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1. 发明专利

TWI488236B 聚焦環及電漿處理裝置有权
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI488236B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101115977
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：輿石公 , KOSHIISHI, AKIRA , 田中秀朗 , TANAKA, HIDEAKI , 岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 宮川正章 , MIYAGAWA, MASAAKI , 水上俊介 , MIZUKAMI, SHUNSUKE , 清水涉 , SHIMIZU, WATARU , 廣瀨潤 , HIROSE, JUN , 若木俊克 , WAKAKI, TOSHIKATSU , 三輪智典 , MIWA, TOMONORI , 大藪淳 , OOYABU, JUN , 林大輔 , HAYASHI, DAISUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/00

2. 发明专利

TWI370707B 聚焦環及電漿處理裝置失效
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI370707B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093126072
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H05H , H01L
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置，不但能夠提高處理的面內均勻性，並且與以往相比，能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。
為了解決此課題，本發明之手段為：
載置著半導體晶圓W之載置台2，被設置在真空艙1內；聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8，係由：電介質所形成的下側構件9；及被配置在此下側構件9的上部，由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成；上側構件10，其頂面的外周側，係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的內周部，係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备，不但能够提高处理的面内均匀性，并且与以往相比，能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题，本发明之手段为：载置着半导体晶圆W之载置台2，被设置在真空舱1内；聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8，系由：电介质所形成的下侧构件9；及被配置在此下侧构件9的上部，由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成；上侧构件10，其顶面的外周侧，系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a，而此平坦部10a的内周部，系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

3. 发明专利

TW201243942A 聚焦環及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：聚焦环及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201243942A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101115977
申请日：2004-08-30
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：輿石公 , 田中秀朗 , 岡山信幸 , 宮川正章 , 水上俊介 , 清水涉 , 廣瀨潤 , 若木俊克 , 三輪智典 , 大藪淳 , 林大輔
IPC分类号： H01L , H05H
摘要：本發明的課題在於提供一種聚焦環及電漿處理裝置,不但能夠提高處理的面內均勻性,並且與以往相比,能夠減少在半導體晶圓的周邊部背面側之沉積的發生。為了解決此課題,本發明之手段為:載置著半導體晶圓W之載置台2,被設置在真空艙1內;聚焦環8則被設置成可以包圍被載置於此載置台2上的半導體晶圓W的周圍。聚焦環8,係由:電介質所形成的下側構件9;及被配置在此下側構件9的上部,由導電性材料所形成的環狀的上側構件10所構成;上側構件10,其頂面的外周側,係作成比半導體晶圓W的被處理面更高的平坦部10a,而此平坦部10a的內周部,係作成其外周側比內周側高而傾斜的傾斜部10b。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种聚焦环及等离子处理设备,不但能够提高处理的面内均匀性,并且与以往相比,能够减少在半导体晶圆的周边部背面侧之沉积的发生。为了解决此课题,本发明之手段为:载置着半导体晶圆W之载置台2,被设置在真空舱1内;聚焦环8则被设置成可以包围被载置于此载置台2上的半导体晶圆W的周围。聚焦环8,系由:电介质所形成的下侧构件9;及被配置在此下侧构件9的上部,由导电性材料所形成的环状的上侧构件10所构成;上侧构件10,其顶面的外周侧,系作成比半导体晶圆W的被处理面更高的平坦部10a,而此平坦部10a的内周部,系作成其外周侧比内周侧高而倾斜的倾斜部10b。

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