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1. 发明专利

TWI504010B 在矽晶圓的前側上形成柵極電極之方法失效
简体标题：在硅晶圆的前侧上形成栅极电极之方法
公开(公告)号：TWI504010B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099116178
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司 , E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：安德森大衛肯特 , ANDERSON, DAVID KENT , 安德森羅素大衛 , ANDERSON, RUSSELL DAVID , 漢肯尼士瓦倫 , HANG, KENNETH WARREN , 高世銘 , KAO, SHIH MING , 羅迪席歐喬凡納 , LAUDISIO, GIOVANNA , 林政男 , LIN, CHENG NAN , 吳雋夔 , WU, CHUN KWEI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C8/02 , C03C8/10 , C03C8/24 , Y02E10/50

2. 发明专利

TWI504011B 在矽晶圓前側上形成柵極電極之方法失效
简体标题：在硅晶圆前侧上形成栅极电极之方法
公开(公告)号：TWI504011B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099116179
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司 , E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：安德森羅素大衛 , ANDERSON, RUSSELL DAVID , 漢肯尼士瓦倫 , HANG, KENNETH WARREN , 高世銘 , KAO, SHIH MING , 羅迪席歐喬凡納 , LAUDISIO, GIOVANNA , 林政男 , LIN, CHENG NAN , 吳雋夔 , WU, CHUN KWEI
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/022433 , C03C8/02 , C03C8/10 , C03C8/24 , H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50

3. 发明专利

TWI504001B 在矽晶圓前側上形成柵極電極的方法失效
简体标题：在硅晶圆前侧上形成栅极电极的方法
公开(公告)号：TWI504001B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099116182
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司 , E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY
发明人：安德森大衛肯特 , ANDERSON, DAVID KENT , 安德森羅素大衛 , ANDERSON, RUSSELL DAVID , 羅迪席歐喬凡納 , LAUDISIO, GIOVANNA , 林政男 , LIN, CHENG NAN , 高世銘 , KAO, SHIH MING , 吳雋夔 , WU, CHUN KWEI
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/50

4. 发明专利

TW201110397A 在矽晶圓的前側上形成柵極電極之方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER 失效
简体标题：在硅晶圆的前侧上形成栅极电极之方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201110397A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099116178
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：安德森大衛肯特 , 安德森羅素大衛 , 漢肯尼士瓦倫 , 高世銘 , 羅迪席歐喬凡納 , 林政男 , 吳雋夔
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022425 , C03C8/02 , C03C8/10 , C03C8/24 , Y02E10/50
摘要：一種在具有ARC層的矽晶圓上形成前柵極電極之方法,其包含以下步驟:(1)印刷並乾燥一金屬膏A,該金屬膏A含有一無機內含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔塊,並具有燒穿能力,其中該金屬膏A是印刷在該ARC層上,以形成一組底部薄平行指狀線;(2)在該組底部指狀線上方印刷並乾燥一金屬膏B,形成一組頂部指狀線,該金屬膏B含有一無機內含物,其包括0至3重量百分比的玻璃熔塊,且該組頂部指狀線與該組底部指狀線疊置;(3)印刷並乾燥一金屬膏C,以形成以直角與該指狀線相交的滙流排棒,該金屬膏C含有一無機內含物,其包括0.2至3重量百分比的玻璃熔塊;以及(4)燒製該三重印刷的矽晶圓,其中該金屬膏B的該無機內含物和該金屬膏C的該無機內含物含有比該金屬膏A之該無機內含物更少的玻璃熔塊加上選用的現有其他無機添加劑。
简体摘要：一种在具有ARC层的硅晶圆上形成前栅极电极之方法,其包含以下步骤:(1)印刷并干燥一金属膏A,该金属膏A含有一无机内含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔块,并具有烧穿能力,其中该金属膏A是印刷在该ARC层上,以形成一组底部薄平行指状线;(2)在该组底部指状在线方印刷并干燥一金属膏B,形成一组顶部指状线,该金属膏B含有一无机内含物,其包括0至3重量百分比的玻璃熔块,且该组顶部指状线与该组底部指状线叠置;(3)印刷并干燥一金属膏C,以形成以直角与该指状线相交的汇流排棒,该金属膏C含有一无机内含物,其包括0.2至3重量百分比的玻璃熔块;以及(4)烧制该三重印刷的硅晶圆,其中该金属膏B的该无机内含物和该金属膏C的该无机内含物含有比该金属膏A之该无机内含物更少的玻璃熔块加上选用的现有其他无机添加剂。

