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1. 发明专利

TWI281507B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI281507B
公开(公告)日：2007-05-21
申请号：TW093104408
申请日：2004-02-23
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：小田國博 ODA, KUNIHIRO , 福篤志 FUKUSHIMA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414
摘要：本發明係關於一種鉭濺鍍靶，係對於經過熔解鑄造之鉭錠或棒進行鍛造、退火、壓延之塑性加工所製造而得者；其特徵為：鉭靶之組織係具備未再結晶組織。藉由對於鍛造、壓延等之塑性加工製程及熱處理製程進行改良、調整，可得到成膜速度快、膜均勻性(一致性)良好並且電弧或粒子之產生少、成膜特性良好之鉭濺鍍用靶以及穩定地製造該靶之方法。
简体摘要：本发明系关于一种钽溅镀靶，系对于经过熔解铸造之钽锭或棒进行锻造、退火、压延之塑性加工所制造而得者；其特征为：钽靶之组织系具备未再结晶组织。借由对于锻造、压延等之塑性加工制程及热处理制程进行改良、调整，可得到成膜速度快、膜均匀性(一致性)良好并且电弧或粒子之产生少、成膜特性良好之钽溅镀用靶以及稳定地制造该靶之方法。

2. 发明专利

TW200718796A 濺鍍靶审中-公开
简体标题：溅镀靶
公开(公告)号：TW200718796A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095133854
申请日：2006-09-13
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：小田國博 ODA, KUNIHIRO , 福篤志 FUKUSHIMA, ATSUSHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414
摘要：本發明提供一種鉭或鉭合金濺鍍靶,其能縮短預燒時間,且可使在整個靶壽命中的成膜速度變動為最小,因此有助於提升濺鍍製程中半導體的生產效率及使其安定化,且可降低生產成本。本發明之濺鍍靶,係鉭或鉭基合金濺鍍靶,其特徵在於:濺蝕最表面藉由X射線繞射所測量之{200}結晶面的半値寬為0.1~0.6。如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶,其中,半値寬之偏差在�0.05以內。
简体摘要：本发明提供一种钽或钽合金溅镀靶,其能缩短预烧时间,且可使在整个靶寿命中的成膜速度变动为最小,因此有助于提升溅镀制程中半导体的生产效率及使其安定化,且可降低生产成本。本发明之溅镀靶,系钽或钽基合金溅镀靶,其特征在于:溅蚀最表面借由X射线绕射所测量之{200}结晶面的半値宽为0.1~0.6。如申请专利范围第1或2项之溅镀靶,其中,半値宽之偏差在�0.05以内。

3. 发明专利

TW200702462A 釕合金濺鍍靶审中-公开
简体标题：钌合金溅镀靶
公开(公告)号：TW200702462A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：TW095117854
申请日：2006-05-19
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：小田國博 ODA, KUNIHIRO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/10 , C22C5/04
摘要：本發明關於一種釕合金濺鍍靶,係將釕粉末與氧化力比釕强之金屬粉末兩者的混合粉末加以燒結所製得,其特徵在於,氣體成分除外之靶材純度為99.95重量%以上,該較釕易形成氧化物之金屬含量為5原子%-60原子%,相對密度為99%以上,雜質之氧含量則為1000ppm以下。又,本發明之課題在於提供一種釕合金濺鍍靶,係降低釕合金濺鍍靶中存在之氧以減少濺鍍時電弧及粒子的發生,並提升燒結密度以提高靶材的强度,且更進一步為防止微量添加於Si半導體之硼(B)及磷(P)的組成變動,而嚴格限制靶材中硼(B)及磷(P)雜質的量,故可使成膜品質提升。
简体摘要：本发明关于一种钌合金溅镀靶,系将钌粉末与氧化力比钌强之金属粉末两者的混合粉末加以烧结所制得,其特征在于,气体成分除外之靶材纯度为99.95重量%以上,该较钌易形成氧化物之金属含量为5原子%-60原子%,相对密度为99%以上,杂质之氧含量则为1000ppm以下。又,本发明之课题在于提供一种钌合金溅镀靶,系降低钌合金溅镀靶中存在之氧以减少溅镀时电弧及粒子的发生,并提升烧结密度以提高靶材的强度,且更进一步为防止微量添加于Si半导体之硼(B)及磷(P)的组成变动,而严格限制靶材中硼(B)及磷(P)杂质的量,故可使成膜品质提升。

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