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1. 发明公开

CN118104065A 高电压设施和在高电压设施中使用的波导审中-实审
公开(公告)号：CN118104065A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202180103315.7
申请日：2021-10-13
申请人：日立能源有限公司
发明人： A·施罗德 , D·科特 , M·卢维索托 , A·贝尔 , L·东泽尔 , A·加里法洛斯 , H·希尔博格
IPC分类号： H01P1/30 , H01P1/04 , H01P3/12 , H04B3/52
摘要：一种高电压HV设施(100，200，300，400，500)，该高电压设施包括处于第一电势的至少一个第一装置(112)和处于第二电势的至少一个第二装置(122)。HV设施(100，200，300，400，500)进一步包括用于在该至少一个第一装置(112)与该至少一个第二装置(122)之间交换信号的至少一个波导(130)，每个波导(130)包括用于承载和屏蔽高频电磁波的第一导电段(132a)、用于承载和屏蔽高频电磁波的第二导电段(132b)、以及布置在第一段(132a)与第二段(132b)之间用于将第一电势与第二电势电分离的绝缘段(134)。本公开进一步涉及在HV设施中使用的波导(600，700)。

2. 发明公开

CN118597988A 用于对高压阀厅进行检查和状态监测的可移动平台审中-公开
公开(公告)号：CN118597988A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410247195.3
申请日：2024-03-05
申请人：日立能源有限公司
发明人： D·科特 , J·舒德勒 , 陈楠 , M·卢维索托 , A·费尔布拉泽
IPC分类号： B66C17/00 , G01D21/02 , E04H5/00 , E04H5/02 , B66C13/16 , B66C11/06
摘要：本公开涉及一种检查和状态监测系统(1)，其包括工业大厅(100)，该工业大厅由至少一堵墙壁(101)、天花板(102)和地板(103)界定，从而围封包含设备(105)的空间(104)。此外，系统(1)包括：传动系(11)，其位于工业大厅(100)的天花板(102)下方的安全位置处；起重机运载车(12)，其通过传动系(11)移动；起重机桥(13)，其支撑起重机运载车(12)；起重机走道轨道(14)，其被调适成支撑起重机桥(13)，两者形成了第一轨道系统(17)，使得起重机运载车(12)可以在工业大厅(100)内部移动。系统(1)进一步包括至少一个传感器盒(20)。

3. 发明公开

CN118591978A 高压转换器布置审中-公开
公开(公告)号：CN118591978A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202280089354.0
申请日：2022-01-20
申请人：日立能源有限公司
发明人： A·施罗德 , D·博尔曼 , E·萨利纳斯 , G·埃里克森 , L·东泽尔 , D·科特 , M·拉松 , A·贝尔 , H·希尔博格
IPC分类号： H02M7/483 , H02M1/44
摘要：一种高压转换器布置(1)，包括多个开关单元(10a，……，10l)以及至少一个阻尼单元(50)，该至少一个阻尼单元被配置为阻尼由开关单元(10a，……，10l)内的开关操作引起的电磁噪声。开关单元(10a，……，10l)通过电流连接件(20)串联地互连。至少一个阻尼单元(50)与开关单元(10a，……，10l)串联地布置在电流连接件(20)上。至少一个阻尼单元(50)的电等效电路包括至少一个电感器(51)和至少一个电阻器(52)。

4. 发明授权

CN113169154B 用于功率半导体器件的混合短路故障模式预型件有权转让
公开(公告)号：CN113169154B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980080568.X
申请日：2019-10-17
申请人：日立能源有限公司
发明人： D·科特 , S·基辛
IPC分类号： H01L23/62 , H01L25/07
摘要：一种功率半导体模块，包括：基板(1)；设置在基板(1)的顶部表面上并与基板接触的半导体芯片(2)；设置在半导体芯片(2)的顶部表面上的预型件(3)；与预型件(3)的顶部表面接触并将压力施加到预型件的顶部表面上的按压元件(4)。预型件(3)包括第一导电层(6)和第二导电层(5)。第一导电层(6)具有至少一个突起(7)，该至少一个突起朝向半导体芯片(2)的顶部表面突出并且在预型件(3)的第一导电层(6)中限定至少一个凹部(9)，其中凹部(9)可以环形地围绕突起(7)。至少一个突起(7)由与第一导电层(6)相同的材料制成并与第一导电层一体地形成，或者第一导电层(6)和至少一个突起(7)由不同的材料制成。第二导电层(5)的至少一部分被定位在凹部(9)中和在半导体芯片(2)的顶部表面上。至少一个突起(7)的材料具有比第二导电层(5)的材料更高的熔点。功率半导体模块被配置成使得在具有热量消散的半导体芯片故障的事件中，在由按压元件(4)朝向基板(1)施加压力时，第一导电层(6)的至少一个突起(7)穿透半导体芯片(2)的剩余的材料(8)，以便在短路故障模式下在第一导电层(6)的至少一个突起(7)与基板(1)之间建立接触并形成桥接有缺陷的半导体芯片(2)的短路。预型件(3)的底部表面可以由第二导电层(5)的底部表面单独形成或由第二导电层(5)的底部表面和突起(7)的底部表面形成。

5. 实用新型

CN220856564U 功率模块有权
公开(公告)号：CN220856564U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202190000685.3
申请日：2021-09-16
申请人：日立能源有限公司
发明人： N·帕利克 , D·科特 , T·格拉丁格 , 柳春雷 , F·莫恩 , G·A·塞尔瓦托 , J·舒德勒 , D·托雷辛 , F·特劳布
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/433 , H01L23/373
摘要：提供了一种功率模块(1)，包括：‑至少一个功率半导体模块(2)，其具有布置在包括至少一个电绝缘层的衬底(4)上的至少一个半导体芯片(3)，‑引线框(8)，其被布置成与所述至少一个半导体芯片(3)电接触，‑基板(9)，其包括冷却结构(10)，‑结合层(11)，其连接所述功率半导体模块(2)和所述基板(9)，以及‑模制化合物(12)，其布置在所述功率半导体模块(2)、所述结合层(11)和所述基板(9)上，其中‑所述结合层(11)由所述功率半导体模块(2)、所述基板(9)和所述模制化合物(12)完全封装，并且‑所述引线框(8)至少部分地布置在所述模制化合物(12)内。此外，提供了一种用于生产功率模块(1)的方法。

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