN , 寒川誠二 , SAMUKAWA, SEIJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23F4/00 , C23F1/12 , H01L21/3065

2. 发明专利

TW201508836A 含過渡金屬之膜的蝕刻方法审中-公开
简体标题：含过渡金属之膜的蚀刻方法
公开(公告)号：TW201508836A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103110814
申请日：2014-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：谷勛 , GU, XUN , 寒川誠二 , SAMUKAWA, SEIJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： C23F4/00 , C23F1/12 , H01L21/3065
摘要：提供一種使用基板處理裝置來蝕刻含過渡金屬之膜的方法。基板處理裝置係具有：處理容器，係區劃出處理室及電漿生成室；以及遮蔽部，係設置於處理室與電漿生成室之間，具有使得處理室與電漿生成室連通之複數開口，而具有對紫外線之遮蔽性。該方法係包含：(a)藉由在電漿生成室中，產生含有氧之第1氣體電漿，來供給氧原子之中性粒子至收置具有該膜之被處理體的處理室之工序；(b)供給用以讓被氧化之過渡金屬配位的第2氣體至該處理室之工序；以及(c)藉由該電漿生成室中讓稀有氣體電漿生成，來供給稀有氣體原子之中性粒子至該處理室的工序。
简体摘要：提供一种使用基板处理设备来蚀刻含过渡金属之膜的方法。基板处理设备系具有：处理容器，系区划出处理室及等离子生成室；以及屏蔽部，系设置于处理室与等离子生成室之间，具有使得处理室与等离子生成室连通之复数开口，而具有对紫外线之屏蔽性。该方法系包含：(a)借由在等离子生成室中，产生含有氧之第1气体等离子，来供给氧原子之中性粒子至收置具有该膜之被处理体的处理室之工序；(b)供给用以让被氧化之过渡金属配位的第2气体至该处理室之工序；以及(c)借由该等离子生成室中让稀有气体等离子生成，来供给稀有气体原子之中性粒子至该处理室的工序。

3. 发明专利

TW201419414A 成膜裝置、形成低介電係數膜之方法、ＳｉＣＯ膜、以及金屬鑲嵌配線構造审中-公开
简体标题：成膜设备、形成低介电系数膜之方法、ＳｉＣＯ膜、以及金属镶嵌配线构造
公开(公告)号：TW201419414A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102130031
申请日：2013-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY
发明人：菊地良幸 , KIKUCHI, YOSHIYUKI , 寒川誠二 , SAMUKAWA, SEIJI
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32651 , C01B32/907 , C23C16/325 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45557 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：在一實施形態之成膜裝置中，處理容器的隔成空間包含電漿產生室與該電漿產生室下方之處理室。第1氣體供應系統對電漿產生室供應稀有氣體。介電體窗係以封住電漿產生室之方式設置。天線係經由介電體窗而對電漿產生室供應微波。第2氣體供應系統對處理室供應前驅體氣體。遮蔽部被設置在電漿產生室與處理室之間，具有用以連通電漿產生室與處理室之複數個開口且具有相對於紫外線之遮蔽性。在該成膜裝置中，電漿產生室的壓力係設定成處理室之壓力的4倍以上，且前驅體氣體從處理室朝電漿產生室之擴散度係設定在0.01以下。
简体摘要：在一实施形态之成膜设备中，处理容器的隔成空间包含等离子产生室与该等离子产生室下方之处理室。第1气体供应系统对等离子产生室供应稀有气体。介电体窗系以封住等离子产生室之方式设置。天线系经由介电体窗而对等离子产生室供应微波。第2气体供应系统对处理室供应前驱体气体。屏蔽部被设置在等离子产生室与处理室之间，具有用以连通等离子产生室与处理室之复数个开口且具有相对于紫外线之屏蔽性。在该成膜设备中，等离子产生室的压力系设置成处理室之压力的4倍以上，且前驱体气体从处理室朝等离子产生室之扩散度系设置在0.01以下。

4. 发明专利

TW201539575A 成膜方法及熱處理裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及热处理设备
公开(公告)号：TW201539575A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104101368
申请日：2015-01-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 東北泰克諾亞奇股份有限公司 , TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.
发明人：菊地良幸 , KIKUCHI, YOSHIYUKI , 神原康明 , SAKAKIBARA, YASUAKI , 寒川誠二 , SAMUKAWA, SEIJI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31051 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/50 , H01J37/32192 , H01J37/32357 , H01J37/32522 , H01J37/32651 , H01J37/32724 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/67069 , H01L21/67115
摘要：本發明係一種成膜方法，其係於處理容器內之處理室中之基板上形成低介電常數膜者，該成膜方法中：於處理容器內的、設置於處理室之上方之電漿生成室中，至少供給稀有氣體，使用微波而生成電漿；經由遮蔽部，自電漿生成室對處理室供給粒子，對該處理室供給前驅物氣體，從而於基板上形成低介電常數膜，該遮蔽部係設置於電漿生成室與處理室之間、具有使該電漿生成室與該處理室連通之複數個開口、並且對紫外線具有遮蔽性；其後，對該基板進行加熱處理。
简体摘要：本发明系一种成膜方法，其系于处理容器内之处理室中之基板上形成低介电常数膜者，该成膜方法中：于处理容器内的、设置于处理室之上方之等离子生成室中，至少供给稀有气体，使用微波而生成等离子；经由屏蔽部，自等离子生成室对处理室供给粒子，对该处理室供给前驱物气体，从而于基板上形成低介电常数膜，该屏蔽部系设置于等离子生成室与处理室之间、具有使该等离子生成室与该处理室连通之复数个开口、并且对紫外线具有屏蔽性；其后，对该基板进行加热处理。

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