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1. 发明专利

TW201435485A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及其製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及其制造方法
公开(公告)号：TW201435485A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102147947
申请日：2013-12-24
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：木下健 , KINOSHITA, TAKERU , 三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 林和幸 , HAYASHI, KAZUYUKI
IPC分类号： G03F1/70
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/48
摘要：本發明之課題係提供一種EUV光罩基底之製造方法，該EUV光罩基底具有優異之作為EUV光罩基底之特性，且具有於廣泛的組成範圍中顯示高平滑性之吸收層。本發明之解決手段課題係一種EUVL用反射型光罩基底之製造方法，其係於基板之成膜面上形成反射EUV光之多層反射膜後，於前述多層反射膜上形成該多層反射膜之保護層，並於前述保護層上形成吸收EUV光之吸收層，藉此製造EUV微影術(EUVL)用反射型光罩基底；該製造方法之特徵在於：前述多層反射膜為Mo/Si多層反射膜；前述保護層為Ru層或Ru化合物層；前述吸收層為至少含有Ta及N之層；並且，於形成前述保護層並於該保護層上形成膜厚2nm以下之Si薄膜或Si氧化薄膜後，形成前述吸收層。
简体摘要：本发明之课题系提供一种EUV光罩基底之制造方法，该EUV光罩基底具有优异之作为EUV光罩基底之特性，且具有于广泛的组成范围中显示高平滑性之吸收层。本发明之解决手段课题系一种EUVL用反射型光罩基底之制造方法，其系于基板之成膜面上形成反射EUV光之多层反射膜后，于前述多层反射膜上形成该多层反射膜之保护层，并于前述保护层上形成吸收EUV光之吸收层，借此制造EUV微影术(EUVL)用反射型光罩基底；该制造方法之特征在于：前述多层反射膜为Mo/Si多层反射膜；前述保护层为Ru层或Ru化合物层；前述吸收层为至少含有Ta及N之层；并且，于形成前述保护层并于该保护层上形成膜厚2nm以下之Si薄膜或Si氧化薄膜后，形成前述吸收层。

2. 发明专利

TWI437360B ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底、及ＥＵＶ微影術用反射型光罩失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底、及ＥＵＶ微影术用反射型光罩
公开(公告)号：TWI437360B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW098110411
申请日：2009-03-30
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：木下健 , KINOSHITA, TAKERU
IPC分类号： G03F1/24 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00

3. 发明专利

TW201443552A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底及該光罩基底用附反射層之基板审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底及该光罩基底用附反射层之基板
公开(公告)号：TW201443552A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103105492
申请日：2014-02-19
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：木下健 , KINOSHITA, TAKERU
IPC分类号： G03F1/62
CPC分类号： G03F1/24
摘要： [課題]提供一種已改善Mo/Si多層反射膜中之EUV光反射率的入射角度依存性及膜應力之EUVL用光罩基底及該光罩基底用附反射層之基板。[解決手段]一種EUVL用附反射層之基板，係於基板上形成有反射EUV光之反射層的EUV微影術(EUVL)用附反射層之基板；前述反射層具有：第2多層反射膜，係Mo層與Si層於前述基板上交錯地積層複數次而成者；調整層，係積層於前述第2多層反射膜上；及第1多層反射膜，係Mo層與Si層於前述調整層上交錯地積層複數次而成者；其中，前述第1多層反射膜係以第1周期長d1為6.8nm≦d1≦7.2nm之關係積層有20~36組Mo層與Si層，且該第1周期長d1為相鄰1組Mo層與Si層之合計膜厚；前述調整層係Mo層與Si層交錯地積層1組以上者，且相鄰Mo層與Si層之合計膜厚d3滿足d3≦0.8d1或1.2d1≦d3，並且，調整層整體的膜厚L為(0.3+i)d1≦L≦(0.7+i)d1(惟，i為0以上之整數)；前述第2多層反射膜係以第2周期長d2為0.9d1≦d2≦1.1d1之關係積層有3~31組Mo層與Si層，且第2周期長d2為相鄰1組Mo層與Si層之合計膜厚；相對於前述第1周期長d1，前述第1多層反射膜中之Mo層的膜厚比為0.25~0.55；相對於前述第2周期長d2，前述第2多層反射膜中之Mo層的膜厚比為0.25~0.55；前述反射層之總膜厚在600nm以下。
简体摘要： [课题]提供一种已改善Mo/Si多层反射膜中之EUV光反射率的入射角度依存性及膜应力之EUVL用光罩基底及该光罩基底用附反射层之基板。[解决手段]一种EUVL用附反射层之基板，系于基板上形成有反射EUV光之反射层的EUV微影术(EUVL)用附反射层之基板；前述反射层具有：第2多层反射膜，系Mo层与Si层于前述基板上交错地积层复数次而成者；调整层，系积层于前述第2多层反射膜上；及第1多层反射膜，系Mo层与Si层于前述调整层上交错地积层复数次而成者；其中，前述第1多层反射膜系以第1周期长d1为6.8nm≦d1≦7.2nm之关系积层有20~36组Mo层与Si层，且该第1周期长d1为相邻1组Mo层与Si层之合计膜厚；前述调整层系Mo层与Si层交错地积层1组以上者，且相邻Mo层与Si层之合计膜厚d3满足d3≦0.8d1或1.2d1≦d3，并且，调整层整体的膜厚L为(0.3+i)d1≦L≦(0.7+i)d1(惟，i为0以上之整数)；前述第2多层反射膜系以第2周期长d2为0.9d1≦d2≦1.1d1之关系积层有3~31组Mo层与Si层，且第2周期长d2为相邻1组Mo层与Si层之合计膜厚；相对于前述第1周期长d1，前述第1多层反射膜中之Mo层的膜厚比为0.25~0.55；相对于前述第2周期长d2，前述第2多层反射膜中之Mo层的膜厚比为0.25~0.55；前述反射层之总膜厚在600nm以下。

