专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2020132530A アザフルバレン化合物、その製造方法及び電気化学測定用組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2020132530A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019023563
申请日：2019-02-13
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 中野健央 , 佐藤宏亮 , 渡辺真人 , 宮下真人
IPC分类号： G01N27/416 , C07D235/20
摘要：【課題】電気化学的に安定なアザフルバレン化合物と、該化合物を含む電気化学測定用組成物を提供する。【解決手段】一般式(1) 【化1】 (式中、R 1 は、炭素数7から20のアルキル基を表す。R 2 、R 3 及びR 4 は、各々独立に、水素原子又は炭素数1から20のアルキル基を表す。)で示されるアザフルバレン化合物。【選択図】なし

2. 发明专利

JP6521818B2 ジチアゾロベンゾジチオフェン化合物、その製造方法及びトランジスタ素子有权
公开(公告)号：JP6521818B2
公开(公告)日：2019-05-29
申请号：JP2015191696
申请日：2015-09-29
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 菊地麻衣 , 蜂谷斉士 , 渡辺真人
IPC分类号： C07D277/22 , C07D277/32 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D513/22

3. 发明专利

JP6399956B2 ヘテロアセン誘導体、その製造方法、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6399956B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2015072904
申请日：2015-03-31
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：上野航 , 蜂谷斉士 , 上田さおり , 渡辺真人 , 相原秀典 , 菊地麻衣
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D495/22

4. 发明专利

JP2017066069A ジチアゾロベンゾジチオフェン化合物、その製造方法及びトランジスタ素子有权
公开(公告)号：JP2017066069A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015191696
申请日：2015-09-29
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 菊地麻衣 , 蜂谷斉士 , 渡辺真人
IPC分类号： C07D277/22 , C07D277/32 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D513/22
摘要：【課題】高いキャリア移動度、耐熱性及び溶媒溶解性を併せ持つ持つ新規な有機半導体と、該有機半導体を含む製膜用組成物、該製膜用組成物を用いて製膜した有機薄膜、及び該有機薄膜を活性層とする有機トランジスタ素子を提供する。【解決手段】下記一般式(1) 【化1】 (式中、R 1 及びR 2 は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロアルキル基、又は炭素数1〜12のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。)で示されるジチアゾロベンゾジチオフェン化合物【選択図】なし

5. 发明专利

JP2019145727A 有機半導体インキ、それを用いた有機薄膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019145727A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018030496
申请日：2018-02-23
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 中野健央 , 福田貴 , 上田さおり , 渡辺真人
IPC分类号： C09D11/52 , H01L51/05 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/40
摘要：【課題】湿式法に用いることで、有機半導体の板状晶から成る結晶性薄膜を形成することの出来る有機半導体インキを提供する。【解決手段】π共役化合物、1種類以上の芳香族化合物、及び1種類以上の脂肪族アルコールから成る有機半導体インキ。【選択図】なし

6. 发明专利

JP6979895B2 チアゾール化合物及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6979895B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2018017950
申请日：2018-02-05
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 中野健央 , 渡辺真人 , 上田さおり , 宮下真人
IPC分类号： C07D277/32 , C07D277/22

7. 发明专利

JP2020111737A 共役系高分子、製膜用組成物、有機薄膜、ならびに有機半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2020111737A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2020001872
申请日：2020-01-09
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：巳上幸一郎 , 花村仁嗣 , 井上宗宣 , 上田さおり , 渡辺真人 , 田靡正雄
IPC分类号： H01L29/786 , C08G61/12
摘要：【課題】高キャリア移動度、高耐熱性、及び高溶媒溶解性を併せ持つ新しい共役系高分子、該高分子の製造方法、該高分子を含む製膜用組成物、該製膜用組成物から作成される有機薄膜、該有機薄膜を活性層とする半導体素子及び有機トランジスタ素子を提供する。【解決手段】下記チエノチオフェン骨格を含んだオリゴヘテロアセンを繰り返し単位として有する共役系高分子。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2018168149A ジイミダゾロベンゾジチオフェン化合物、その製造方法及びトランジスタ素子审中-公开
公开(公告)号：JP2018168149A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2018037606
申请日：2018-03-02
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 山縣拓也 , 蜂谷斉士 , 渡辺真人 , 福田貴 , 上田さおり , 宮下真人
IPC分类号： C07D233/64 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L29/786 , C07D495/14
摘要：【課題】高い耐熱性及び溶媒溶解性を有する新規な有機半導体としてのジイミダロベンゾチオフェン化合物、該化合物を含む製膜用組成物、該製膜用組成物を用いて製膜した有機薄膜、及び該有機薄膜を活性層とする有機トランジスタ素子の提供。【解決手段】下記一般式(1)の化合物。 (式中、R 1 及びR 2 は、各々独立に、水素原子;炭素数1〜20のアルキル基;炭素数1〜20のハロアルキル基:又は炭素数1〜12のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。R 3 及びR 4 は、各々独立に、炭素数1〜20のアルキル基;炭素数1〜20のハロアルキル基;又は炭素数1〜12のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜14の芳香族炭化水素基を表す。また、R 1 とR 3 、及びR 2 とR 4 は、それぞれ一体となって、炭素数1〜12のアルキル基で置換されていてもよい炭素数3〜6のオリゴメチレン基を表す。) 【選択図】なし

