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    • 7. 发明专利
    • 導電圖型之保護膜用組成物、導電圖型之保護膜、保護膜製造方法及透明導電薄膜之製造方法
    • 导电图型之保护膜用组成物、导电图型之保护膜、保护膜制造方法及透明导电薄膜之制造方法
    • TW201831616A
    • 2018-09-01
    • TW106141814
    • 2017-11-30
    • 日商昭和電工股份有限公司SHOWA DENKO K. K.
    • 鳥羽正彦TOBA, MASAHIKO中澤恵理NAKAZAWA, ERI山木繁YAMAKI, SHIGERU
    • C09D11/033C09D11/10C08L75/04C08L63/00H01B5/14
    • [課題] 提供用以低能量且短時間地形成具有良好之光學特性,維持對含有銀奈米線之透明導電膜的電接觸性,同時可對該透明導電膜賦予高的環境耐性之保護膜的導電圖型之保護膜用組成物、導電圖型之保護膜、保護膜製造方法及透明導電薄膜之製造方法。   [解決手段] 一種導電圖型之保護膜用組成物,其含有(A)含有羧基之聚胺基甲酸酯、(B)環氧化合物、(C)硬化促進劑與(D)溶劑,上述(D)溶劑之含有率為95.0質量%以上且99.9質量%以下,含有(D1)沸點超過100℃之含有羥基之溶劑與(D2)沸點100℃以下之溶劑,且(D2)沸點100℃以下之溶劑於全部溶劑中的含量為30質量%以上且未達70質量%,能夠以溫度100℃以下且加熱時間10分鐘以下之條件加熱而硬化。
    • [课题] 提供用以低能量且短时间地形成具有良好之光学特性,维持对含有银奈米线之透明导电膜的电接触性,同时可对该透明导电膜赋予高的环境耐性之保护膜的导电图型之保护膜用组成物、导电图型之保护膜、保护膜制造方法及透明导电薄膜之制造方法。   [解决手段] 一种导电图型之保护膜用组成物,其含有(A)含有羧基之聚胺基甲酸酯、(B)环氧化合物、(C)硬化促进剂与(D)溶剂,上述(D)溶剂之含有率为95.0质量%以上且99.9质量%以下,含有(D1)沸点超过100℃之含有羟基之溶剂与(D2)沸点100℃以下之溶剂,且(D2)沸点100℃以下之溶剂于全部溶剂中的含量为30质量%以上且未达70质量%,能够以温度100℃以下且加热时间10分钟以下之条件加热而硬化。
    • 10. 发明专利
    • 導電膜的製造方法、導電膜及金屬奈米線塗料
    • 导电膜的制造方法、导电膜及金属奈米线涂料
    • TW201920508A
    • 2019-06-01
    • TW107126616
    • 2018-08-01
    • 日商昭和電工股份有限公司SHOWA DENKO K. K.
    • 山木繁YAMAKI, SHIGERU
    • C09D5/24H01B1/22
    • [課題] 本發明係提供一種導電膜,其係抑制金屬奈米線之使用量,具有1000~10000Ω/□之範圍之表面電阻值,面內之表面電阻值之偏差小。進而係提供生產性優異的導電膜之合適的製造方法及用於此之金屬奈米線塗料。 [解決手段] 一種導電膜,其包含平均徑1~100nm,長軸之長度之平均為1~100μm,且長寬比之平均為100~2000的金屬奈米線(A)、與包含乙基纖維素及羥丙基纖維素之至少一方的黏合劑樹脂(B)、與包含二乙二醇單乙基醚的溶劑(C);且藉由包含使金屬奈米線(A)之含有率為0.005 ~0.05質量%的金屬奈米線塗料於高分子膜之至少一面塗布、乾燥的步驟的製造方法而得;導電層之表面電阻值為1000~10000Ω/□,且面內之表面電阻值之偏差為35%以下。
    • [课题] 本发明系提供一种导电膜,其系抑制金属奈米线之使用量,具有1000~10000Ω/□之范围之表面电阻值,面内之表面电阻值之偏差小。进而系提供生产性优异的导电膜之合适的制造方法及用于此之金属奈米线涂料。 [解决手段] 一种导电膜,其包含平均径1~100nm,长轴之长度之平均为1~100μm,且长宽比之平均为100~2000的金属奈米线(A)、与包含乙基纤维素及羟丙基纤维素之至少一方的黏合剂树脂(B)、与包含二乙二醇单乙基醚的溶剂(C);且借由包含使金属奈米线(A)之含有率为0.005 ~0.05质量%的金属奈米线涂料于高分子膜之至少一面涂布、干燥的步骤的制造方法而得;导电层之表面电阻值为1000~10000Ω/□,且面内之表面电阻值之偏差为35%以下。