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1. 发明申请

WO2007077732A1 エチレン系重合体、エチレン系重合体製造用触媒およびエチレン系重合体の製造方法审中-公开
标题翻译：乙烯聚合物，乙烯聚合物生产催化剂和乙烯聚合物生产方法
公开(公告)号：WO2007077732A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/JP2006/325306
申请日：2006-12-19
申请人：東ソー株式会社 , 山田悟 , 稲富敬 , 若林保武 , 阿部成彦 , 佐藤守彦 , 田靡正雄 , 羽村敏 , 池田隆治
发明人：山田悟 , 稲富敬 , 若林保武 , 阿部成彦 , 佐藤守彦 , 田靡正雄 , 羽村敏 , 池田隆治
IPC分类号： C08F10/02 , C08F4/6592
CPC分类号： C08F210/16 , C08F4/65912 , C08F4/65916 , C08F4/65927 , C08F10/00 , C08F110/02 , C08F4/65904 , C08F2500/12 , C08F2500/11 , C08F2500/20 , C08F2500/18 , C08F210/08 , C08F2500/09
摘要：本発明の課題は、機械強度に優れ、幅広い成形加工温度範囲で成形加工性に優れるエチレン系重合体を提供することに係わる。本発明は、エチレンから導かれる繰り返し単位からなる、またはエチレンから導かれる繰り返し単位と炭素数３～８のα－オレフィンから導かれる繰り返し単位からなり、下記（Ａ）～（Ｆ）を満足することを特徴とするエチレン系重合体を用いることに係わる。（Ａ）密度［ｄ（ｋｇ／ｍ３）］が９１０以上９７０以下、（Ｂ）ＭＦＲ（ｇ／１０分）が０．０１以上５０以下、（Ｃ）末端ビニル数が１，０００炭素原子当たり０．２個以下、（Ｄ）１６０°Cで測定した溶融張力［ＭＳ１６０（ｍＮ）］とＭＦＲが、ＭＳ１６０＞９０－１３０×ｌｏｇ（ＭＦＲ）を満たし、（Ｅ）１９０°Cで測定した溶融張力［ＭＳ１９０（ｍＮ）］とＭＳ１６０がＭＳ１６０／ＭＳ１９０＜１．８を満たし、（Ｆ）流動の活性化エネルギー［Ｅａ（ｋＪ／ｍｏｌ）］とｄが１２７－０．１０７ｄ＜Ｅａ＜８８－０．０６０ｄを満たす。
摘要翻译：公开了具有优异的机械强度并且在宽的成型加工温度范围内显示出优异的成型加工性的乙烯聚合物。乙烯聚合物具有衍生自乙烯的重复单元或衍生自乙烯的重复单元和来自具有3至8个碳原子的α-烯烃的重复单元，并满足以下要求（A）至（F）：（A ）密度[d（kg / m 3）]为910〜970（含）（B）MFR（g / 10分钟）值为0.01〜50（含）（C）末端乙烯基的数目为每1000个碳原子数为0.2以下; （D）在160℃[MS 160（mN）]下测量的熔体强度和MFR值满足以下关系：MS 160〜90×130×log MFR）; （E）在190℃[MS 190（mN）]和MS 160测量的熔体强度满足以下关系：MS 1.8 <1.8; 和（F）流动的活化能[E SUB]（kJ / mol）]和d满足以下关系：127-0.107d 天。

2. 发明专利

JP6478705B2 有機薄膜トランジスタ及び有機電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6478705B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015036221
申请日：2015-02-26
申请人：東ソー株式会社 , 国立大学法人山形大学
发明人：時任静士 , 福田憲二郎 , 羽村敏 , 福田貴
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786

3. 发明专利

JP2015189754A ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ审中-公开
标题翻译：异丝衍生物，有机半导体层和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2015189754A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014070466
申请日：2014-03-28
申请人：東ソー株式会社
发明人：蜂谷斉士 , 上野航 , 渡辺真人 , 羽村敏
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/46 , C09K11/06 , C07F7/18
CPC分类号： Y02E10/549
摘要：【課題】高いキャリア移動度、高耐熱性及び高溶解性を持つ塗布型の有機半導体材料である新規なヘテロアセン誘導体、これを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】下記一般式(1)で示されるヘテロアセン誘導体。【化1】 (式中、R 1 は、炭素数1〜20の炭化水素基、又は炭素数1〜20のアルコキシ基を示す。R 2 〜R 4 は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数1〜20の炭化水素基を示す。R 5 及びR 6 は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜20の炭化水素基、又はケイ素を含む炭素数1〜20の炭化水素基を示す。T 1 〜T 4 は、それぞれ独立して硫黄原子又は酸素原子を示す。nは2〜20の整数、mは1〜10の整数示す。) 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供作为具有高载流子迁移率，高热稳定性和高溶解性的涂层型有机半导体材料的新型异衍生衍生物，以及使用其的有机半导体层和有机薄膜晶体管。由以下通式（1）表示的异亚苯衍生物。（1）中，R表示碳原子数为1〜20的烃基或碳原子数1〜20的烷氧基，R〜R各自独立地表示氢原子或含有1〜20个碳原子的烃基，原子，碳原子数1〜20的烃基或碳原子数1〜20的含有硅的烃基，TtoT各自独立地表示硫原子或氧原子，n表示2〜20的整数，m表示 1到10。

