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1. 发明专利

JP2021192425A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021192425A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021070834
申请日：2021-04-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ジョンファジュン , 鈴木雅弘 , 保坂勇貴 , 大秦充敬
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】基板エッジにおけるチルティングを制御しつつ、基板の中央及び中間領域におけるプロセス変化を抑制できること。【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理容器と、プラズマ処理容器内に配置され、静電チャックを含む基板支持部と、静電チャック上の基板を囲むように静電チャック上に配置され、内側環状部分、中間環状部分及び外側環状部分を含む第1のリングであり、内側環状部分の上面は、中間環状部分の上面よりも高く、外側環状部分の上面は、内側環状部分の上面よりも高い、第1のリングと、第1のリングの中間環状部分の上面に配置される第2のリングと、第2のリングの上面を第1の高さに維持するように第2のリングを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータであり、第1の高さは、第1のリングの内側環状部分の上面の高さよりも大きく、且つ、第1のリングの外側環状部分の上面の高さよりも小さい、アクチュエータと、を有する。【選択図】図1

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