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    • 5. 发明专利
    • プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ
    • 等离子体处理装置和上电极组件
    • JP2016018768A
    • 2016-02-01
    • JP2014143292
    • 2014-07-11
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 松浦 伸鄭 俊泳神原 啓太
    • H01L21/3065H05H1/46
    • H01J37/32568H01J37/32522H01J37/32532H01L21/67069H01L21/67109
    • 【課題】上部電極の吊り上げ力を柔軟に調整するプラズマ処理装置および上部電極アセンブリの提供。 【解決手段】支持部材201と、連絡部材202と、回転部材124と、固定部材と、を備える。支持部材201は、一部がクーリングプレート122内に配置され、クーリングプレート122の下方に配置される上部電極120を支持する。連絡部材202は、一部がクーリングプレート122内に配置され、クーリングプレート122の径方向に延在して、支持部材201に係合する。回転部材124は、クーリングプレート122の外周に沿って配置され、クーリングプレート122側に形成された凹部203が連絡部材202と係合する。固定部材は、回転部材124の凹部203内で連絡部材202に当接し、連絡部材202にトルクを与えることで上部電極120をクーリングプレート122に吊り上げて固定する。固定部材はトルク管理が可能である。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供能够灵活调节上电极的提升力的等离子体处理装置和上电极组件。解决方案:等离子体处理装置包括支撑构件201,连通构件202,旋转构件124 ,和固定成员。 支撑构件201支撑布置在冷却板122下方并且其一部分布置在冷却板122中的上电极120.连通构件202沿冷却板122的径向方向延伸以与支撑构件201接合,并且 其一部分布置在冷却板122中。旋转构件124沿着冷却板122的外周布置,并且形成在冷却板122侧的凹部203与连通构件202接合。固定构件 与旋转构件124的凹部203中的连通构件202接触,并且通过向连通构件202施加扭矩而将上电极120提升到冷却板122来固定。固定构件提供扭矩管理。选择图: 图1
    • 8. 发明专利
    • プラズマ処理装置の上部電極構造、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
    • 等离子体处理装置的上电极结构,等离子体处理装置和操作等离子体处理装置的方法
    • JP2015216261A
    • 2015-12-03
    • JP2014098809
    • 2014-05-12
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 村上 幸一斎藤 道茂神原 啓太永井 健治
    • H05H1/46H01L21/3065
    • H01J37/32541H01J37/32091H01J37/32449H01J37/32522H01L21/3065H05H1/46H01J2237/002H01J37/32183
    • 【課題】容量結合型のプラズマ処理装置の上部電極構造を提供する。 【解決手段】上部電極構造は、第1のプレート、第2のプレート、及び静電吸着部を備える。第1のプレートは、同心状に設けられた第1の領域、第2の領域及び第3の領域を有し、これら領域の各々には複数のガス吐出口が形成されている。静電吸着部は、第1のプレートと第2のプレートとの間に介在し、第1のプレートを吸着する。静電吸着部は、第1〜第3の領域用の第1〜第3のヒータを有する。静電吸着部と第2のプレートは、第1〜第3の領域にガスを供給する第1の供給経路、第2の供給経路、及び第3の供給経路を提供する。静電吸着部には、第1のガス拡散室、第2のガス拡散室、及び、第3のガス拡散室が形成されている。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供容量耦合等离子体处理装置的上电极结构。解决方案:上电极结构包括第一板,第二板和静电吸附单元。 第一板包括同心设置的第一,第二和第三区域。 在这些区域的每一个中形成多个气体排出口。 静电吸附单元介于第一板和第二板之间,并吸附第一板。 静电吸附单元包括用于第一至第三区域的第一至第三加热器。 静电吸附单元和第二板提供用于向第一区域供应气体的第一供应路径,用于向第二区域供应气体的第二供应路径和用于向第三区域供应气体的第三供应路径。 第一气体扩散室,第二气体扩散室和第三气体扩散室形成在静电吸附单元中。