4. 发明专利

JP2015189751A ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ有权
标题翻译：异丝衍生物，有机半导体层和有机薄膜晶体管
公开(公告)号：JP2015189751A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014070463
申请日：2014-03-28
申请人：東ソー株式会社
发明人：蜂谷斉士 , 上野航 , 渡辺真人 , 羽村敏
IPC分类号： C07D495/22 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D493/22
摘要：【課題】高いキャリア移動度、高耐熱性及び高溶解性を持つ塗布型の有機半導体材料である新規なヘテロアセン誘導体、及びこれを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】式(1)で示されるヘテロアセン誘導体[ジチエノベンゾチオフェン、ジチエノベンゾジフラン及びジフロベンゾジフラン]、及びこれを用いた有機半導体層及び有機薄膜トランジスタ。 (R 1 及びR 2 はC1〜20の炭化水素基;R 3 及びR 4 はH又はC1〜20の炭化水素基;R 5 及びR 6 はH、C1〜20の炭化水素基、又はケイ素を含むC1〜20の炭化水素基;T 1 〜T 4 はS又はO;XはO又はS;n及びlは1〜20の整数;各lの区画内におけるmは1〜10の整数。) 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供作为具有高载流子迁移率，高热稳定性和高溶解度的涂层型有机半导体材料的新型异衍生衍生物，以及使用其的有机半导体层和有机薄膜晶体管。由式（1）表示的异亚苯衍生物[二噻吩并苯并噻吩，二噻吩并二苯并呋喃]和有机半导体层以及使用其的有机薄膜晶体管。（1），其中兰德稀有C1至20个烃基，兰德稀土H或C1至20烃基，兰德稀土H或C1至20烃基或含有硅的C1至20烃基，Tto Tare S或O X为O或S，n和l为1〜20的整数，l的每个部分的m为1〜10的整数。

5. 发明专利

JP5754133B2 カルボン酸第三級ブチルエステルの製造方法有权
标题翻译：用于生产羧酸叔丁酯方法
公开(公告)号：JP5754133B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2010291326
申请日：2010-12-27
申请人：東ソー株式会社
发明人：羽村敏 , 下里伸治 , 岡田久則
IPC分类号： C07C69/60 , C07C69/40 , C07C69/80 , C07C67/04
CPC分类号： Y02P20/52

6. 发明专利

JP2021191742A カルバミン酸エステルの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021191742A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021027277
申请日：2021-02-24
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 東ソー株式会社
发明人：竹内勝彦 , 松本和弘 , 深谷訓久 , 小泉博基 , 崔準哲 , 内田雅人 , 松本清児 , 羽村敏
IPC分类号： C07C271/10 , C07C271/20 , C07C271/28 , B01J31/02 , B01J31/04 , C07C269/06
摘要：【課題】カルバミン酸塩を原料として、犠牲試薬もハロゲン化アルキルも用いずにカルバミン酸エステルを製造する方法を提供することを課題とする。【解決手段】カルバミン酸塩と金属アルコキシドとを反応させることで、下記式(a−1)または(a−2)で表される構造を有するカルバミン酸エステルを生成する反応工程を含むことを特徴とする、カルバミン酸エステルの製造方法。下記式中、R 1 はそれぞれ独立して水素原子または無置換もしくは置換基を有する1価の炭化水素基を表し、R 2 、R 3 はそれぞれ独立して無置換もしくは置換基を有する1価の炭化水素基を表し、R 20 は無置換もしくは置換基を有する2価の炭化水素基を表す。【選択図】なし

7. 发明专利

JP6295781B2 ヘテロアセン誘導体、有機半導体層、及び有機薄膜トランジスタ有权
公开(公告)号：JP6295781B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2014070464
申请日：2014-03-28
申请人：東ソー株式会社
发明人：蜂谷斉士 , 上野航 , 渡辺真人 , 羽村敏
IPC分类号： H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L29/786 , C07D495/22 , C07D493/22

8. 发明专利

JP6286830B2 透明導電膜用塗工液及びこれよりなる透明導電膜有权
公开(公告)号：JP6286830B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2013015507
申请日：2013-01-30
申请人：東ソー株式会社
发明人：山本有紀 , 羽村敏
IPC分类号： H01B1/20 , C01G19/00 , C09D1/00 , C09D7/40 , C09D5/24 , H01B5/14

9. 发明专利

JP5991067B2 耐溶剤性透明導電膜用塗工液及びこれよりなる耐溶剤性透明導電膜有权
标题翻译：涂层的耐溶剂性的透明导电膜的涂布液和耐溶剂性的透明导电膜制成的这
公开(公告)号：JP5991067B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2012171790
申请日：2012-08-02
申请人：東ソー株式会社
发明人：山本有紀 , 羽村敏 , 土井亨 , 小原直人
IPC分类号： C01G19/00 , H01B1/00 , H01B5/14 , C09D1/00 , C09D5/24 , H01B1/20

10. 发明专利

JP2021191741A カルバミン酸塩の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021191741A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021027268
申请日：2021-02-24
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 東ソー株式会社
发明人：竹内勝彦 , 松本和弘 , 深谷訓久 , 小泉博基 , 崔準哲 , 内田雅人 , 松本清児 , 羽村敏
IPC分类号： C07C271/02 , C07C211/63 , C07D487/04 , C07C269/04
摘要：【課題】常圧より低い分圧の二酸化炭素からカルバミン酸塩を製造する新規な方法の提供を課題とする。【解決手段】炭素数2以上8以下の有機溶媒からなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒中、塩基存在下で、二酸化炭素の分圧が0.001atm以上1atm未満の二酸化炭素含有混合ガスとアミノ基含有有機化合物とを接触させることを特徴とする、カルバミン酸塩の製造方法。【選択図】なし

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