9. 发明专利

JP2019135211A チアゾール化合物及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019135211A
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：JP2018017950
申请日：2018-02-05
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：相原秀典 , 中野健央 , 渡辺真人 , 上田さおり , 宮下真人
IPC分类号： C07D277/32 , C07D277/28
摘要：【課題】ジチアゾロナフトジチオフェン化合物の製造中間体であるジチアゾリルナフタレン化合物と、その製造方法の提供。【解決手段】一般式(2)で示されるジチアゾリルナフタレン化合物。 (式中、R 1 、R 2 はH原子、C数1〜20のアルキル基、C数1〜20のハロアルキル基又は炭素数1〜12のアルキル基で置換されていてもよい炭素数6〜14の芳香族炭化水素基;R 3 、R 4 、R 5 、R 6 はH原子、C数1〜20のアルキル基又はC数1〜20のアルキルオキシ基を;X 1 はH原子又はハロゲン原子を;X 2 はハロゲン原子を表す。) 【選択図】なし

10. 发明专利

JP2016190826A ヘテロアセン誘導体、その製造方法、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：异戊二烯衍生物，其生产方法，有机半导体层和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2016190826A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2015072904
申请日：2015-03-31
申请人：東ソー株式会社 , 公益財団法人相模中央化学研究所
发明人：上野航 , 蜂谷斉士 , 上田さおり , 渡辺真人 , 相原秀典 , 菊地麻衣
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D495/14
摘要：【課題】高いキャリア移動度、高耐熱性及び高溶解性を持つ塗布型の有機半導体材料、及び前記半導体材料を用いた有機半導体層並びに有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】式(1)で示されるヘテロアセン誘導体、及び該誘導体を用いた有機半導体層並びに有機薄膜トランジスタ。 [R 1 及びR 2 は各々独立にアルキル基;R 3 及びR 4 は各々独立にH又はアルキル基;R 5 及びR 6 は各々独立にH、アルキル基、又はケイ素を含むアルキニル基;T 1 〜T 4 は各々独立にS又はO;X 1 及びX 2 は各々独立にO又はS;n及びn’は各々独立に0〜10の整数;m及びm’は0〜10の整数;但し、mが0の場合、nは1;m’が0の場合、n’は1;A及びA’は各々独立にメチレン基又はカルボニル基;但し、nが0の場合、Aはカルボニル基;n’が0の場合、A’はカルボニル基] 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高载流子迁移率，高耐热性和高溶解度的涂层型有机半导体材料，以及使用该半导体材料的有机半导体层以及有机薄膜晶体管。解决方案：代表性的异亚蒽衍生物（1）表示，并且要求使用该衍生物的有机半导体层以及有机薄膜晶体管（Rand R 1各自独立地为烷基; Rand R 6各自独立地为H或烷基; Rand Ris 独立地是H，包含硅的烷基或炔基; T-T各自独立地为S或O; X和X各自独立地为O或S; n和n'各自独立地为0-10的整数; m和m '是0-10的整数;然而，当m为0时，n为1;当m'为0时，n'为1; A和A'各自独立地为亚甲基或羰基;然而，当n为为0，A为羰基;当n'为0时，A'为羰基） TED图：无

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式