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1. 发明专利

TW200302482A 半導體積體電路裝置失效
简体标题：半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW200302482A
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW092100618
申请日：2003-01-13
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：岩橋誠之 , 中原茂 , 鈴木武史 , 日下田惠一
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1069 , G11C7/1051 , G11C8/16 , G11C11/4125
摘要：本發明提供一種備有：可以達成高速化且容易設定定時的記憶電路、高速記憶體與大容量記憶電路之新穎的半導體積體電路裝置。依據字元線的選擇動作及記憶資訊來判定記憶體電流是否流通之記憶格的讀出電路設有：第1放大電路、及第2放大電路。上述第1放大電路包含：分別將閘極供給至每個連接於上述記憶格之複數位元線，並在對相關位元線施加預充電電壓的狀態下維持截斷狀態之第1導電型的第1 MOSFET，且該第1放大回路可根據上述位元線的選擇信號進行作動。上述第2放大電路包含：分別將相關之第1放大電路的複數個放大信號供給至閘極，並連接成並聯形態之複數個第2導電型的第2 MOSFET，且該第2放大回路可根據上述第1放大回路的放大信號產生放大信號。
简体摘要：本发明提供一种备有：可以达成高速化且容易设置定时的记忆电路、高速内存与大容量记忆电路之新颖的半导体集成电路设备。依据字符线的选择动作及记忆信息来判定内存电流是否流通之记忆格的读出电路设有：第1放大电路、及第2放大电路。上述第1放大电路包含：分别将闸极供给至每个连接于上述记忆格之复数码元线，并在对相关比特线施加预充电电压的状态下维持截断状态之第1导电型的第1 MOSFET，且该第1放大回路可根据上述比特线的选择信号进行作动。上述第2放大电路包含：分别将相关之第1放大电路的复数个放大信号供给至闸极，并连接成并联形态之复数个第2导电型的第2 MOSFET，且该第2放大回路可根据上述第1放大回路的放大信号产生放大信号。

2. 发明专利

TWI261249B 半導體積體電路裝置失效
简体标题：半导体集成电路设备
公开(公告)号：TWI261249B
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW092100618
申请日：2003-01-13
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：岩橋誠之 , 中原茂 SHIGERU NAKAHARA , 鈴木武史 , 日下田惠一 KEIICHI HIGETA
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/1069 , G11C7/1051 , G11C8/16 , G11C11/4125
摘要：本發明提供一種備有：可以達成高速化且容易設定定時的記億電路、高速記憶體與大容量記憶電路之新穎的半導體積體電路裝置。
依據字元線的選擇動作及記憶資訊來判定記憶體電流是否流通之記億格的讀出電路設有：第1放大電路、及第2放大電路。
上述第1放大電路包含：分別將閘極供給至每個連接於上述記憶格之複數位元線，並在對相關位元線施加預充電電壓的狀態下維持截斷狀態之第1導電型的第1 MOSFET，且該第1放大回路可根據上述位元線的選擇信號進行作動。
上述第2放大電路包含：分別將相關之第1放大電路的複數個放大信號供給至閘極，並連接成並聯形態之複數個第2導電型的第2 MOSFET，且該第2放大回路可根據上述第1放大回路的放大信號產生放大信號。
简体摘要：本发明提供一种备有：可以达成高速化且容易设置定时的记亿电路、高速内存与大容量记忆电路之新颖的半导体集成电路设备。依据字符线的选择动作及记忆信息来判定内存电流是否流通之记亿格的读出电路设有：第1放大电路、及第2放大电路。上述第1放大电路包含：分别将闸极供给至每个连接于上述记忆格之复数码元线，并在对相关比特线施加预充电电压的状态下维持截断状态之第1导电型的第1 MOSFET，且该第1放大回路可根据上述比特线的选择信号进行作动。上述第2放大电路包含：分别将相关之第1放大电路的复数个放大信号供给至闸极，并连接成并联形态之复数个第2导电型的第2 MOSFET，且该第2放大回路可根据上述第1放大回路的放大信号产生放大信号。

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