5. 发明专利

TW201110398A 在矽晶圓正面形成格網電極之方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER 失效
简体标题：在硅晶圆正面形成格网电极之方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201110398A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099116179
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：安德森羅素大衛 , 漢肯尼士瓦倫 , 高世銘 , 羅迪席歐喬凡納 , 林政男 , 吳雋夔
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/022433 , C03C8/02 , C03C8/10 , C03C8/24 , H01B1/16 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：一種在具有ARC層的矽晶圓上形成前柵極電極之方法,其包含以下步驟:(1)印刷並乾燥一金屬膏A,該金屬膏A含有一無機內含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔塊,並具有燒穿能力,其中該金屬膏A是印刷在該ARC層上,以形成一組底部薄平行指狀線;(2)印刷並乾燥一金屬膏B,該金屬膏B含有一無機內含物,其包括位於該組底部指狀線上方之0.2至3重量百分比的玻璃熔塊,其中該金屬膏B是以一柵極圖案印刷,該柵極圖案包括:(i)形成一組疊置該組底部指狀線之頂部指狀線的薄平行指狀線;及(ii)滙流排棒,其以直角與該指狀線相交;以及(3)燒製該雙重印刷的矽晶圓,其中該金屬膏B的無機內含物含有比該金屬膏A的無機內含物更少的玻璃熔塊加上選用的現有其他無機添加劑。
简体摘要：一种在具有ARC层的硅晶圆上形成前栅极电极之方法,其包含以下步骤:(1)印刷并干燥一金属膏A,该金属膏A含有一无机内含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔块,并具有烧穿能力,其中该金属膏A是印刷在该ARC层上,以形成一组底部薄平行指状线;(2)印刷并干燥一金属膏B,该金属膏B含有一无机内含物,其包括位于该组底部指状在线方之0.2至3重量百分比的玻璃熔块,其中该金属膏B是以一栅极图案印刷,该栅极图案包括:(i)形成一组叠置该组底部指状线之顶部指状线的薄平行指状线;及(ii)汇流排棒,其以直角与该指状线相交;以及(3)烧制该双重印刷的硅晶圆,其中该金属膏B的无机内含物含有比该金属膏A的无机内含物更少的玻璃熔块加上选用的现有其他无机添加剂。

6. 发明专利

TW201110377A 在矽晶圓前側上形成柵極電極的方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER 失效
简体标题：在硅晶圆前侧上形成栅极电极的方法 PROCESS OF FORMING A GRID ELECTRODE ON THE FRONT-SIDE OF A SILICON WAFER
公开(公告)号：TW201110377A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW099116182
申请日：2010-05-20
申请人：杜邦股份有限公司
发明人：安德森大衛肯特 , 安德森羅素大衛 , 羅迪席歐喬凡納 , 林政男 , 高世銘 , 吳雋夔
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01B1/16 , H01B1/22 , H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要：一種在具有ARC層的矽晶圓上形成前柵極電極之方法,其包含以下步驟:(1)印刷並乾燥一金屬膏A,該金屬膏A含有一無機內含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔塊,並具有燒穿能力,其中該金屬膏A是以一柵極圖案印刷在該ARC層上,該柵極圖案包括:(i)形成一組底部指狀線的薄平行指狀線及(ii)滙流排棒,其以直角與該指狀線相交;(2)在該組底部指狀線上方印刷並乾燥一金屬膏B,以形成一組頂部指狀線,該金屬膏B含有一無機內含物,其包括0至3重量百分比的玻璃熔塊,且該組頂部指狀線與該組底部指狀線疊置;以及(3)燒製該雙重印刷的矽晶圓,其中該金屬膏B的無機內含物含有比該金屬膏A之無機內含物更少的玻璃熔塊加上選用的現有其他無機添加劑。
简体摘要：一种在具有ARC层的硅晶圆上形成前栅极电极之方法,其包含以下步骤:(1)印刷并干燥一金属膏A,该金属膏A含有一无机内含物,其包括0.5至8重量百分比的玻璃熔块,并具有烧穿能力,其中该金属膏A是以一栅极图案印刷在该ARC层上,该栅极图案包括:(i)形成一组底部指状线的薄平行指状线及(ii)汇流排棒,其以直角与该指状线相交;(2)在该组底部指状在线方印刷并干燥一金属膏B,以形成一组顶部指状线,该金属膏B含有一无机内含物,其包括0至3重量百分比的玻璃熔块,且该组顶部指状线与该组底部指状线叠置;以及(3)烧制该双重印刷的硅晶圆,其中该金属膏B的无机内含物含有比该金属膏A之无机内含物更少的玻璃熔块加上选用的现有其他无机添加剂。

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