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热词
    • 1. 发明专利
    • 表面具有拒水親水膜之基材的製造方法
    • 表面具有拒水亲水膜之基材的制造方法
    • TW200624254A
    • 2006-07-16
    • TW094137930
    • 2005-10-28
    • 旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
    • 古川豐 FURUKAWA, YUTAKA
    • B32BC08GC08J
    • G03F7/0757B05D3/06B05D5/04B05D5/08C03C17/30C03C2217/75C03C2217/76C08J7/12
    • 本發明提供一種不必特別裝置及長時間照射光之具有所期望的圖型化之新穎的拒水部份與親水部份之基材、及其製造方法。其係依步驟(1)~(3)之順序進行的表面具有拒水親水膜之基材的製造方法。其特徵係:步驟(1)為在基材上,形成存在有結合於矽原子之氫原子的表面之步驟。步驟(2)為在步驟(1)形成之表面的結合於矽原子之氫原子的一部份,使經氫甲矽烷基化反應而得之兼具不飽和鍵與拒水性部份的拒水性化合物(B),在氫甲矽烷基化催化劑之存在下藉由進行氫甲矽烷基化,於表面之一部份導入拒水性部份,形成具有拒水性部份之表面的步驟。步驟(3)為藉由使存在於步驟(2)所形成之表面的殘餘之結合於矽原子的氫原子之至少一部份,轉換為親水性之基,於表面之一部份導入親水性部份,形成具有拒水性部份與親水性部份之表面的步驟。
    • 本发明提供一种不必特别设备及长时间照射光之具有所期望的图型化之新颖的拒水部份与亲水部份之基材、及其制造方法。其系依步骤(1)~(3)之顺序进行的表面具有拒水亲水膜之基材的制造方法。其特征系:步骤(1)为在基材上,形成存在有结合于硅原子之氢原子的表面之步骤。步骤(2)为在步骤(1)形成之表面的结合于硅原子之氢原子的一部份,使经氢甲硅烷基化反应而得之兼具不饱和键与拒水性部份的拒水性化合物(B),在氢甲硅烷基化催化剂之存在下借由进行氢甲硅烷基化,于表面之一部份导入拒水性部份,形成具有拒水性部份之表面的步骤。步骤(3)为借由使存在于步骤(2)所形成之表面的残余之结合于硅原子的氢原子之至少一部份,转换为亲水性之基,于表面之一部份导入亲水性部份,形成具有拒水性部份与亲水性部份之表面的步骤。
    • 2. 发明专利
    • 具有親水性領域與拒水性領域之處理基材以及其製造方法
    • 具有亲水性领域与拒水性领域之处理基材以及其制造方法
    • TW200804978A
    • 2008-01-16
    • TW096107672
    • 2007-03-06
    • 旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
    • 古川豐 FURUKAWA, YUTAKA
    • G03FH01L
    • H01L21/02118G03F7/027G03F7/0755G03F7/0757H01L21/312Y10T428/265Y10T428/3154Y10T428/31663Y10T428/31667
    • 提供表面具有對比度高之親水性領域與拒水性領域之處理基材。又,提供不必須特別的裝置和照射高能量光、長時間光,可經由低光量於短時間下製造處理基材的方法。其係為於基材表面具有親水性領域與拒水性領域之處理基材,拒水性領域為令含有具有一個以上(甲基)丙烯醯基及拒水性部分之化合物(a)與光聚合引發劑的組成物(A)硬化之膜厚為0.1-100nm之拒水性膜所構成的處理基材。經由使用親水性領域或將基材表面予以親水性處理令表面作成親水性,且於該表面形成含有組成物(A)之膜,並對該膜的一部分表面照射光,令組成物(A)硬化形成膜厚為0.1-100nm之拒水性膜,除去基材表面存在之未硬化的組成物(A)令親水性表面露出,製造處理基材的方法。
    • 提供表面具有对比度高之亲水性领域与拒水性领域之处理基材。又,提供不必须特别的设备和照射高能量光、长时间光,可经由低光量于短时间下制造处理基材的方法。其系为于基材表面具有亲水性领域与拒水性领域之处理基材,拒水性领域为令含有具有一个以上(甲基)丙烯酰基及拒水性部分之化合物(a)与光聚合引发剂的组成物(A)硬化之膜厚为0.1-100nm之拒水性膜所构成的处理基材。经由使用亲水性领域或将基材表面予以亲水性处理令表面作成亲水性,且于该表面形成含有组成物(A)之膜,并对该膜的一部分表面照射光,令组成物(A)硬化形成膜厚为0.1-100nm之拒水性膜,除去基材表面存在之未硬化的组成物(A)令亲水性表面露出,制造处理基材的方法。