4. 发明专利

TWI519886B 附有ＥＵＶ微影術用反射層之基板及ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底有权
简体标题：附有ＥＵＶ微影术用反射层之基板及ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底
公开(公告)号：TWI519886B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW100126597
申请日：2011-07-27
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：三上正樹 , MIKAMI, MASAKI , 木下健 , KINOSHITA, TAKERU
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/24
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891

5. 发明专利

TW201211674A 附有ＥＵＶ微影術用反射層之基板及ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底审中-公开
简体标题：附有ＥＵＶ微影术用反射层之基板及ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底
公开(公告)号：TW201211674A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100126597
申请日：2011-07-27
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：三上正樹 , 木下健
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891
摘要：本發明之課題在於提供能抑制因Ru保護層的氧化造成反射率降低之EUV光罩基底、用於製造該EUV光罩基底之附機能膜基板，及附該機能膜之基板之製造方法。一種附有EUV微影術用反射層之基板，係於基板上依序形成有用以反射EUV光之反射層、與保護該反射層之保護層者，其特徵在於前述反射層為Mo/Si多層反射膜；前述保護層為Ru層或Ru化合物層；前述反射層與前述保護層之間形成有中間層，其係由第1層及第2層所構成，該第1層含有0.5～25at%之氮與75～99.5at%之Si，該第2層含有60～99.8at%之Ru、0.1～10at%之氮及0.1～30at%之Si；且該第1層及第2層的膜厚度合計為0.2～2.5nm；有構成前述中間層之前述第1層係形成於前述反射層側，且前述第2層係形成於前述第1層上；且前述保護層實質上不含Si。
简体摘要：本发明之课题在于提供能抑制因Ru保护层的氧化造成反射率降低之EUV光罩基底、用于制造该EUV光罩基底之附机能膜基板，及附该机能膜之基板之制造方法。一种附有EUV微影术用反射层之基板，系于基板上依序形成有用以反射EUV光之反射层、与保护该反射层之保护层者，其特征在于前述反射层为Mo/Si多层反射膜；前述保护层为Ru层或Ru化合物层；前述反射层与前述保护层之间形成有中间层，其系由第1层及第2层所构成，该第1层含有0.5～25at%之氮与75～99.5at%之Si，该第2层含有60～99.8at%之Ru、0.1～10at%之氮及0.1～30at%之Si；且该第1层及第2层的膜厚度合计为0.2～2.5nm；有构成前述中间层之前述第1层系形成于前述反射层侧，且前述第2层系形成于前述第1层上；且前述保护层实质上不含Si。

6. 发明专利

TW201035675A ＥＵＶ微影術用反射型光罩基底的製造方法审中-公开
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型光罩基底的制造方法
公开(公告)号：TW201035675A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW099102079
申请日：2010-01-26
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：木下健 , 伊勢博利
IPC分类号： G03F
CPC分类号： H01L21/6831 , G03F1/24 , G03F7/70708
摘要：本發明係提供經抑制因在靜電吸盤與玻璃基板間夾帶入粒子等異物,而造成玻璃基板表面或吸盤面遭受損傷情況之EUV光罩基底的製造方法。EUV光罩基底的製造方法特徵在於:吸附保持著玻璃基板的靜電吸盤係在本體上,依序具有:由有機高分子膜構成的下部介電層、由導電性材料構成的電極部、及由有機高分子膜構成的上部介電層;且前述電極部含有正電極與負電極。
简体摘要：本发明系提供经抑制因在静电吸盘与玻璃基板间夹带入粒子等异物,而造成玻璃基板表面或吸盘面遭受损伤情况之EUV光罩基底的制造方法。EUV光罩基底的制造方法特征在于:吸附保持着玻璃基板的静电吸盘系在本体上,依序具有:由有机高分子膜构成的下部介电层、由导电性材料构成的电极部、及由有机高分子膜构成的上部介电层;且前述电极部含有正电极与负电极。

7. 发明专利

TW201003303A ＥＵＶ微影術用反射型空白光罩、及ＥＵＶ微影術用反射型光罩失效
简体标题：ＥＵＶ微影术用反射型空白光罩、及ＥＵＶ微影术用反射型光罩
公开(公告)号：TW201003303A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098110411
申请日：2009-03-30
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：木下健
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要：本發明提供一種可抑制光罩圖案邊界部的反射光之對比度降低，尤其可抑制光罩圖案外緣邊界部的反射光之對比度降低的EUV光罩，及，用於製造該EUV光罩的EUV光罩基底。本發明係一種EUV微影術用反射型光罩基底，係在基板上依序形成有反射EUV光的反射層與吸收EUV光的吸收體層者，且，前述基板上之至少一部分中，前述吸收體層在圖案化時被去除之部位與前述吸收體層在圖案化時未被去除之部位之間設有段差，且前述吸收體層未被去除之部位鄰接於前述吸收體層被去除之部位。
简体摘要：本发明提供一种可抑制光罩图案边界部的反射光之对比度降低，尤其可抑制光罩图案外缘边界部的反射光之对比度降低的EUV光罩，及，用于制造该EUV光罩的EUV光罩基底。本发明系一种EUV微影术用反射型光罩基底，系在基板上依序形成有反射EUV光的反射层与吸收EUV光的吸收体层者，且，前述基板上之至少一部分中，前述吸收体层在图案化时被去除之部位与前述吸收体层在图案化时未被去除之部位之间设有段差，且前述吸收体层未被去除之部位邻接于前述吸收体层被去除之部位。

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