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1. 发明专利

TWI701737B 氣體噴射器及立式熱處理裝置有权
简体标题：气体喷射器及立式热处理设备
公开(公告)号：TWI701737B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW106138554
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/46

2. 发明专利

TWI544104B 薄膜形成方法有权
公开(公告)号：TWI544104B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100147786
申请日：2011-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 周保華 , CHOU, PAO HWA , 山本和彌 , YAMAMOTO, KAZUYA , 世良賢太郎 , SERA, KENTARO
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/402 , C23C16/45546 , C23C16/46 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/67109 , H01L21/67248

3. 发明专利

TWI521086B 形成矽氧化物膜的方法有权
简体标题：形成硅氧化物膜的方法
公开(公告)号：TWI521086B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101139777
申请日：2012-10-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 佐藤潤 , SATO, JUN , 兩角友一朗 , MOROZUMI, YUICHIRO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/32105 , H01L21/02532 , H01L21/0262

4. 发明专利

TW201447017A 矽氧化物膜之形成方法、及矽氧化物膜之形成裝置审中-公开
简体标题：硅氧化物膜之形成方法、及硅氧化物膜之形成设备
公开(公告)号：TW201447017A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110736
申请日：2014-03-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 木村法史 , KIMURA, NORIFUMI , 大部智行 , OBU, TOMOYUKI
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/40
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/4404 , C23C16/45527 , H01L21/02219 , H01L21/0228 , H01L21/02312 , H01L21/02337 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要：本發明之矽氧化物膜之形成方法係將含有下述步驟的組合進行一次以上：待命步驟，將被處理體收容／回收至晶舟內；裝載步驟，將該晶舟內所收容的被處理體收容至反應室內；矽氧化物膜形成步驟，將矽氧化物膜形成於該反應室內所收容的被處理體；以及卸載步驟，將形成有該矽氧化物膜的被處理體運送至該反應室外。在該卸載步驟、該待命步驟、該裝載步驟的其中至少一個步驟中，加熱該反應室內，並且將含有水蒸氣的氣體供給至該反應室內。
简体摘要：本发明之硅氧化物膜之形成方法系将含有下述步骤的组合进行一次以上：待命步骤，将被处理体收容／回收至晶舟内；装载步骤，将该晶舟内所收容的被处理体收容至反应室内；硅氧化物膜形成步骤，将硅氧化物膜形成于该反应室内所收容的被处理体；以及卸载步骤，将形成有该硅氧化物膜的被处理体运送至该反应室外。在该卸载步骤、该待命步骤、该装载步骤的其中至少一个步骤中，加热该反应室内，并且将含有水蒸气的气体供给至该反应室内。

5. 发明专利

TW201544620A 矽氧化膜之形成方法及矽氧化膜之形成裝置审中-公开
简体标题：硅氧化膜之形成方法及硅氧化膜之形成设备
公开(公告)号：TW201544620A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104105215
申请日：2015-02-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 清水亮 , SHIMIZU, AKIRA
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45534 , H01L21/02211 , H01L21/0228
摘要：本發明之矽氧化膜之形成方法，其具備：非晶矽膜形成步驟，其包含：吸附步驟，將含氯及矽之來源氣體，供給至收容被處理體之反應室內並使其活化，使該活化之來源氣體與該被處理體反應，而使含矽之吸附物吸附於該被處理體；及除氯步驟，將氫氣供給至該反應室內並使其活化，使該活化之氫氣與該吸附物反應，而將該吸附物所含之氯加以去除，藉由於該吸附步驟執行後，執行該除氯步驟，而於該被處理體形成非晶矽膜；及矽氧化膜形成步驟，將氧化氣體供給至該反應室內，使該非晶矽膜氧化，而於該被處理體形成矽氧化膜，將該非晶矽膜形成步驟與該矽氧化膜形成步驟，依此順序重複複數次。
简体摘要：本发明之硅氧化膜之形成方法，其具备：非晶硅膜形成步骤，其包含：吸附步骤，将含氯及硅之来源气体，供给至收容被处理体之反应室内并使其活化，使该活化之来源气体与该被处理体反应，而使含硅之吸附物吸附于该被处理体；及除氯步骤，将氢气供给至该反应室内并使其活化，使该活化之氢气与该吸附物反应，而将该吸附物所含之氯加以去除，借由于该吸附步骤运行后，运行该除氯步骤，而于该被处理体形成非晶硅膜；及硅氧化膜形成步骤，将氧化气体供给至该反应室内，使该非晶硅膜氧化，而于该被处理体形成硅氧化膜，将该非晶硅膜形成步骤与该硅氧化膜形成步骤，依此顺序重复复数次。

