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1. 发明专利

TW201829829A 成膜處理方法及成膜處理裝置审中-公开
简体标题：成膜处理方法及成膜处理设备
公开(公告)号：TW201829829A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106139401
申请日：2017-11-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 大槻志門 , OTSUKI, SHIMON , 羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI , 小川淳 , OGAWA, JUN , 池川寬晃 , IKEGAWA, HIROAKI
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/314
摘要：本發明之目的係沿著構成在作為基板之晶圓W表面上形成之圖案的凹部內壁面形成氮化矽膜(SiN膜)時，使膜緻密化且提高前述凹部之縱向的膜質均一性。為達成上述目的，沿著在晶圓W表面上形成之凹部81的內壁面形成SiN膜後，使H2氣體及NH3氣體活性化並將活性化之氣體供給至晶圓W，接著藉由H2氣體之活性物種鍵結SiN膜之懸鍵，藉此使膜緻密化而改質SiN膜。使用使H2氣體及NH3氣體活性化之氣體時，藉由NH3氣體之活性化產生的H活性物種侵入到凹部81內之下部側的SiN膜。因此，在凹部81之縱向上可使SiN膜之改質處理的程度一致，故可使膜緻密化且提高凹部81縱向之SiN膜的膜質均一性。
简体摘要：本发明之目的系沿着构成在作为基板之晶圆W表面上形成之图案的凹部内壁面形成氮化硅膜(SiN膜)时，使膜致密化且提高前述凹部之纵向的膜质均一性。为达成上述目的，沿着在晶圆W表面上形成之凹部81的内壁面形成SiN膜后，使H2气体及NH3气体活性化并将活性化之气体供给至晶圆W，接着借由H2气体之活性物种键结SiN膜之悬键，借此使膜致密化而改质SiN膜。使用使H2气体及NH3气体活性化之气体时，借由NH3气体之活性化产生的H活性物种侵入到凹部81内之下部侧的SiN膜。因此，在凹部81之纵向上可使SiN膜之改质处理的程度一致，故可使膜致密化且提高凹部81纵向之SiN膜的膜质均一性。

2. 发明专利

TW201829827A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201829827A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138562
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 栗林昭博 , KURIBAYASHI, AKIHIRO
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/033 , H01L21/02
摘要：本發明旨在以快速的成膜速度形成低蝕刻率的高品質氮化膜。從旋轉台12的旋轉方向的上游側依以下順序設置氣體供排氣單元2、第1改質區R2、第2改質區R3及反應區R4。於第1改質區R2中，從下游側端部噴出改質氣體並從上游側端部的第1排氣口51排出，於第2改質區R3中，從上游側端部噴出改質氣體並從下游側端部的第2排氣口52排出。於反應區R4中，從下游側端部噴出反應氣體並從上游側端部的第3排氣口53排出。於第1改質區R2及第2改質區R3與反應區R4之間，因抑制改質氣體與反應氣體的混合，故於第1及第2改質區R2、R3可得到高改質效率，而於反應區R4因可快速進行氮化處理，故可以快速的成膜速度形成低蝕刻率的氮化膜。
简体摘要：本发明旨在以快速的成膜速度形成低蚀刻率的高品质氮化膜。从旋转台12的旋转方向的上游侧依以下顺序设置气体供排气单元2、第1改质区R2、第2改质区R3及反应区R4。于第1改质区R2中，从下游侧端部喷出改质气体并从上游侧端部的第1排气口51排出，于第2改质区R3中，从上游侧端部喷出改质气体并从下游侧端部的第2排气口52排出。于反应区R4中，从下游侧端部喷出反应气体并从上游侧端部的第3排气口53排出。于第1改质区R2及第2改质区R3与反应区R4之间，因抑制改质气体与反应气体的混合，故于第1及第2改质区R2、R3可得到高改质效率，而于反应区R4因可快速进行氮化处理，故可以快速的成膜速度形成低蚀刻率的氮化膜。

3. 发明专利

TW201800594A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201800594A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107466
申请日：2017-03-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 栗林昭博 , KURIBAYASHI, AKIHIRO , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 大槻志門 , OTSUKI, SHIMON , 羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要：一種成膜方法，係對於具備「被層積不同種類的第1基底膜與第2基底膜、並且形成為露出至表面之階梯部」的基板，形成被覆該階梯部之氮化矽膜；於該成膜方法，具有以下步驟：第1步驟，以被覆該階梯部的方式，形成晶種層，用以在該第1基底膜之表面與該第2基底膜之表面使得該氮化矽膜之成長一致；該晶種層係由氮化膜或含矽膜所構成；該氮化膜之形成，係對於該基板供給用以使該第1基底膜及該第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用氣體，並且藉由使該基板曝露於電漿中，而使該階梯部之表面氮化而形成；該含矽膜之形成，係藉由對該基板供給矽原料氣體而形成；以及第2步驟，接續該第1步驟，而對該基板供給第2矽原料氣體、以及用以使矽氮化的氮化矽用氣體，而以層積於該晶種層的方式，形成該氮化矽膜。
简体摘要：一种成膜方法，系对于具备“被层积不同种类的第1基底膜与第2基底膜、并且形成为露出至表面之阶梯部”的基板，形成被覆该阶梯部之氮化硅膜；于该成膜方法，具有以下步骤：第1步骤，以被覆该阶梯部的方式，形成晶种层，用以在该第1基底膜之表面与该第2基底膜之表面使得该氮化硅膜之成长一致；该晶种层系由氮化膜或含硅膜所构成；该氮化膜之形成，系对于该基板供给用以使该第1基底膜及该第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用气体，并且借由使该基板曝露于等离子中，而使该阶梯部之表面氮化而形成；该含硅膜之形成，系借由对该基板供给硅原料气体而形成；以及第2步骤，接续该第1步骤，而对该基板供给第2硅原料气体、以及用以使硅氮化的氮化硅用气体，而以层积于该晶种层的方式，形成该氮化硅膜。

