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1. 发明专利

JP5875306B2 管継手有权
公开(公告)号：JP5875306B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2011206749
申请日：2011-09-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社フジキン
发明人：岡部庸之 , 守谷修司 , 佐藤健一 , 中田知宏 , 篠原努 , 山路道雄
IPC分类号： F16L23/036 , F16L19/03
CPC分类号： F16L19/0212 , F16L19/0286

2. 发明专利

JP6442622B2 基板処理装置のチャンバークリーニング方法有权
公开(公告)号：JP6442622B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2017553700
申请日：2016-10-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：齋藤幸正 , 日向寿樹 , 土橋和也 , 池田恭子 , 守谷修司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304

3. 发明专利

JP6770825B2 基板処理方法及び基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6770825B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2016089146
申请日：2016-04-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：守谷修司 , 冨田正彦
IPC分类号： H01L21/302

4. 发明专利

JPWO2017098823A1 基板洗浄装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017098823A1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2016081550
申请日：2016-10-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：齋藤幸正 , 日向寿樹 , 土橋和也 , 池田恭子 , 守谷修司
IPC分类号： H01L21/302 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/304
CPC分类号： C23C14/022 , C23C14/02 , C23C14/505 , C23C14/564 , C23C16/02 , H01L21/02041 , H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/68714
摘要：ガスクラスターをウエハ(W)に照射することによりウエハ(W)を洗浄する基板洗浄装置(100)は、ウエハ(W)を収容するチャンバー(1)と、チャンバー(1)内でウエハ(W)を回転可能に支持する回転ステージ(4)と、回転ステージ(4)に支持されたウエハ(W)にガスクラスターを照射するノズル部(13)と、ウエハ(W)上でのガスクラスターの照射位置をスキャンさせるノズル移動部材(10)と、チャンバー(1)を排気するための排気口(32)と、回転ステージ(4)によるウエハ(W)の回転方向と、ガスクラスターの照射位置のスキャン方向とを制御して、ウエハ(W)へのパーティクルの再付着が抑制されるようにパーティクルの飛散方向を制御する制御機構(50)とを有する。

5. 发明专利

JP2017199782A 基板処理方法及び基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017199782A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016089146
申请日：2016-04-27
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：守谷修司 , 冨田正彦
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67248
摘要：【課題】実用的な基板の温度においてシリコン系の膜のエッチングを適切に制御することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】エッチング装置10は、弗素ガス供給系18により、シリコン系の膜を有するウエハWを収容するチャンバ11の内部に弗素ガスを供給し、パージガス供給系20により、供給された弗素ガスを排出するためのパージガスをチャンバ11の内部に供給し、一酸化窒素ガス供給系19により、弗素ガスが排出されたチャンバ11の内部に一酸化窒素ガスを供給する。【選択図】図2

6. 发明专利

JP6097192B2 エッチング方法有权
公开(公告)号：JP6097192B2
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：JP2013208534
申请日：2013-10-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋信博 , 守谷修司 , 松本雅至 , 松永淳一郎 , ▲高▼橋哲朗
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116

7. 发明专利

JP2016058544A エッチング方法、記憶媒体及びエッチング装置审中-公开
标题翻译：蚀刻方法，存储介质和蚀刻设备
公开(公告)号：JP2016058544A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014183580
申请日：2014-09-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋信博 , 守谷修司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302
摘要：【課題】表面にSiN膜73と、SiO 2 膜74を有するウエハWのエッチング方法において、プラズマを生成することなく、SiO 2 膜74に対してSiN膜73を高い選択比でエッチングできる技術を提供すること。【解決手段】表面部にSiN膜73とSiO 2 膜74とを有するウエハWを処理容器3内に設けたステージ4に載置し、ヒータ46により加熱する。処理容器3内を真空雰囲気とした後、ClF 3 ガスを含み、励起されていない処理ガスをガスシャワーヘッド31からウエハWに供給する。SiN膜73はClF 3 ガスを含む処理ガスと速やかに反応するが、SiO 2 膜74については、ClF 3 ガスを含む処理ガスとの反応速度が格段に遅い。従って実験結果から分かるようにプラズマを生成することなく、SiN膜73をSiO 2 膜74に対して高い選択比でエッチングすることができる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：在具有SiN膜73和表面上的SiO膜74的晶片W的蚀刻方法中，为了提供一种用于在不产生等离子体的情况下对SiO膜74的高选择率蚀刻SiN膜73的技术。解决方案：表面上具有SiN膜73和SiO膜74的晶片W安装在设置在处理容器3中的载物台4上，并通过加热器46加热。真空气氛进入处理容器3后，含有ClF气体的尚未激发的工艺气体从气体喷头31供给到晶片W.虽然SiN膜73对包含ClF气体的工艺气体快速反应，但是SiO膜74与含有ClF气体的工艺气体的反应速度要慢得多。从实验结果可以看出，SiN膜73可以以高的选择比对SiO膜74进行蚀刻，而不产生等离子体。图2

8. 发明专利

JP5803552B2 処理装置有权
公开(公告)号：JP5803552B2
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：JP2011227116
申请日：2011-10-14
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：岡部庸之 , 守谷修司 , 松野一成
IPC分类号： H01L21/3065 , G05D7/06
CPC分类号： G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158

9. 发明专利

JP2015073035A エッチング方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法
公开(公告)号：JP2015073035A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2013208535
申请日：2013-10-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人： ▲高▼橋信博 , ▲高▼橋哲朗 , 守谷修司 , 松本雅至
IPC分类号： H01L21/302
摘要：【課題】チャンバー内にプラズマを生成させない手法により、窒化シリコン膜を高エッチングレートで、かつ酸化シリコン膜に対して高選択比でエッチングすることができるエッチング方法を提供する。【解決手段】表面に窒化シリコン膜を有し、前記窒化シリコン膜に隣接して設けられた酸化シリコン膜を有する被処理基板をチャンバー40内に配置し、チャンバー40内に、HFガスと、F 2 ガスと、不活性ガスと、O 2 ガスとを、励起した状態で供給し、これにより窒化シリコン膜を酸化シリコン膜に対して選択的にエッチングする。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过在室内不产生等离子体的方法，提供能够以高蚀刻速率以高选择比对氧化硅膜蚀刻氮化硅膜的蚀刻方法。解决方案：具有表面上的氮化硅膜和与氮化硅膜连续设置的氧化硅膜设置在室40中，然后将HF气体，Fgas，惰性气体和O气在激发状态下供应到室40中，因此蚀刻氮化硅膜选择性地用于氧化硅膜。

10. 发明专利

JP6505253B2 基板洗浄装置有权
公开(公告)号：JP6505253B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2017554967
申请日：2016-10-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：齋藤幸正 , 日向寿樹 , 土橋和也 , 池田恭子 , 守谷修司
IPC分类号： H01L21/302 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/304

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