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    • 2. 发明申请
    • 配線・電極及びスパッタリングターゲット
    • 接线/电极和溅射目标
    • WO2006057312A1
    • 2006-06-01
    • PCT/JP2005/021607
    • 2005-11-24
    • 東ソー株式会社八ツ波 俊祐稲生 俊雄川畑 貴裕
    • 八ツ波 俊祐稲生 俊雄川畑 貴裕
    • H01L21/28C23C14/34H01L21/285H01L21/3205H01L23/52
    • H01L21/2855C23C14/3414H01J37/3414
    •  電気抵抗率が低く、電子デバイスの高密度化、特に液晶ディスプレイ等の平面表示素子の大型化、高精細化に適した配線・電極、及びその製造に用いられる放電安定性の高いスパッタリングターゲットを提供する。  Alに周期表第3族から選ばれる1種以上の金属を総含有量で0.5原子%未満含有し、かつ、酸素含有量が100ppm以下のAl系合金薄膜により配線・電極を形成する。これにより、同一条件で作製した純Al薄膜の電気抵抗率と同等の低い電気抵抗率を有し、かつ、ヒロック耐性の高い配線・電極が得られる。さらに、基板面に平行に配向する(111)面の配向性を向上させることにより、さらに低抵抗率でヒロック耐性の高い配線・電極が得られる。このような配線・電極は、周期表第3族から選ばれる1種以上の金属を総含有量で0.5原子%未満含有し、かつ、酸素含有量が100ppm以下であるAl系合金からなるスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を形成した後、150°C以上の温度で熱処理することにより得られる。
    • 电阻率低的电极/电极,适用于较高密度的电子器件,尤其用于制造更大更精细的平板显示元件如液晶显示器,溅射靶的放电稳定性高,用于制造。 布线/电极由Al基合金薄膜形成,该铝基合金薄膜含有Al少于0.5原子%的总共至少一种选自元素周期表中的III族的金属,并含有至多100ppm的氧。 因此,获得了具有与在相同条件下生产的纯Al薄膜的电阻率低并且具有高的小时电阻的布线/电极。 通过改善平行于衬底表面取向的(111)面的取向,获得电阻率进一步降低并且耐小丘电阻更高的接线/电极。 这种布线/电极通过溅射法形成薄膜而得到,该溅射方法使用由Al系合金构成的溅射靶,该Al系合金含有小于0.5原子%的总共为周期性的III族中的至少一种金属 并含有高达100ppm的氧气,然后在至少150℃的温度下进行热处理。