4. 发明专利

TWI411015B 電漿處理裝置、執行其清理方法之電漿裝置及記憶執行其清理方法之程式的記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、运行其清理方法之等离子设备及记忆运行其清理方法之进程的记忆媒体
公开(公告)号：TWI411015B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW097106945
申请日：2008-02-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 河本慎二 , KOMOTO, SHINJI , 高場裕之 , TAKABA, HIROYUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4405 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32862

5. 发明专利

TWI663280B 成膜方法及成膜裝置有权
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TWI663280B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW105113220
申请日：2016-04-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 岩崎征英 , IWASAKI, MASAHIDE , 鎌田豐弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 海老原良介 , EBIHARA, RYOSUKE , 井下田真信 , IGETA, MASANOBU
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/513

6. 发明专利

TW201816167A 矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：硅氮化膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201816167A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125188
申请日：2017-07-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置，可將具有良好膜質，且具有足夠的乾蝕刻耐受性的矽氮化膜成膜。該矽氮化膜之成膜方法，於被處理基板上，將矽氮化膜成膜，該方法包含如下步驟：對被處理基板，將吸附矽原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該矽原料氣體氮化之處理重複第1次數，以將矽氮化膜成膜的步驟；以及對被處理基板，將吸附含有氯的鈦原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該鈦原料氣體氮化之處理重複第2次數，以將氮化鈦膜成膜的步驟；將上述步驟重複既定次數，使摻雜有既定量的鈦之矽氮化膜成膜。
简体摘要：本发明提供一种硅氮化膜之成膜方法及成膜设备，可将具有良好膜质，且具有足够的干蚀刻耐受性的硅氮化膜成膜。该硅氮化膜之成膜方法，于被处理基板上，将硅氮化膜成膜，该方法包含如下步骤：对被处理基板，将吸附硅原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该硅原料气体氮化之处理重复第1次数，以将硅氮化膜成膜的步骤；以及对被处理基板，将吸附含有氯的钛原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该钛原料气体氮化之处理重复第2次数，以将氮化钛膜成膜的步骤；将上述步骤重复既定次数，使掺杂有既定量的钛之硅氮化膜成膜。

7. 发明专利

TWI608117B 成膜方法有权
公开(公告)号：TWI608117B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104142883
申请日：2015-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228

8. 发明专利

TWI425577B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI425577B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW097118863
申请日：2008-05-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：赤坂泰志 , AKASAKA, YASUSHI , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 加藤良裕 , KATO, YOSHIHIRO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 周保華 , CHOU, PAO HWA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/823864 , H01L21/823814

9. 发明专利

TW201704514A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201704514A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105113220
申请日：2016-04-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 岩崎征英 , IWASAKI, MASAHIDE , 鎌田豐弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 海老原良介 , EBIHARA, RYOSUKE , 井下田真信 , IGETA, MASANOBU
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/36 , C23C16/45531 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
摘要：一種在處理容器內的被處理基板形成氮化膜之成膜方法，係含有：第1反應工序，係將第1前驅物氣體供給至該處理容器內之該被處理基板；第2反應工序，係將第2前驅物氣體供給至該處理容器內之該被處理基板；以及改質工序，係將改質氣體供給至該處理容器內，並從天線供給微波，以在該被處理基板正上方產生該改質氣體的電漿，藉由所產生的電漿，來將利用該第1及第2前驅物氣體之第1及第2反應工序後的該被處理基板的表面電漿處理。
简体摘要：一种在处理容器内的被处理基板形成氮化膜之成膜方法，系含有：第1反应工序，系将第1前驱物气体供给至该处理容器内之该被处理基板；第2反应工序，系将第2前驱物气体供给至该处理容器内之该被处理基板；以及改质工序，系将改质气体供给至该处理容器内，并从天线供给微波，以在该被处理基板正上方产生该改质气体的等离子，借由所产生的等离子，来将利用该第1及第2前驱物气体之第1及第2反应工序后的该被处理基板的表面等离子处理。

10. 发明专利

TW201639981A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201639981A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104142883
申请日：2015-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：本發明係在載置於成膜裝置之處理容器內並具有含有碳原子之含碳膜的基板上，形成氮化膜的成膜方法，該成膜方法包含保護膜形成步驟，而該保護膜形成步驟係藉由包含不具有氫原子之氮化物氣體及惰性氣體的第1反應氣體的電漿，在含碳膜上形成保護膜。
简体摘要：本发明系在载置于成膜设备之处理容器内并具有含有碳原子之含碳膜的基板上，形成氮化膜的成膜方法，该成膜方法包含保护膜形成步骤，而该保护膜形成步骤系借由包含不具有氢原子之氮化物气体及惰性气体的第1反应气体的等离子，在含碳膜上形成保护膜。

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