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1. 发明专利

TWI298533B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI298533B
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW092115248
申请日：2003-06-05
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立超愛爾.愛斯.愛系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEMS CO., LTD.
发明人：佐佐木敏夫 , 伊藤富士夫 FUJIO ITO , 鈴木博通 HIROMICHI SUZUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/49513 , H01L23/49531 , H01L23/49541 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/29007 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48257 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/85439 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種半導體裝置之相關技術,其係藉由在
半導體晶片(22)內之各電路部將滙流排(21d)予以分離而連
接之措施,即能供應電源於前述各電路部,進而產生無視
於內部引線(21b)之間距而能連接於滙流排(21d)之特徵,並
將連接墊(22a)之間距作成較內部引線(21b)之間距更小,且
作成鋸齒式地配置連接墊(22a)等,而能增加電源用之連接
墊(22a),並可將使用於習知之電源用之引線(21a)利用於訊
號用等。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备之相关技术,其系借由在半导体芯片(22)内之各电路部将汇流排(21d)予以分离而连接之措施,即能供应电源于前述各电路部,进而产生无视于内部引线(21b)之间距而能连接于汇流排(21d)之特征,并将连接垫(22a)之间距作成较内部引线(21b)之间距更小,且作成锯齿式地配置连接垫(22a)等,而能增加电源用之连接垫(22a),并可将使用于习知之电源用之引线(21a)利用于讯号用等。

2. 发明专利

TW200409331A 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW200409331A
公开(公告)日：2004-06-01
申请号：TW092115248
申请日：2003-06-05
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD. , 日立超愛爾愛斯愛系統股份有限公司 HITACHI ULSI SYSTEMS CO., LTD.
发明人：佐佐木敏夫 , 伊藤富士夫 FUJIO ITO , 鈴木博通 HIROMICHI SUZUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/49513 , H01L23/49531 , H01L23/49541 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/29007 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48253 , H01L2224/48257 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/85439 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要：本發明係提供一種半導體裝置之相關技術，其係藉由在半導體晶片(22)內之各電路部將匯流排(21d)予以分離而連接之措施，即能供應電源於前述各電路部，進而產生無視於內部引線(21b)之間距而能連接於匯流排(21d)之特徵，並將連接墊(22a)之間距作成較內部引線(21b)之間距更小，且作成鋸齒式地配置連接墊(22a)等，而能增加電源用之連接墊(22a)，並可將使用於習知之電源用之引線(21a)利用於訊號用等。
简体摘要：本发明系提供一种半导体设备之相关技术，其系借由在半导体芯片(22)内之各电路部将总线(21d)予以分离而连接之措施，即能供应电源于前述各电路部，进而产生无视于内部引线(21b)之间距而能连接于总线(21d)之特征，并将连接垫(22a)之间距作成较内部引线(21b)之间距更小，且作成锯齿式地配置连接垫(22a)等，而能增加电源用之连接垫(22a)，并可将使用于习知之电源用之引线(21a)利用于信号用等。

3. 发明专利

TW200302967A 半導體積體電路及半導體積體電路之製造方法审中-公开
简体标题：半导体集成电路及半导体集成电路之制造方法
公开(公告)号：TW200302967A
公开(公告)日：2003-08-16
申请号：TW092101379
申请日：2003-01-22
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：山田利夫 , 佐佐木敏夫
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G11C29/802 , G11C16/0441 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/12005 , G11C2029/1208 , G11C2029/4402 , H01L27/115 , H01L2223/5444
摘要：【課題】對於為了對多數的晶片內電路模組的缺陷補救等所發訊的控制資訊，保證高的可靠性。【解決手段】半導體積體電路(1)在電路模組(2、3)的缺陷補救等之控制資訊的記憶上，使用連接在共同匯流排(5)的泛用非揮發性記憶體，使用連接在專用訊號線(9)的熔絲電路(7)的非揮發性記憶體單元(6)。對於控制資訊的資訊記憶的可靠性不受限於泛用非揮發性記憶體的資訊記憶性能，可以容易提升對於控制資訊的資訊記憶的可靠性。使用於控制資訊的傳達之第2配線由於為其專用的配線，所以不需要進行與在電路模組中利用於實際動作的電路部份的連接切換和其之控制。可以簡化發訊控制資訊用的電路構造。
简体摘要：【课题】对于为了对多数的芯片内电路模块的缺陷补救等所发讯的控制信息，保证高的可靠性。【解决手段】半导体集成电路(1)在电路模块(2、3)的缺陷补救等之控制信息的记忆上，使用连接在共同总线(5)的泛用非挥发性内存，使用连接在专用信号线(9)的熔丝电路(7)的非挥发性内存单元(6)。对于控制信息的信息记忆的可靠性不受限于泛用非挥发性内存的信息记忆性能，可以容易提升对于控制信息的信息记忆的可靠性。使用于控制信息的传达之第2配线由于为其专用的配线，所以不需要进行与在电路模块中利用于实际动作的电路部份的连接切换和其之控制。可以简化发讯控制信息用的电路构造。

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