6. 发明专利

TWI423332B 用於半導體處理之熱處理方法及裝置，以及電腦可讀取媒體有权
简体标题：用于半导体处理之热处理方法及设备，以及电脑可读取媒体
公开(公告)号：TWI423332B
公开(公告)日：2014-01-11
申请号：TW097105221
申请日：2008-02-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柴田哲彌 , SHIBATA, TETSUYA , 梅澤好太 , UMEZAWA, KOTA , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/324

7. 发明专利

TW201834062A 氣體噴射器及立式熱處理裝置审中-公开
简体标题：气体喷射器及立式热处理设备
公开(公告)号：TW201834062A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106138554
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 島裕巳 , SHIMA, HIROMI , 鈴木啓介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/46
摘要： [課題]提供氣體噴射器等，可抑制噴嘴之大型化，同時適於在立式熱處理裝置進行成膜氣體之供給。[解決手段] 本發明之氣體噴射器3，設於立式熱處理裝置，該立式熱處理裝置係使用在上下方向上棚架狀地排列複數片基板W並加以保持的基板保持具2，而在立式之反應容器1內進行熱處理；用以向該反應容器1內供給成膜氣體的該氣體噴射器3內，有筒狀的噴射器本體32，其配置成在反應容器1內於上下方向上延伸，並沿著該上下方向而形成有複數個氣體供給孔31。筒狀的氣體導入管33，則係與該噴射器本體32設置成一體，並具備用以接收成膜氣體的下部側之氣體接收口、以及對噴射器本體32的內部空間321導入成膜氣體的氣體導入口331。
简体摘要： [课题]提供气体喷射器等，可抑制喷嘴之大型化，同时适于在立式热处理设备进行成膜气体之供给。[解决手段] 本发明之气体喷射器3，设于立式热处理设备，该立式热处理设备系使用在上下方向上棚架状地排列复数片基板W并加以保持的基板保持具2，而在立式之反应容器1内进行热处理；用以向该反应容器1内供给成膜气体的该气体喷射器3内，有筒状的喷射器本体32，其配置成在反应容器1内于上下方向上延伸，并沿着该上下方向而形成有复数个气体供给孔31。筒状的气体导入管33，则系与该喷射器本体32设置成一体，并具备用以接收成膜气体的下部侧之气体接收口、以及对喷射器本体32的内部空间321导入成膜气体的气体导入口331。

8. 发明专利

TWI547586B 膜沉積方法與膜沉積設備有权
简体标题：膜沉积方法与膜沉积设备
公开(公告)号：TWI547586B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101108695
申请日：2012-03-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109

9. 发明专利

TWI524424B 膜沉積方法及膜沉積裝置有权
简体标题：膜沉积方法及膜沉积设备
公开(公告)号：TWI524424B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW100126004
申请日：2011-07-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 周保華 , CHOU, PAO HWA , 山本和彌 , YAMAMOTO, KAZUYA , 世良賢太郎 , SERA, KENTARO
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/401 , C23C16/45546 , C23C16/45557 , H01L21/02164 , H01L21/02219

10. 发明专利

TWI516631B 半導體處理用之批次化學氣相沉積方法及設備有权
简体标题：半导体处理用之批次化学气相沉积方法及设备
公开(公告)号：TWI516631B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW099122857
申请日：2010-07-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 長谷川雅之 , HASEGAWA, MASAYUKI , 高橋敏彥 , TAKAHASHI, TOSHIHIKO , 鈴木啟介 , SUZUKI, KEISUKE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C16/45557 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31608

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